联电:3DIC 解决方案已获得客户采用 预计今年就会量产

联电:3DIC解决方案已获得客户采用预计今年就会量产联电共同总经理王石表示,联电会持续积极强化特殊制程,3DIC解决方案已获得客户采用,首个应用为射频前端模组,预计今年就会量产。联电不仅在RFSOI特殊制程会有明显的市占率成长,也会在内嵌式高压制程持续开拓客户。联电也会积极布局先进封装领域,除提供2.5D封装用的中间层(Interposer),也供应WoWHybridbonding(混合键和)技术,首个案件即是采用自家RFSOI制程的既有客户,今年正积极扩充相关产能,预计今年就会量产。(科创板日报)

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台积电宣布2纳米制程预计2025年量产台积电宣布,2纳米制程在良率和元件效能进展良好,将如期于2025年量产。同时台积电也推出新3纳米技术,其中强化版3纳米制程预计2024年下半年量产。据台湾中央社报道,台积电于美国时间星期三(4月26日)在北美技术论坛揭示最新技术发展情况。其中,台积电宣布2纳米技术采用纳米片电晶体架构,在良率与元件效能上皆展现良好的进展,将如期于2025年量产。相较于升级版3纳米(N3E)制程技术,2纳米在相同功耗下,速度最快可增加15%;在相同速度下,功耗最多可降低30%,晶片密度增加超过15%。随着3纳米制程已进入量产,N3E制程预计将于2023年量产,台积电将进一步推出更多3纳米技术以满足客户多样化的需求。其中包括支援更佳功耗、效能与密度的强化版3纳米(N3P)预计于2024年下半年进入量产。台积电说,相较于N3E制程,N3P在相同功耗下,速度增快5%;在相同速度下,功耗降低5%至10%,晶片密度增加4%。为让客户能够提早采用3纳米技术来设计汽车应用产品,以便于2025年及时采用届时已全面通过汽车制程验证的N3A制程,台积电预计2023年推出N3AE,提供以N3E为基础的汽车制程设计套件(PDK)。

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联发科采用台积公司3纳米制程生产的芯片已成功流片,预计2024年量产联发科与台积公司今日共同宣布,联发科首款采用台积公司3纳米制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利,日前已成功流片,预计将在明年量产。台积公司的3纳米制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持,还拥有更强化的性能、功耗以及良率。相较于5纳米制程,台积公司3纳米制程技术的逻辑密度增加约60%,在相同功耗下速度提升18%,或者在相同速度下功耗降低32%。联发科一直基于业界领先的制程工艺打造Dimensity天玑旗舰芯片,满足用户需求。联发科首款采用台积公司3纳米制程的天玑旗舰芯片将于2024年下半年上市。——

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