SK Hynix计划将GPU和内存半导体整合到单一封装中

SKHynix计划将GPU和内存半导体整合到单一封装中据说SK海力士已经聘请了相当数量的逻辑半导体设计专家，这在一开始是没有意义的，因为该公司只专注于内存，但从今天的发展来看，SK海力士似乎想在半导体市场上有所作为。是什么促使SK海力士"迅速"改变生态系统呢？在当前的产品中，HBM等先进的内存半导体通过尽可能紧密地与逻辑半导体GPU芯片相连来提高效率。单个计算通过专用芯片分离，从广义上讲，这确实是一种低效方法。像CoWoS这样的封装技术可以在半导体之间架起一座桥梁。然而，某种"差距"依然存在，现在，人们打算将内存和逻辑半导体集成到一块芯片中，以满足这种需求。至于SK海力士为何希望如此实现，其实很简单。目前，半导体生态系统的秩序分为芯片设计（无晶圆厂）、委托生产（代工厂）和内存/逻辑。这不仅涉及每个生产流程的精密设备，而且在大多数情况下，这些工作必须外包给专门从事各自开发阶段的不同公司。这背后的一个主要弊端就是"增加"了对单个公司的依赖，这在近代表现为大量订单积压，从而拖慢了整个零售过程。由于英伟达等公司打算加快从制造到交付的过程，因此减少相互之间的依赖是实现最终目标的首要因素。图片来源：MordorIntelligence目前还没有透露SKHynix计划如何将逻辑和内存半导体集成到单个封装中，但有消息称，SKHynix正在与包括英伟达在内的几家全球无晶圆厂公司讨论HBM4的设计方法。我们可能会看到相关公司的某种"联合设计"，这将成为计算性能方面的一个突破，并加快整个制造过程，而这正是现代的一个重要需求。根据历史经验，缩小工艺流程被认为是实现世代进步的唯一途径，摩尔定律也验证了这一点，但现在看来，未来并不完全依赖于此。据说，如果公司能够实现上述想法，半导体/内存行业将出现"百万吨级的浪潮"，可以跨越当前世代限制所定义的所有界限。未来对每个人来说都充满希望，各公司如何为实现下一代性能铺平道路将令人激动。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1398391.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1398391.htm

SK hynix推出24GB容量12层HBM3内存 正向客户提供样品

SKhynix推出24GB容量12层HBM3内存正向客户提供样品"继去年6月量产全球首款HBM3之后，公司成功开发了24GB封装产品，该产品的内存容量比之前的产品增加了50%，"SKhynix说。"我们将从今年下半年开始向市场供应新产品，以配合人工智能驱动的聊天工具行业对高端内存产品不断增长的需求。"SKhynix的工程师通过在最新产品中应用先进的大规模回流模塑（MR-MUF）技术，提高了工艺效率和性能稳定性，而硅通孔（TSV）技术将单个DRAM芯片的厚度减少了40%，实现了与16GB产品相同的堆叠高度水平。"SKhynix通过其在后端工艺中使用的领先技术，能够持续开发一系列超高速和高容量的HBM产品，"SKhynix封装和测试主管SangHooHong说。"公司计划在今年上半年完成新产品的量产准备，以进一步巩固其在人工智能时代的尖端DRAM市场的领导地位。"由SKhynix在2013年首次开发的HBM，因其在实现高性能计算（HPC）系统中运行的生成式人工智能中的关键作用，已经引起了存储芯片行业的广泛关注。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1355881.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1355881.htm

SK hynix 宣布开发出目前性能最好的HBM3E内存

SKhynix宣布开发出目前性能最好的HBM3E内存SKhynix计划从明年上半年开始量产HBM3E。据该公司称，最新产品不仅在人工智能内存产品的关键规格--速度方面达到了业界最高标准，而且在容量、散热和用户友好性等所有方面都达到了业界最高标准。在速度方面，HBM3E每秒可处理高达1.15TB的数据，相当于在一秒钟内处理230多部每部5GB大小的全高清电影。此外，通过在最新产品中采用先进的大规模回流模塑底部填充（MR-MUF）尖端技术，该产品的散热性能提高了10%。它还具有向后兼容性，即使是为HBM3准备的系统也可以采用最新产品，而无需修改设计或结构。SKhynixDRAM产品规划主管SungsooRyu表示，该公司通过开发HBM3E，进一步增强了HBM产品阵容的完整性，从而巩固了其市场领导地位，而HBM在人工智能技术的发展中备受瞩目。"通过提高高价值HBM产品的供应份额，SKhynix还将寻求快速的业务转型。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378373.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1378373.htm

