三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——

通用 DRAM 需求尚未恢复 三星和 SK 海力士相关工厂开工率 80%-90%

通用DRAM需求尚未恢复三星和SK海力士相关工厂开工率80%-90%据调查，通用DRAM的恢复趋势不及NAND闪存。目前三星电子和SK海力士的通用DRAM厂开工率为80%-90%，较今年年初的70%-80%小幅增加，但尚未达到“全面启动”水平；供应仍然比需求占优势，主要原因在于智能手机、PC、服务器市场增长势头放缓，未能带动需求。与之形成鲜明对比的是NAND闪存，随着AI带动eSSD等需求恢复，三星、SK海力士的相关工厂在二季度已转为全面启动机制，铠侠近期开工率也达到了100%。

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8GbDDR4DRAM通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。——

三星、SK 海力士股价上涨 台湾地区地震停工料提振 DRAM 价格

三星、SK海力士股价上涨台湾地区地震停工料提振DRAM价格三星电子和SK海力士股价上涨，由于地震使得台湾的DRAM工厂停工，芯片价格有望获得提振。此外，SK海力士表示将斥资39亿美元建立它的第一家美国芯片工厂。SK海力士一度上涨逾4.8%，三星电子一度上涨近1.7%。行业研究机构集邦咨询(TrendForce)周三发布报告称，台湾地震后，美光科技、三星电子和SK海力士已暂停了DRAM芯片的报价。花旗在一份报告中表示，停工“可能导致部分DRAM生产中断”，并为记忆芯片制造商在价格谈判中带来优势。

SK海力士在服务器DRAM市场超过三星 稳居第一

SK海力士在服务器DRAM市场超过三星稳居第一市场份额计算不包括主要用于人工智能（AI）服务器的高带宽内存（HBM），如果包括HBM在内，SK海力士和三星电子之间的差距估计会更大。据悉，服务器DRAM约占整个DRAM市场的35%-40%，SK海力士在服务器DRAM市场份额激增超越三星电子，主要因为SK海力士在模块类产品竞争中的领先地位，其中包括最新标准服务器DRAM以及第五代双倍数据速率内存（DDR5）。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1401677.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1401677.htm

三星、SK海力士将停止供货 DDR3 带动市场价格上行

三星、SK海力士将停止供货DDR3带动市场价格上行业界传出，全球前二大DRAM供货商韩国三星和SK海力士正全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存，下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM，引起市场抢货潮，导致近期DDR3价格飙涨，最高涨幅达20%，且下半年报价还将进一步上涨。业内传出，为了应对高频宽内存和DDR5的发展策略，三星已通知客户将于第二季度末停止生产DDR3；而SK海力士则在去年底就已将位于中国大陆无锡的工厂转向DDR4制程，意味着不再供应DDR3；同时，美光为扩大DDR5和高频宽内存产能，也大幅减少了DDR3的供应量。——