基于SiliconMotion SM2508控制器的更实用PCIe 5.0 SSD今年起出货

基于SiliconMotionSM2508控制器的更实用PCIe5.0SSD今年起出货现在，根据BenchLife的报道，期待已久的SiliconMotionSM2508控制器正在向硬盘制造商发货，它可能是打开PCIe5.0固态硬盘市场的关键。今年年底前，我们就能看到基于它的Gen5硬盘。这款控制器终于可以解决这些效率问题，同时还能带来Gen5所特有的超快传输速率。它采用台积电的N6工艺制造，峰值功耗仅为3.5瓦，而基于它的硬盘在最大负载下功耗仅为7瓦，与当前的Phison方案相比，简直是天壤之别。SiliconMotion还声称，使用SM2508的固态硬盘将具有与当今PCIe4.0型号类似的散热和功耗特性，但仍能达到Gen514GB/s以上的连续速度。在某些情况下，它甚至比Gen4更高效。该芯片有8个NAND通道，每个通道有32个CE目标，支持3600MT/s的接口速度。它的连续读写速度分别可达14.5GB/s和14GB/s，随机读写性能达到250万IOPS。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1436202.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1436202.htm

Silicon Motion SM2508将于第四季度上市 取代 Phison成为顶级SSD控制器

SiliconMotionSM2508将于第四季度上市取代Phison成为顶级SSD控制器SiliconMotion的参考硬盘在展会上运行了CrystalDiskMark8.0.4，如果我们与PhisonE26Max14um进行粗略比较，SM2508在连续读取性能方面比Phison高出约800MB/s，在连续写入性能方面高出500MB/s。这似乎并不算什么，但SM2508采用台积电的N6节点，峰值功耗为3.5瓦，整个固态硬盘的负载功耗为7瓦。而典型的基于PhisonE26的固态硬盘在满载时功耗超过11瓦，这在移动设备中是一个很大的差别。这显然也会降低发热量，我们可能终于可以看到不需要大量散热片或主动冷却的PCIe5.0硬盘了。事实上，7瓦的功耗与Phison基于PCIe4.0的E18固态硬盘非常相似。SiliconMotion仍在对SM2508的固件进行微调，因此性能可能会有所提高，达到标称的14GB/s写入速度。目前，随机性能与Phison相比也略显薄弱。根据Tom'sHardware的预测，我们将在今年第四季度的某个时候在市场上看到首批采用SiliconMotionSM2508的硬盘。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434083.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1434083.htm

慧荣展示PCIe 5.0 SSD主控SM2508：读写双双满血14GB/s

慧荣展示PCIe5.0SSD主控SM2508：读写双双满血14GB/s慧荣SM2508采用了先进的台积电6nm工艺，对比12nm功耗降低45％，对比7nm面积缩小20％。集成四个ArmCortex-R8CPU核心，支持对称性多重处理(SMP)，比非对称多重处理性能高出50％。该主控支持PCIe5.0x4、NVMe2.0，可搭配3DTLC/QLC闪存，最大容量8TB，8个通道，接口速率3600MT/s。在这一系列技术的加持下，SM2508主控的理论顺序读写速度都可以达到14GB/s，随机速度也能跑到250万IOPS、240万IOPS，达到满血状态。PCIe4.0主控方面，慧荣也有一款新的SM2268XT2。它支持PCIe4.0x4、NVMe2.0，闪存支持3DTLC/QLC，4通道，最大容量4TB，最高速率也有3600MT/s。性能自然不弱，顺序读写可达7.4GB/s、6.5GB/s，随机读写也都有120万IOPS。针对企业级市场，慧荣准备了更高性能的SM8366，支持U.2、E1.S15/25mm、E3.S等各种形态规格。它不但有PCIe5.0x4、NVMe2.0，更支持双接口、OCP数据中心NVMeSSD2.0、可编程NVMe/FDP/ZNS固件、PerformaShape(动态调控特定性应用性能及应用间IO隔离)、NANDCommand(最大化闪存性能及可靠性)等企业级特性。通道数达到了16个，虽然存接口速率限制在2400MT/s，但性能更彪悍，顺序读写超过了14GB/s，随机读写分别大于350万IOPS、280万IOPS。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1425807.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1425807.htm

慧荣SM2504XT PCIe 5.0 NVMe SSD控制器规格泄露

慧荣SM2504XTPCIe5.0NVMeSSD控制器规格泄露虽然没有具体提到SiliconMotion的制造伙伴是谁，但它很可能是台积电，因为SiliconMotion是一家台湾公司。SM2504XT采用主流4通道控制器设计，但它将支持额定速度高达3600MT/s的NAND闪存，这比目前宣布的任何其他NVMeSSD控制器都要高。SM2504XT还支持NVMe2.0协议，提供PCIe5.0x4主机系统接口。这款新的控制器预计将在今年9月的某个时候推出。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1344177.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1344177.htm

Realtek加入PCIe 5.0 NVMe SSD控制器赛道

Realtek加入PCIe5.0NVMeSSD控制器赛道RTS5782将是一款8通道控制器，支持3600MT/sNAND，并将有一个使用DDR4、LPDDR3、LPDDR4或LPDDR4x内存的专用DRAM缓存。据说它的连续读取速度可达14GB/s，连续写入速度可达12GB/s，随机读写IOPS达到2500K。Realtek还在开发一对新的无DRAM型号：PCIe4.0RTS5776DL和PCIer5.0RTS5781DL，这两个型号都支持4通道闪存，但仍支持高达3600MT/s的NAND速度。RTS5776DL的工程样品预计将在今年年底前推出，据说它的连续读写速度可达7400MB/s，随机读写IOPS为1200K。RTS5781DL将于2025年初进入工程样品阶段，它将把连续读写性能提高到10GB/s，随机读写IOPS提高到1400K。除了新的NVMe控制器外，瑞昱还在Computex上展出了RTS5736DL，该公司称这是世界上功耗最低的无DRAMSATASSD控制器，还支持高达8TB的容量。RTS5736DL是与USB3.x桥接芯片搭配使用的理想外置硬盘解决方案。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434666.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1434666.htm

满速仅约 7W，基于慧荣旗舰 PCIe Gen5 主控 SM2508 的 SSD 有望兼容轻薄本

满速仅约7W，基于慧荣旗舰PCIeGen5主控SM2508的SSD有望兼容轻薄本https://www.ithome.com/0/774/011.htmTom'sHardware、BenchLife.info在报道中均提到，慧荣称搭载SM2508主控的旗舰级PCIeGen5固态方案在功耗方面可控制在7W左右。————2023-08-092023-01-092022-01-17