三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺
三星宣布3nm芯片成功流片采用GAA工艺三星称,与传统3nm芯片相比,自家3nmGAA设计的产品功率损耗可降低50%,性能也将得到改善,与之前的4nmFinFET工艺相比,能效和密度有着20%至30%的提升。按照计划,三星接下来会大规模生产下一代Soc,这颗芯片应该是传闻中的Exynos2500,GalaxyS25系列将会首发搭载,其性能对标高通骁龙8Gen4以及联发科天玑9400,后两款芯片则是采用台积电3nm工艺。除了旗舰手机,三星自家的GalaxyWatch7系列智能手表也有可能会搭载3nm芯片。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1430063.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1430063.htm
在Telegram中查看相关推荐
🔍 发送关键词来寻找群组、频道或视频。
启动SOSO机器人