ASML 首次公开展示 High NA EUV 光刻机

ASML首次公开展示HighNAEUV光刻机2月10日，ASML在荷兰总部向媒体展示新一代HighNAEUV光刻机TwinscanEXE:5000。这台光刻机尺寸等同于一台双层巴士；重达150吨，相当于两架空客A320客机；价值高达3.5亿欧元（约合27亿元人民币）；全套系统需要250个货箱装运，需要250名工程人员、历时6个月才能安装完成，不仅价格高昂也相当耗时。TwinscanEXE:5000可以制造8nm线宽电路，从而实现晶体管密度比前一代提高至2.9倍。https://laoyaoba.com/n/893942

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽

ASMLHighNAEUV光刻机晶圆制造速度提升150%可打印8nm线宽根据ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问的MartinvandenBrink的说法，新的HighNAEUV光刻机晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能，并降低成本。现阶段经过进一步调整，ASML已经可用其试验性质High-NAEUV光刻机打印生产8nm线宽，这是的新纪录，这打破了该公司在4月初当时创下的记录。当时ASML宣布，已使用位于ASML荷兰总部与imec联合实验室的试验型High-NAEUV光刻机打印了10nm线宽。就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NAEUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。MartinvandenBrink强调，ASML当前已经取得了进展，能够在整个打印线宽作业上将其低至8奈米记录，并进行校正，而且还具有一定程度的重叠覆盖。因此，ASML对HighNAEUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。而除了ASML自己在进行HighNAEUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成HighNAEUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。预计将在Intel18A节点制程上进行技术的研发与训练工作，之后再将其投入到Intel14A节点制程的大量生产当中。MartinvandenBrink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NAEUV光刻机了，以进一步扩展其High-NAEUV光刻机的潜在路线图。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432933.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432933.htm

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机

ASML正在开发hyper-NAEUV光刻机 他表示，在未来十年内，ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。VandenBrink进一步强调了Hyper-NAEUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是，高数值孔径EUV（high-NA）光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具，目前仅英特尔一家采用，而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用，ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室，该实验室将与Imec共同运营，为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上，该实验室的系统已经投入使用，并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据VandenBrink的最新更新，该系统已经能够产生8nm线阵图案，接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431859.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431859.htm

