专家认为非易失性内存最早将于2030年代取代DRAM
专家认为非易失性内存最早将于2030年代取代DRAM在回答媒体和行业观察家的提问时，SNIA的ArthurSainio、TomCoughlin和JimHandy表示，持久性内存的速度已经达到了现代DRAM技术的水平，SK海力士和美光的铪铁电技术就证明了这一点。不过，他们无法直接回答哪种新兴内存技术将最终取代客户端PC和服务器中的DRAM。虽然铁电存储器以快速写入周期而著称，但并不能保证它最终会胜出。这是因为MRAM、FERAM和ReRAM等多种新型存储器技术都在竞相取代SRAM、NOR闪存和DRAM等现有标准。据专家称，MRAM与其竞争对手相比具有很大的优势，因为其读取速度"很可能在不久的将来与DRAM的速度相媲美"。自旋轨道力矩和电压控制磁各向异性等新技术也正在缩短MRAM的写入延迟时间，使其成为有朝一日可能取代DRAM的主要候选产品之一。然而，从DRAM过渡到持久性内存的一个主要障碍是制造成本。虽然DRAM的生产成本相对较低，但要使持久性内存在价格上具有竞争力，可能还需要数年时间。妨碍采用持久性内存的另一个问题是，它目前使用的是NOR闪存和SRAM接口，而不是DDR。不过，这种情况在未来可能会改变，因为"任何内存技术都不可能与任何总线紧密结合"。顾名思义，非易失性内存即使在没有电源的情况下也能保留内容，这使它在某些应用中成为一笔巨大的财富。然而，专家们认为，尽管持久性内存的优势显而易见，但在不久的将来，它的广泛应用还面临着许多障碍。从目前的情况来看，我们可能不会在2030年代初之前过渡到这种新技术，"但也可能比那要晚得多"。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1419843.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1419843.htm
