DDR4/DDR5集体大涨价 三星等存储大厂态度明确：将继续减产

DDR4/DDR5集体大涨价三星等存储大厂态度明确：将继续减产第四季度，存储大厂涨价态度明确，预估第四季内存合约价上涨约13~18%。以三星为例，第三季底，三星为有效减缓库存压力而扩大减产，主要针对库存偏高的DDR4产品，第四季减产幅度会扩大至30%。据报道，内存Q4合约价报价优于市场预期，DDR5上涨15-20％，DDR4上涨10-15％，DDR3上涨10％，涨幅优于原先预估的5-10％。台湾工商时报近日报道还指出，随着三星、SK海力士等国际存储器大厂减产幅度扩大，美光减产更是将持续到2024年。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1401861.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1401861.htm

Rambus升级服务器DDR5 PMIC产品组合 支持更高带宽、容量和通道

Rambus升级服务器DDR5PMIC产品组合支持更高带宽、容量和通道Rambus今天宣布推出全新系列的最先进DDR5服务器电源管理IC(PMIC)，包括业界领先的高性能应用极流器件。凭借这个全新的服务器PMIC系列，Rambus为模块制造商提供了完整的DDR5RDIMM内存接口芯片组，支持广泛的数据中心用例。技术参数如下：支持I2C和I3C基本总线串行接口达到或超过所有JESD300-5性能规范，I2C最高达1MHz，I3C最高达12.5MHz奇偶校验错误检查和数据包错误检查(PEC)功能支持带内中断(IBI)VIN_Bulk输入工作电压为4.25V至15VVIN_Mgmt输入在3V至3.6V电压下工作四个降压型开关稳压器（SWA、SWB、SWC和SWD）和3个LDO稳压器（VBias、VOUT_1.8V、VOUT_1.0V）写保护和可编程运行模式I2C总线可在1.0V至3.3V标称I/O电平下运行I3C基本总线可在1.0V、1.1V和1.2V标称I/O电平下运行用于I3C基本总线操作的推挽式和开漏式动态驱动器切换功能工作温度范围为-100C至+1250C35引脚热增强FCQFN封装PMIC是DDR5存储器架构中的关键组件，可实现更多的内存通道、更大容量的模块和更高的带宽。RambusDDR5服务器PMIC系列包括符合JEDEC极端电流(PMIC5020)、高电流(PMIC5000)和低电流(PMIC5010)规范的产品。利用DDR5DIMM上的PMIC，可根据系统配置所需的内存模块数量逐步增加电源管理。这种电源架构的另一个优势是，它通过向模块提供12V高压电源，而不是从主板通过模块连接器向内存模块提供1V电压，从而大大减少了传输网络上的IR下降问题。这为DIMM上的敏感元件提供了更严格的电压容差，有助于实现更高的DDR5性能水平目标。RambusPMIC5020将使未来几代DDR5RDIMM的性能和容量达到新的基准全新的Rambus服务器PMIC系列与RambusDDR5RCD、SPDHub和温度传感器IC一起构成了完整的内存接口芯片组，适用于广泛的DDR5RDIMM配置和用例。RambusDDR5PMIC5020、PMIC5000和PMIC5010现已上市。了解有关RambusDDR5存储器接口芯片的更多信息，请访问https://www.rambus.com/ddr5。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429182.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429182.htm