SK hynix价值1060亿美元的巨型工厂建设被曝进展缓慢

SKhynix价值1060亿美元的巨型工厂建设被曝进展缓慢韩国贸易、工业和能源部的一份声明中写道："迄今为止，Fab1已完成约35%，现场改造进展顺利。到2046年，将投入超过120万亿韩元（目前为900亿美元，2021年为1060亿美元）的投资来完成Fab1到Fab4，Fab1的生产线建设将于明年3月开始。一旦完工，该基础设施将成为世界上最大的三层晶圆厂"。SKhynix在近三年前宣布建立新的半导体制造集群，主要目的是利用先进的极紫外光刻（EUV）工艺技术为个人电脑、移动设备和服务器制造DRAM。该集群位于韩国龙仁市附近，占地415万平方米，计划由四个大型晶圆厂组成，预计产能约为每月80万个晶圆开工(WSPM)，将成为全球最大的半导体生产中心之一。尽管如此，SKhynix的建设进度还是比公司最初预计的要慢。该园区的第一座工厂原计划于2025年投产，并于2021年第四季度开始建设。然而，SKhynix从2022年下半年开始削减资本支出，龙仁半导体集群项目也成为削减资本支出的牺牲品。可以肯定的是，该项目仍在继续开发，只是速度有所放缓；这也是第一座晶圆厂的外部结构目前已建成约35%的原因。据2021年的报道称，如果按计划于2021年竣工，SKhynix龙仁集群业务的第一阶段将成为耗资250亿美元的大型存储器生产设施，配备EUV工具，能够生产20万WSPM。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424777.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424777.htm

SK Hynix要求SK Trichem赔偿原料中杂质导致DRAM生产线受损的损失

SKHynix要求SKTrichem赔偿原料中杂质导致DRAM生产线受损的损失最终评估后，SKHynix认为由于材料中的杂质，工厂的所有设备都必须进行清洗，有些甚至被替换。锆高K材料是在原子水平上沉积的，在DRAM的电容器上面，作为前体。这种材料中的任何杂质都会导致DRAM芯片失效，但据SK海力士称，尽管造成了损失，但在这种情况下暂时还没有对生产过程造成拖延。该公司将暂时从其他两家供应商处订购替代材料，SKTrichem应该在本月底前会供应一批新材料。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1345445.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1345445.htm

SK海力士将于今年十月在清州市开建M15X工厂 预计2025年初竣工

SK海力士将于今年十月在清州市开建M15X工厂预计2025年初竣工SK海力士刚刚宣布，该公司已决定在韩国忠清北道的清州市新建一座M15X（eXtension）工厂。在分析未来市场动向之后，SK海力士最终决定较最初计划更早地在先前获得的地块上开工建设。今年10月，位于青州科技城的60000平米工业园区将破土动工。如果一切顺利，M15X工厂有望于2025年初竣工。（来自：SKHynixNewsroom）未来五年内，SK海力士将注资15万亿韩元来建设该工厂和部署生产设施。主体建筑采用一栋两层的设计，大小与M11加上M12两座工厂相当。至于下一个M17晶圆厂，该公司将密切留意半导体商业周期和整体商业环境等变化因素，以在恰当的实际投入建设。SK海力士副董事长兼联席CEOParkJung-ho表示：回顾过去10年，SK海力士曾在危机期间大胆投资，最终成长为一家全球性的企业。展望未来10年，我们仍相信M15X工厂的投建，将为公司的未来稳健增长而奠定一步重要的基础。2012年的时候，当时整个行业都在冷周期内缩减投资，SK海力士也难免陷入亏损。即便如此，该公司还是决定较上一年增加10%以上的投资，最终在2012年底迎来了戏剧性的转机。2015年的时候，SK海力士再次于市场不确定的情况下，在利川市投建了M14工厂。此举为SK海力士存储器业务的下一次繁荣最好了准备，并促成了自2017以来连续两年的创纪录财务表现。2011-2021十年回顾（图自：SKHynix官网）自2012年加入SK集团以来，SK海力士坚持2015年的公开愿景，推进着未来10年的投资计划。该公司承诺从2014年起投资46万亿韩元，在利川市建造包括M14在内的另外三个制造工厂。2018/2021两年，SK海力士提前在清州/利川两地完成了M15与M16工厂的建设目标。在全球经济放缓和供应链不稳定的情况下，市场对于存储芯片的需求正在迅速下滑。不过专家预计，随着内存业务周期的波动性越来越小，市场有望于2024年开始稳步复苏、并于2025年迎来反弹。综上所述，今年十月开动的M15X工厂建设，正是SK海力士为预计于2025年到来的下一次复苏做准备，以便在市场再次繁荣时期供应更多的存储芯片。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1313047.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1313047.htm

SK hynix正在为NVIDIA准备HBM3E样品

SKhynix正在为NVIDIA准备HBM3E样品SKhynix与英伟达有着现有的合作关系--它在去年抵御了激烈的竞争，此后为H100"Hopper"TensorCoreGPU生产了（当前版本）HBM3DRAM。该内存制造商希望通过第五代产品保持其在HBM市场上的领先地位--副总裁ParkMyung-soo早在4月就透露说："我们正在准备今年下半年的8GbpsHBM3E产品样品，并准备在明年上半年进行大规模生产"。与英伟达的新合作关系可以帮助SKhynix在HBM制造领域扩大其与最近的竞争对手--三星之间的差距。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1365867.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1365867.htm

SK hynix开发出LPDDR5T 目前最快的面向移动设备的DRAM

SKhynix开发出LPDDR5T目前最快的面向移动设备的DRAMLPDDR5T在JEDEC（联合电子器件工程委员会）设定的1.01至1.12V的超低电压范围内运行，该产品不仅具有最高的速度，而且具有超低的功耗。"SKhynix方面表示，"在2022年11月向市场推出LPDDR5X，即8.5Gbps规格的移动DRAM后，该公司在短短两个月内将技术推向了新的极限。"我们将通过提供满足客户需求的各种存储容量的产品，巩固我们在移动DRAM市场的领导地位"。SKhynix它向客户提供了16千兆字节（GB）多芯片封装的样品，该封装将多个LPDDR5T芯片结合在一起。该封装产品每秒可以处理77GB的数据，相当于在一秒钟内传输15部FHD（全高清）电影。SKhynix计划在今年下半年开始使用1anm（第四代10nm技术）大规模生产LPDDR5T。同时，SKhynix在最新产品中再次整合了HKMG（High-KMetalGate）工艺，使新产品能够提供最好的性能，并期望大幅拉大技术差距的LPDDR5T，在下一代LPDDR6开发之前引领市场。行业预测，随着5G智能手机市场的进一步扩大，对具有先进规格的内存芯片的需求也在增加。在这种趋势下，SKhynix预计LPDDR5T的应用将从智能手机扩展到人工智能（AI）、机器学习和增强/虚拟现实（AR/VR）。"随着LPDDR5T的开发，公司已经满足了客户对超高性能产品的需求，"SKhynix的DRAM产品规划主管SungsooRyu说。"我们将继续致力于技术开发，引领下一代半导体市场，成为IT世界的游戏改变者"。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1340903.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1340903.htm

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——