澜起科技:年初以来内存接口芯片需求实现恢复性增长

澜起科技:年初以来内存接口芯片需求实现恢复性增长澜起科技在互动平台表示,自今年年初以来,内存接口芯片需求实现恢复性增长,行业预计DDR5下游渗透率将在今明两年持续提升。随着DDR5在下游持续渗透,预计2024年公司DDR5第二子代及第三子代RCD芯片出货量较上年显著增加,其中DDR5第二子代RCD芯片出货量预计在2024年上半年超过第一子代产品,DDR5第三子代RCD芯片预计从2024年下半年开始规模出货。

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澜起科技:预计DDR5第二子代RCD芯片出货量明年将持续提升澜起科技近日接待机构调研时表示,随着支持DDR5第二子代内存产品(数据速率为5600MT/S)的服务器CPU平台即将发布,预计DDR5第二子代RCD芯片的出货量将在明年持续提升。另外,公司今年10月试产的DDR5第三子代RCD芯片支持6400MT/S的数据速率。根据主流CPU厂商公布的最新产品路线图,其支持内存速率6400MT/S的新一代服务器CPU平台计划于明年发布,因此,DDR5第三子代RCD芯片将跟随该CPU平台的发布而开始规模出货。

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澜起科技接受调研时表示,随着支持DDR5第二子代内存产品(数据速率为5600MT/S)的服务器CPU平台即将发布,预计DDR5第二子代RCD芯片的出货量将在明年持续提升。另外,公司今年10月试产的DDR5第三子代RCD芯片支持6400MT/S的数据速率。根据主流CPU厂商公布的最新产品路线图,其支持内存速率6400MT/S的新一代服务器CPU平台计划于明年发布,因此,DDR5第三子代RCD芯片将跟随该CPU平台的发布而开始规模出货。

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澜起科技:MRCD/MDB芯片及CKD芯片均属于增量蓝海市场澜起科技在互动平台表示,作为内存接口技术的领导者,澜起科技在全球微电子行业标准制定机构JEDEC中牵头制定DDR5RCD、MDB芯片国际标准,并保持高水平研发投入,持续对产品进行迭代升级。目前公司在内存接口芯片领域的研发进度保持相对领先。DDR5内存接口芯片未来的应用趋势主要包括以下几方面:1.DDR5渗透率将进一步提升,同时DDR5内存接口芯片将持续进行子代迭代。行业预期DDR5下游渗透率将在今年年中超过50%。2.在服务器端,随着AI相关应用的快速发展,对系统主内存的带宽提出了更高的要求,将增加对新型高带宽内存模组MRDIMM的需求。由于MRDIMM采用“1颗MRCD+10颗MDB”的架构,MRDIMM逐步渗透将带动MRCD/MDB芯片需求的增加。3.在客户端,由于AIPC需要更高带宽的内存提升整体运算性能,将增加对更高速率DDR5内存的需求。当DDR5数据速率达到6400MT/s及以上时,客户端内存模组如CUDIMM、CSODIMM等需要配置CKD芯片,将增加行业对CKD芯片的需求。MRCD/MDB芯片及CKD芯片均属于增量蓝海市场。

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HBM芯片市场前景可期三星2023年订单同比增长一倍以上SK海力士预测,到2027年,人工智能的蓬勃发展,将使HBM市场复合年均增长率达到82%。三星电子DRAM产品与技术执行副总裁表示,目前客户的HBM订单比去年增长了一倍以上,未来HBM生产、封装等能力,将决定竞争力。此外,三星预测2024年HBM市场将增长超过100%。目前三星、SK海力士正在全力投入HBM芯片的研发和生产。此种芯片将多个DRAM垂直堆叠,以获得带宽的提升,从而有助于提高AI芯片运算速度。业内专家称,人工智能带来的HBM芯片增长,同时带动了多种高附加值DRAM芯片,包括PIM存内计算芯片、DDR5内存以及CXL高速接口(computeexpresslink)。为了在市场上保持领先地位SK海力士和三星都将全力以赴开发下一代存储芯片产品。SK海力士9月12日公布了一项计划,将于2026年推出第六代HBM芯片:HBM4。三星也在重点开发更高性能的DDR5,以及CXL,公司高管表示,CPU与PIM、CXL接口的整合,将进一步扩大DRAM的使用范围。尽管存储芯片行业经历了下行周期,但随着各大原厂减产效果显现,预计第四季度DRAM行业有望回升。此外英特尔第四代至强处理器SapphireRapids的推广,也将带动DDR5需求增长。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1383271.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1383271.htm

