路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试

路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试HBM即高带宽存储器，这是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，主要适用于高存储器带宽需求的场景组合，尤其是图形处理器、网络交换和转发设备。英伟达的AI加速产品都需要极高的带宽来提高性能，因此英伟达最初与SK海力士达成合作，由后者独家供应HBM3内存芯片。不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的HBM3内存芯片，三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题，目前英伟达的主力供应商仍然是SK海力士。消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的HBM3和HBM3E的测试，其中8层和12层的HBM3E芯片最近的一次失败测试结果在4月公布。既然没有成功通过英伟达测试，那么三星电子自然还不算是该芯片的供应商，这种情况似乎也凸显三星在HBM芯片上落后于SK海力士和美光了。当然英伟达有自己的测试标准，三星其实也已经向其他客户供应此类芯片，可能是英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题，只能看着SK海力士和美光了。注：HBM3：指的是HBM第三个标准，每个标准里面还有不同的“代”比如HBM3E，所以这里指的并不是第三代。相关文章:SK海力士正在HBM内存芯片领域处于领先地位三星为此撤换芯片主管...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432158.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432158.htm

三星 HBM 芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试

三星HBM芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试三位知情人事表示，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片未能通过英伟达的测试，无法用于这家美国公司的人工智能处理器。消息人士表示，这影响了三星的HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)芯片。这是首次报道三星未能通过英伟达测试的原因。三星在给路透社的声明中表示，HBM是一种定制的内存产品，需要“根据客户需求进行优化过程”，并补充说，该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。三星拒绝对具体客户发表评论。——

消息称三星 HBM 内存芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试

消息称三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试https://www.ithome.com/0/770/284.htmhttps://www.reuters.com/technology/samsungs-hbm-chips-failing-nvidia-tests-due-heat-power-consumption-woes-sources-2024-05-23/（英文）

三星电子 HBM 芯片据悉尚未通过英伟达测试，涉及发热和功耗问题

三星电子HBM芯片据悉尚未通过英伟达测试，涉及发热和功耗问题知情人士称，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达的测试，无法用于后者的人工智能处理器。据悉，这些问题涉及三星电子的HBM和HBM3E产品。三星电子在一份声明中表示，HBM是一种定制的内存产品，需要根据客户的需求进行优化，“我们正通过与客户的密切合作优化产品”。该公司拒绝就具体客户发表评论。