消息称三星Exynos 2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺
消息称三星Exynos2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺现在,一份新的报告指出,Exynos2500将提高工艺标准,预计将使用第二代3nmGAA(Gate-All-Around)工艺,以提高明年旗舰机型的性能与效率。据BusinessKorea报道,为了跟上台积电的步伐,三星将利用其第二代3nmGAA工艺量产Exynos2500。目前,这家韩国巨头是唯一一家在其移动芯片组中应用Gate-All-Around技术的代工厂,这可能使其在与台湾半导体竞争对手的第二代"N3E"节点的竞争中占据上风。该报告提到,Exynos2500将比骁龙8Gen4表现出更高的能效属性,但应该指出的是,这些说法是一位线人之前提出的。三星的3nmGAA工艺据说可以减少能量泄漏并提高电流驱动力。该公司声称,其第二代技术将把功耗降低50%,性能提高30%,面积缩小35%。据悉,第一代3纳米GAA节点与三星的5纳米工艺相比有一系列改进,功耗降低了45%,性能提高了23%,面积缩小了16%。对Exynos2500的测试传闻称,后者已经在CPU和GPU测试中击败了高通公司的骁龙8Gen3,因此假设这一消息属实,那么三星的手机处理器芯片有了一个非常好的开始。不过,我们不应该在第一批基准测试结果出来之前就匆忙下结论,因此,尽管三星努力提升工艺与台积电保持竞争的做法值得称赞,但毕竟它已经让我们失望了很多次,而且是以相同的形式。相关文章:分析师称三星Exynos2500性能有望超越骁龙8Gen4...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431003.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1431003.htm
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