eMMC再次续命：KIOXIA发布新一代3D NAND模块

eMMC再次续命：KIOXIA发布新一代3DNAND模块Kioxia的新存储模块符合eMMC5.1标准，提供最高250MB/s的连续读取性能，这是该技术所能提供的最佳性能。但内部升级到新一代Kioxia3DNAND后，仍能提供一些优于旧模块的性能，包括连续和随机写入性能提高2.5倍，随机读取性能提高2.7倍。此外，新的eMMC模块还具有更高的耐用性，TBW额定值比前一代模块高出3.3倍。KioxiaAmerica存储器业务部副总裁MaitryDholakia说："e-MMC仍然是广泛应用的嵌入式存储器解决方案。Kioxia坚定不移地致力于为这些应用提供最新的闪存技术。我们的新一代产品带来了新的性能特性，满足了最终用户的需求，创造了更好的用户体验。"鉴于其余使用eMMC存储的设备都属于简单而廉价的类别，Kioxia的eMMC模块新产品系列只包括提供64GB和128GB存储容量的产品组合。从总体上看，虽然存储容量较小，但它适用于经济型设备以及存储需求有限的电子产品，如无人机、数字标牌、智能扬声器和电视。不过，Kioxia推出新eMMC模块的主要目的也许并不是提高性能和用户体验，而是使用更新、更便宜的3DNAND内存。这使Kioxia能够以更高的成本效益满足廉价应用的需求，从而确保该公司今后将继续这样做。Kioxia预计在2024年开始量产新的64GB和128GBeMMC5.1存储模块。目前，该公司正在与合作伙伴一起对新设备进行样品测试。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1386813.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1386813.htm

Crucial推出12 GB DDR5内存 带来5600MT/s速度和更大容量

Crucial推出12GBDDR5内存带来5600MT/s速度和更大容量更大容量总是一件好事，因为它能推动PC平台能力的提升，而且还带来了更多的选择。Crucial正在为其产品线添加新的DDR5内存规格，容量达12GB。这比标准的8GB模块容量高出50%，并将使双通道设置的容量高达24GB。与24GB内存模块相比，12GB内存模块更便宜，而且比8GB内存模块仍有很大改进。硬件消息人士Momomo_US发现，Crucial的新款12GBDDR5内存已在英国亚马逊上市。该内存模块的零件编号为"CT12G56C46S5"，默认运行速度为5600MT/s，可降频至5200/4800MT/s。该内存模块的功能或规格包括：如果系统规格仅支持5200MHz或4800MHz，5600MHz内存可以降频提高生产力，以更高帧率玩游戏，更好地处理多任务最适合英特尔酷睿13代和AMDRyzen6000系列及以上笔记本CPU仅兼容支持DDR5的笔记本电脑，不兼容支持DDR4的笔记本电脑ECC类型=非ECC，外形=SODIMM，引脚数=262引脚，PC速度=PC5-44800，电压=1.1V，等级和配置=1Rx16有两种套件可供选择，包括12GB（单DIMM）和24GB（双DIMM12GBx2）版本：Crucial12GBDDR5-5600(CT12G56C46S5)-$38.99USCrucial12GBDDR5-5600(CT2K12G56C46S5)-$70.99USCrucial尚未在其官方网页上列出这款内存的规格，但我们可以预计它很快就会公布，因为它将于3月31日上市。我们已经看到台式机和笔记本电脑都采用了更新的DDR5内存容量，因此随着时间的推移，每个人都会有更多的选择。台式电脑已经支持256GB以上的内存容量，我们可以期待未来会有更多的选择。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1423419.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1423419.htm