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存储芯片需求炸裂 韩国芯片库存惊现10年来最大降幅

存储芯片需求炸裂韩国芯片库存惊现10年来最大降幅根据韩国国家统计局周五公布的数据,4月份韩国芯片库存同比骤降33.7%,为2014年底以来的最大降幅,很大程度上反映韩国芯片出口规模激增。这也标志着芯片库存连续四个月呈现下降,与此同时,韩国芯片出口规模持续回升。随着人工智能技术发展迭代,全球企业对存储芯片需求激增。SK海力士已成为英伟达核心的HBM供应商,三星也在力争加入这一行列。芯片储备缩减反映出口增长加快——对韩国芯片的需求带动了整体出口的上升趋势另外,统计局数据还显示,4月份韩国芯片产量大幅增长22.3%,但是低于3月份的30.2%。韩国工厂出货量则增长18.6%,小幅高于3月份的16.4%。全球存储芯片的供应规模,大部分掌握在韩国人手中韩国是世界上最大的两家存储芯片生产商的所在地,其中,全球HBM霸主SK海力士已经成为英伟达最核心的HBM供应商,英伟达H100AIGPU所搭载的正是SK海力士生产的HBM存储系统。此外,英伟达H200AIGPU以及最新款基于Blackwell架构的AIGPU的HBM存储也将搭载SK海力士所生产的最新一代HBM存储系统——HBM3E,另一大HBM3E供应商则是来自美国的存储巨头美光科技(MU.US)。另一大来自韩国的存储巨头三星,则是全球最大规模的DRAM与NAND存储芯片供应商,并且近期也在力争成为英伟达HBM以及更新一代的HBM3E供应商之一。三星在DDR系列存储芯片领域(如DDR4、DDR5),市场份额遥遥领先于其他存储芯片制造商,不同于HBM大规模应用于AI数据中心,DDR系列存储主要用于PC系统的主存储器,提供足够的内存容量和带宽,支持多任务处理和消费电子端数据集的处理,LPDDR(LowPowerDDR)系列则应用于智能手机端。在当前存储领域最为火热的HBM市场方面,截至2022年,三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星电子约40%、美光约10%,由于SK海力士在HBM领域最早发力,早在2016年已涉足这一领域,因此占据着绝大多数市场份额。有业内人士表示,2023年SK海力士HBM市场份额分布将在55%左右,位列绝对主导地位。2023年席卷全球企业的AI热潮已带动AI服务器需求激增,戴尔科技(Dell)以及超微电脑(Supermicro,SMCI)等全球顶级服务器制造商在其AI服务器中通常使用三星DDR系列以及SSD用于系统的服务器主存储体系,而SK海力士HBM存储系统则与英伟达AIGPU全面绑定在一起使用。从芯片出口的主要类型来看,韩国芯片出口主要集中在DRAM与NAND存储芯片,不过HBM这一DRAM细分领域占据的份额不断提高,其次则是模拟/混合信号IC、CMOS影像传感器、显示驱动IC、电源管理IC等,但是占据的出口比例较低。在2013-2015年全球存储芯片的繁荣时期,库存在大约一年半的时间里没有出现任何增加迹象。在2016-2017年的增长周期中,库存则下降持续了近一年。韩国央行的一份研究报告显示,随着“人工智能热潮”以类似于2016年云端服务器扩张的方式大幅推动芯片需求,最新一轮芯片需求复苏浪潮预计将至少持续到明年上半年。全球顶级金融机构野村近日发布报告称,随着周期性技术复苏扩大到其他消费电子终端市场,将支持整个芯片行业进入下一轮的景气度上升周期,预计将从今年下半年全面持续到2025年。两大存储巨头撑起韩国经济芯片行业,尤其是三星与SK海力士所撑起的存储芯片行业,可谓是韩国经济的“核心支柱”,带动了对韩国先进设备和工业建设项目的投资规模。统计数据显示,今年第一季度,韩国芯片出口同比增幅超过两位数,推动韩国经济环比增长1.3%,远高于经济学家普遍预期的0.6%。美国半导体行业协会(SIA)近日公布的数据显示,2024年第一季度全球半导体销售额总计1377亿美元,较2023年第一季度大幅增长15.2%。关于2024年半导体行业销售额预期,SIA总裁兼首席执行官JohnNeuffer在数据报告预计2024年整体销售额将相比于2023年实现两位数级别增幅。因此,韩国央行在上周大幅上调了2024年的韩国经济增长预测,反映出经济表现有望大幅好于预期,同时维持政策利率不变,以抑制通胀压力。不过,韩国央行并没有上调今年的通胀预期。韩国政府计划于周六公布最新的出口统计数据。经济学家们普遍预计,在存储芯片需求激增的趋势之下,5月份的韩国出口规模可能较上年同期增长15.4%,小幅高于4月份的13.8%。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1433074.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1433074.htm

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