SK hynix披露2024年HBM供应已售罄 公司预计2025年业绩将大幅增长

SKhynix披露2024年HBM供应已售罄公司预计2025年业绩将大幅增长HBM内存的主要供货商SKhynix正式证实了其前几个月分析报告中"破纪录"的HBM销量，重申其在HBM领域的发展方针，并声称市场将出现反弹。SKhynix副总裁KimKi-tae在一篇博客文章中分享了该公司在HBM市场上的做法，此外，他还重申了SKhynix迈向2024年的期望：随着生成式人工智能服务的多样化和进步，对人工智能内存解决方案HBM的需求也呈爆炸式增长。HBM具有高性能和大容量的特点，是一款具有里程碑意义的产品，打破了内存半导体只是整个系统一部分的传统观念。其中，SKHynixHBM的竞争力尤为突出。2024年，期待已久的"Upturn"时代即将到来。在这个新的飞跃时期，我们将全力以赴，创造最佳业绩。我希望SKhynix的成员们都能在这一年里梦想成真。此外，该公司还透露了HBM领域的惊人需求，声称今年的供应已经售罄，SKhynix已经在为2025财年的主导地位做准备。这一点也不令人震惊，因为进入2024年，人工智能仍在蓬勃发展，英伟达（NVIDIA）和AMD等公司都在为下一代解决方案做准备，显然对HBM的需求也将是巨大的。随着HBM3e和HBM4产品的上市，我们可能会看到更多令人震惊的收入数字。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1420117.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1420117.htm

SK hynix宣布2026年量产HBM4 为下一代AI GPU做准备

SKhynix宣布2026年量产HBM4为下一代AIGPU做准备随着人工智能在市场上的应用迅速增加，我们在迈向未来的过程中需要更强的计算能力，值得注意的是，HBM在人工智能计算如何定位自己的现代生活中发挥了至关重要的作用，因为它是制造人工智能加速器的关键部件。SKhynix副总裁KimChun-hwan在2024年韩国半导体展（SEMICONKorea2024）上发表主题演讲时透露，该公司打算在2026年之前开始量产HBM4，并声称这将推动人工智能市场的巨大增长。他认为，除了早日实现下一代产品过渡之外，重要的是要认识到HBM行业面临着巨大的需求；因此，创造一种既能无缝供应又具有创新性的解决方案更为重要。Kim认为，到2025年，HBM市场预计将增长高达40%，并已提前定位，以充分利用这一市场。关于对HBM4的期待，Trendforce分享的路线图预计，首批HBM4样品的每个堆栈容量将高达36GB，而完整规格预计将在2024-2025年下半年左右由JEDEC发布。首批客户样品和可用性预计将于2026年推出，因此距离我们看到新的高带宽内存人工智能解决方案的实际应用还有很长的时间。目前还不确定哪种类型的人工智能产品将采用新工艺，因此我们暂时无法做出任何预测。随着SKhynix的加入，HBM市场的竞争似乎会变得更加激烈，哪家公司会崛起并登上王者宝座，让我们拭目以待。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1415875.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1415875.htm

美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产

美光领先于SKHynix和三星启动HBM3E内存的生产美光透露其正在大规模生产24GB8-HiHBM3E设备，每个设备的数据传输速率为9.2GT/s，峰值内存带宽超过1.2TB/s。与HBM3相比，HBM3E将数据传输速率和峰值内存带宽提高了44%，这对于像NVIDIA的H200这样对带宽要求极高的处理器尤为重要。NVIDIA的H200产品采用Hopper架构，计算性能与H100相同。同时，它配备了141GBHBM3E内存，带宽达4.8TB/s，比H100的80GBHBM3和3.35TB/s带宽有了显著提升。美光使用其1β（1-beta）工艺技术生产其HBM3E，这对该公司来说是一项重大成就，因为该公司将其最新的生产节点用于数据中心级产品，这是对制造技术的一种考验。随着美光即将于2024年3月发布36GB12-HiHBM3E产品，代表着公司的人工智能内存路线图得到了进一步巩固，与此同时这些设备接下来将用于何处还有待观察。领先于竞争对手SKHynix和三星开始量产HBM3E内存是美光公司取得的一项重大成就，目前美光公司在HBM领域占据10%的市场份额。此举对该公司至关重要，因为它使美光能够比竞争对手更早推出高端产品，从而有可能增加收入和利润率，同时获得更大的市场份额。美光科技执行副总裁兼首席业务官SumitSadana表示："美光在HBM3E这一里程碑上实现了三连冠：领先的上市时间、同类最佳的行业性能以及与众不同的能效特性。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量，美光通过我们业界领先的HBM3E和HBM4路线图，以及我们面向人工智能应用的全套DRAM和NAND解决方案组合，在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1420987.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1420987.htm