三星展示GDDR7内存模块：为下一代游戏GPU设计 16Gb密度32Gbps速率

三星展示GDDR7内存模块：为下一代游戏GPU设计16Gb密度32Gbps速率三星将成为下一代GDDR7内存标准的主要供应商之一，该标准将成为下一代游戏GPU的主要标准。该公司早在2023年就宣布了开发计划，并将很快推出速度更快的变体，不过新标准的起点仍将是32Gbps的速度。三星最初推出的GDDR7内存模块密度为16GB，每个模块提供2GB容量。速度将设定为32Gbps（PAM3），并可降低至28Gbps，以提高产量和起步阶段的整体性能/成本。三星还表示，GDDR7内存的能效将提高20%，同时工作电压仅为1.1V（低于1.2V标准）。其他特点还包括，由于采用了更新的封装材料和优化的电路设计，高速运行时的发热量降低，热阻比GDDR6降低了70%。JEDEC最近发布了GDDR7内存规格，主要亮点包括：核心独立的LFSR（线性反馈移位寄存器）训练模式，带有遮罩和错误计数器，可提高训练精度，同时缩短训练时间。独立通道数量增加一倍，从GDDR6的2个增加到GDDR7的4个。支持16Gbit至32Gbit密度，包括支持双通道模式，使系统容量翻倍。通过集成最新的数据完整性功能，包括带实时报告功能的片上ECC(ODECC)、数据毒性、错误检查和擦除功能，以及带命令屏蔽功能的命令地址奇偶校验(CAPARBLK)，满足市场对RAS（可靠性、可用性和可维护性）的需求。虽然GDDR7的规格更快，但这些都要等到2025-2026年才能实现。这又让我们回到了28GbpsGDDR7显存颗粒上，英伟达下一代GeForceRTX50"黑武士"游戏GPU已将其作为首选产品。到目前为止，传言中提到前三个芯片将使用GDDR7显存，这意味着入门级SKU目前可能会坚持使用GDDR6(X)，稍后在GDDR7成为可行的替代品时再转用GDDR7。512位/28Gbps/32GB（最大内存）/1792GB/s（最大带宽）384位/28Gbps/24GB（最大内存）/1344GB/秒（最大带宽）256位/28Gbps/16GB（最大内存）/896.0GB/s（最大带宽）192位/28Gbps/12GB（最大内存）/672.0GB/秒（最大带宽）128位/28Gbps/8GB（最大内存）/448.0GB/s（最大带宽）我们注意到，GDDR6和GDDR6X内存模块的一个特点是超频变得非常容易。您可以轻松地手动将这些芯片设置为更高的频率，而且它们工作起来非常顺手。随着新显存产量的增加，首批GDDR7显卡可能会在今年晚些时候面世。这将是整个消费级显存市场的新起点，我们期待着它的发展。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424301.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424301.htm

三星将在IEEE-SSCC上展示280层3D QLC NAND闪存和32Gb DDR5-8000内存

三星将在IEEE-SSCC上展示280层3DQLCNAND闪存和32GbDDR5-8000内存目前为旗舰NVMeSSD提供动力的最快3DNAND闪存类型的I/O数据传输速率大约为2.4GB/s。即将到来的2024年ISSCC日程表概述了高速内存的展示计划，其中包括基于三星和SKHynixGDDR7规格的37Gb/s和35.4Gb/s变体。两家公司都打算利用创新的PAM3和NRZ信号技术，在图形存储器领域取得进步。虽然GDDR7内存（速度高达32Gb/s）已经正式发布，但三星和海力士正在以更快的内存开发速度进一步突破界限。美光（Micron）也加入了这场竞争，宣布致力于开发36Gb/s的GDDR7内存，预计最早将于2026年投放市场。在这种竞争态势下，三星和海力士将首先推出速度稍低的模块，很可能在稍后阶段逐步推出35Gb/s模块。接下来是新一代DDR5内存芯片，其数据传输率为DDR5-8000，密度为32Gbit（4GB）。该芯片采用对称马赛克DRAM单元架构，基于三星专为DRAM产品优化的第5代10纳米级代工节点制造。该芯片令人印象深刻的是，它允许PC内存供应商以DDR5-8000的速度构建32GB和48GBDIMM（单排配置），以及64GB和96GBDIMM（双排配置）（前提是平台能很好地使用双排的DDR5-8000）。内存速度和带宽一览：[GDDR6/X]256-bit@23Gbps:736GB/sRTX4080SUPER[GDDR6]384-bit@20Gbps:960GB/sRX7900XTX[GDDR6/X]384-bit@21Gbps:1.00TB/sRTX4090[GDDR6]256-bit@24Gbps:768GB/s[GDDR6]384-bit@24Gbps:1.15TB/s[GDDR7]256-bit@32Gbps:1.00TB/s[GDDR7]384-bit@32Gbps:1.53TB/s[GDDR7]256-bit@37Gbps:1.18TB/s[GDDR7]384-bit@37Gbps:1.79TB/s...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1414905.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1414905.htm