ASML：EUV技术领域不会面临中国公司的竞争

ASML：EUV技术领域不会面临中国公司的竞争该消息推动ASML股价大涨9.52%，收盘股价1041.34美元，创下历史新高，总市值突破4096.86亿美元，成为了欧洲第二大市值的上市公司。Jefferies的报告指出，ASML预测其设备的市场需求有望一路走强至2026年，这主要是受益于各国政府推动的芯片制造本地化策略，通过补贴当地的晶圆厂建设，以提升自身的芯片制造能力。虽然2024年第一季度，ASML实现净销售额52.90亿欧元，同比下降21%。但是Jefferies证券认为，ASML2024年二季度到四季度的平均订单额可能会达到57亿欧元左右，有望推动其2025年营收上探至400亿欧元。ASML此前就曾将其2025年营收目标设定在300~400亿欧元。Jefferies证券的报告还预测，台积电预计将在2024年某个时候就会收到ASML最新的HighNAEUV（高数值孔径极紫外光）光刻机。ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的HighNAEUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管，即可以用于2nm以下的制程工艺制造，并且晶圆生产速度已经达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度。不过，HighNAEUV光刻机的价格也是相当的昂贵，一台要价超过3.5亿欧元。台积电业务开发资深副总裁张晓强（KevinZhang）5月14日在阿姆斯特丹举行的一场会议上就曾公开表示，ASMLHighNAEUV订价太过高昂，台积电预计于2026年下半量产的A16（1.6nm）制程，也不一定需用到HighNAEUV光刻机。他说，这要看公司能取得的最佳经济与技术平衡而定，A16制程或许会采用、但不确定。“我喜欢这项技术、但不喜欢高昂的价格。”目前最为积极引入HighNAEUV光刻机则是英特尔，其是第一家订购并完成交付安装的晶圆制造商，目前英特尔已经开始在其美国俄勒冈州最先进的技术开发基地将HighNAEUV光刻机用于其Intel18A工艺的测试，以积累相关经验，后续将会被用于Intel14A的量产。有报道称，ASML已接获数十台HighNAEUV光刻机的订单，其中大部分被英特尔预定，此外三星、台积电、SK海力士、美光也有订购。对于ASML所面临的潜在竞争问题，Jefferies证券的报告称，由于技术本身和生态系统的复杂性，ASML认为“在可预见的未来”，其在EUV技术领域不会面临来自中国光刻设备公司SMEE或HW的竞争。根据资料显示，ASML先进的标准型EUV光刻机就拥有超过10万个零件，涉及到上游5000多家供应商。这些零部件极为复杂，对误差和稳定性的要求极高，并且这些零件几乎都是定制的，90%零件都采用的是世界上最先进技术，85%的零部件是和供应链共同研发，甚至一些接口都要工程师用高精度机械进行打磨，尺寸调整次数更可能高达百万次以上。可以说，EUV光刻机已经是所有半导体制造设备中技术含量最高的设备，其中包括上万种精密零部件，而且结合了光学、流体力学、表面物理与化学、精密仪器、自动化、高分子物理与化学、软件、机械、图像识别等多个领域的尖端知识。目前全世界没有一家企业，甚至可以说没有一个国家可以独立完成EUV光刻机的完整制造。相对于标准的0.33NA（数值孔径）EUV光刻机来说，配备0.55NA透镜的HighNAEUV光刻机技术含量更高，系统设计也更为复杂。比如HighNAEUV光刻机会比现有的EUV光刻机更为耗电，从1.5兆瓦增加到2兆瓦，主要原因是因为光源问题，ASML甚至还使用液冷铜线为其供电。HighNAEUV光刻机其各类组件需要250个单独的板条箱中运输，其中包括13个大型集装箱，组装后的High-NAEUV光刻机将比双层卡车还要大。目前ASML仍然是全球唯一的EUV光刻机供应商，虽然老牌的光刻机厂商——日本的尼康和佳能仍在发展光刻机业务，但是也仅止步于DUV，在EUV方面依然是无能为力。不过，目前HighNAEUV光刻机的发展已经接近当前技术的极限，下一代的0.75NA的HyperNAEUV光刻机理论上是可以实现，但是会面临更多更复杂的技术问题，同时成本也更为惊人。ASML的前首席技术官MartinvandenBrink就曾表示，HyperNA可能将是最后一个NA，而且不一定能真正投入生产，这意味经过数十年的光刻技术创新，我们可能会走到当前半导体光刻技术之路的尽头。即使HyperNA能够实现，但是如果采用HyperNA技术的制造成本增长速度和目前HighNAEUV技术一样，那么经济层面几乎是不可行的。显然，在ASML现有光刻机技术路线即将走向尽头的背景之下，对于中国厂商来说在现有技术路线对于ASML之间的差距可能将不会继续加速扩大，这有利于厂商的技术追赶。但是在EUV技术路线发展受欧美限制，且该技术路线前景灰暗的情况下，中国厂商是持续投入资源突破现有限制进行技术跟随，还是考虑投入资源另辟蹊径寻找新的技术路径？比如佳能去年就推出了面向先进制程制造的纳米压印设备，但该技术路线能否成功还有待市场检验。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1433801.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1433801.htm

阿斯麦和 IMEC 联合光刻实验室启用

阿斯麦和IMEC联合光刻实验室启用比利时微电子研究中心（IMEC）和阿斯麦(ASML.O)6月3日宣布，由双方共同运营的High-NAEUV光刻实验室（HighNAEUVLithographyLab）在荷兰费尔德霍芬（Veldhoven）开幕，该实验室可提供HighNAEUV扫描仪（TWINSCANEXE：5000）及周边处理工具。声明中称，该实验室的启用是为大批量生产HighNAEUV做准备的一个里程碑，预计将于2025-2026年实现大批量生产。

ASML庆祝Twinscan NXE:3800E Low-NA EUV Litho光刻设备首次安装成功

ASML庆祝TwinscanNXE:3800ELow-NAEUVLitho光刻设备首次安装成功"芯片制造商需要速度！第一台TwinscanNXE:3800E现已安装在一家芯片制造厂。凭借其新型晶圆平台，该系统将为先进芯片的印刷提供领先的生产率。我们正在将光刻技术推向新的极限。"TwinscanNXE:3800E是ASML0.33数值孔径（Low-NA）光刻扫描仪系列中的最新平台。相关信息很少，因为ASML公司尚未发布3800E产品页面。而前一个型号--TwinscanNXE:3600D支持3纳米和5纳米的EUV量产。ASML的路线图表明，TwinscanNXE:3800E是为生产2纳米和3纳米级技术的芯片而设计的。该公司最先进的高纳极致紫外线（EUV）芯片制造工具（HighNATwinscanEXE）预计成本约为3.8亿美元。上个月的报道指出，现有的低纳极致紫外线光刻系统"的价格可能为1.83亿美元。另一台低噪点EUV设备将于2026年发布--ASML的下一代TwinscanNXE:4000F型号将与新兴的（更昂贵的）高噪点解决方案并存。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424138.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424138.htm