【SK海力士拟斥资近40亿美元建设其首家

【SK海力士拟斥资近40亿美元建设其首家#美国芯片厂，预计2028年量产AI图形处理器的关键组件】SK海力士计划斥资38.7亿美元在印第安纳州建设先进封装厂和人工智能产品研究中心。这家全球第二大存储芯片制造商表示，将在WestLafayette建立其首家美国工厂，计划于2028年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能（AI）系统的图形处理器的关键组件。

SK 海力士营收猛增 预计存储芯片市场全面回升

SK海力士营收猛增预计存储芯片市场全面回升SK海力士表示，预计存储芯片市场全面复苏，人工智能需求推动该公司实现至少2010年以来最快营收增速。这家全球第二大存储芯片制造商公布，第一季度营收增长逾一倍，达到12.4万亿韩元（90亿美元），强于预期。营业利润为2.89万亿韩元，远超预期的1.8万亿韩元，这也是该公司历史上同期第二高经营利润。该公司称进入了回升阶段，整体存储芯片市场步入稳步增长轨道。公司称，今年资本支出将略高于计划水平。该公司在周四的财报公告中表示，计划增加其领先芯片HBM3E芯片的供应，并吸引更多客户。

【跳槽华为前列印3000张资料】【SK海力士中国员工疑泄露技术被捕】南韩半导体大厂「SK海力士」（SK hynix）一名中

【跳槽华为前列印3000张资料】【SK海力士中国员工疑泄露技术被捕】南韩半导体大厂「SK海力士」（SKhynix）一名中国籍女员工，涉嫌向中国电讯设备制造商华为泄露如何提升晶片良率的核心技术资料，遭南韩警方拘捕及起诉。《韩联社》报道，被捕女子年约30多岁，涉嫌违反《防止产业技术泄露及保护法》，上月底入境南韩时被捕，随后遭到起诉，案件在水原地方法院骊州分院审理。良率（yield）是实际生产的数量除以投入的总数量之比，良率越高，就代表生产率越高，因此，提高良率对于半导体产业至关重要。报道指女被告于2013年入职SK海力士，在分析晶片不良率的部门工作；2020至2022年在中国分公司担任组长，负责跟客户洽谈；2022年6月，她回到韩国后立即跳槽到华为，不过，她离职前用3000多张A4纸，把涉及核心半导体工序问题解决方案的资料列印出来。SK海力士是禁止员工使用USB设备，并对列印内容、谁人列印、文件用途等都会作详细纪录和管理，涉案员工虽留下列印文件的纪录，却用途不明；警方接报后展开调查，并认为该名员工将列印的纸张分批转移到公司外部，惟遭她否认。华为去年9月发布的新手机Mate60Pro，经科技分析公司TechInsights拆解的结果显示，Mate60系列手机几乎完全采用了中国国产化零部件，惟当中搭配了来自SK海力士的LPDDR5和NAND快闪记忆体（flashmemory），然而，在2020年美国前总统特朗普颁布禁令后，SK海力士已对华为断供，公司更强调严格遵守美国政府的出口限制；有业内人士指出，华为所使用的可能是在禁令生效前的大量「囤货」。在美国的禁令生效前，华为每年从南韩进口大量晶片，2020年以前，SK海力士销售额的41%来自中国，而当中大部分都是来自华为。来源：自由亚洲

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂

SK海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂SK海力士公司计划斥资38.7亿美元在印第安纳州建造一座先进的封装厂和人工智能产品研究中心。这标志着拜登政府在寻求增加美国本土半导体产量方面的胜利。这家全球第二大的内存芯片制造商表示，将在美国西拉斐特市建设首个工厂，并计划于2028年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能系统图形处理器的关键组件。在美国当地建厂的决定是在SK海力士宣布投资美国的计划约两年后作出的。当时，SK集团董事长崔泰源表示，该企业将拨出大约150亿美元，在美国建设芯片设施和加强研究项目。这家韩国公司表示，周三的公告是这一总体承诺的一部分。SK海力士还申请了《芯片与科学法案》的拨款，该法案旨在促进半导体制造业回归美国。——

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8GbDDR4DRAM通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。——