慧荣科技推出全新SM2322主控：支持20Gbps接口、最高8TB容量

慧荣科技推出全新SM2322主控：支持20Gbps接口、最高8TB容量据悉，值得一提的是，这款单芯片解决方案革新性地摒弃了传统设计中的USB桥接芯片，极大地降低了物料清单（BOM）成本和功耗，为用户带来了更为经济的选择。SM2322主控芯片不仅支持数据传输速率高达20Gbps的USB3.2Gen2x2接口，还提供了完全集成的硬件和软件解决方案。其峰值顺序读写传输速度分别高达2100MB/s和2000MB/s，且支持最大8TB的存储容量，为用户提供了无与伦比的存储体验。慧荣科技专有的NANDXtend4KBLDPC纠错技术，为3DTLC/QLCNAND闪存提供了更高的耐用性和数据保持能力。同时，结合SRAMECC和端到端数据路径保护，SM2322为用户提供了全面的数据完整性保障，确保数据的安全与稳定。在安全性方面，SM2322更是表现出色。它支持AES256位加密、指纹安全，并完全符合可信计算组织(TCG)Opal规范，为用户提供了最高级别的数据安全性。此外，SM2322还支持iPhone用户的ProRes格式和MFi规范，同时兼容Windows、AndroidOS和macOS等主流操作系统。这一特性使得SM2322能够满足AI手机用户、高清内容创作者和游戏发烧友的高容量、高性能便携式存储需求。据悉，众多知名品牌如威刚、英睿达、惠普、金士顿、雷克萨、创见、小米和希捷等，都已计划采用SM2322主控芯片，制造具有超紧凑和轻便外形尺寸的便携存储产品。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1433259.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1433259.htm

JEDEC确认用于台式PC的CAMM2内存：17.6Gbps的DDR6和14.4Gbps的LPDDR6

JEDEC确认用于台式PC的CAMM2内存：17.6Gbps的DDR6和14.4Gbps的LPDDR6我们已经看到LPDDR5(X/T)变体在一系列其他产品中的应用，最近的产品是LPCAMM2模块，由于其模块化外形尺寸小，并提供更高的容量和升级选项，它将彻底改变PC市场。关于对LPDDR6内存的预期，Synopsys将14.4Gbps的数据传输速率作为该标准的最高定义，入门速率为10.667Gbps。LPDDR6还将使用由两个12位子通道组成的24位宽通道，入门带宽可达每秒28GB，使用最快的14.4Gbps模式时，带宽可达每秒38.4GB。至于DDR6，据说该内存的初始草案将于今年制定，预计将于2025年第二季度发布v1.0规格。至于内存速度，DDR6内存标准将采用8.8Gbps的导入速度，最高可达17.6Gbps。预计DDR6将进一步扩展到21Gbps，这是一个非常高的带宽，在PAM信号标准中还提到了NRZ。目前，最快的DDR5内存DIMM的内存速度可达9000MT/s，我们已经看到超频速度超过11000MT/s，但DDR6内存甚至不需要超频就能轻松突破10KMT/s大关，超频速度可能超过20KMT/s。另一个值得关注的话题是CAMM2内存标准，美光、三星、SKhynix甚至中国制造商龙芯中科都采用了这一标准。CAMM2是下一代标准，它解决了传统SO-DIMM和DIMM内存的几个问题，如可升级性、可维修性、主板复杂性和功耗。它得到了内存供应商的广泛支持。目前，CAMM2基于DDR5、LPDDR5和LPDDR5X标准，容量高达256GB。JEDEC还谈到了下一代LPDDR6CAMM2，它将进一步完善CAMM2模块，提供与我们刚才提到的同样快的速度，而且还消除了现有设计中对螺丝的需求。最重要的一张幻灯片让我们提前看到了未来用于台式机和服务器PC的双通道CAMM2内存解决方案。CAMM2DIMM将不再垂直放置，而是水平放置，目前最多展示了两个DIMM。CAMM2不再需要焊接连接器，而是将拓扑结构完全转移到模块上。这一新设计可在台式PC平台上实现最高性能和最大容量。这肯定需要一种全新的主板设计方法，而且我们预计这种设计不会很快推出，但我们可以预计某些主板供应商，特别是那些通过超频（2DIMM设计）来挑战内存极限的供应商将来会使用CAMM2DIMM。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431792.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431792.htm