据报道，标准型DRAM迎来前所未有的供需失衡“超级周期”之际，DDR3产能不足状况更显严重，由于三星等大厂退出DDR3制造，但A

据报道，标准型DRAM迎来前所未有的供需失衡“超级周期”之际，DDR3产能不足状况更显严重，由于三星等大厂退出DDR3制造，但AI与边缘运算等终端设备对DDR3需求持续增加，单一设备搭载容量直线上升，将引爆DDR3报价补涨行情。业界分析，随着主要DRAM厂减产效应持续发酵，带动标准型DRAM价格自2023下半年一路上涨到现在，且后面涨势依然可期，DDR3等利基型内存价格会较标准型DRAM晚一至二季，对主攻DDR3的华邦、晶豪科及钰创等厂商而言，DDR3的涨价效益将在本季和下季逐渐显现。(台湾经济日报)

存储芯片黎明前的黑暗？DRAM价格逼近原料成本 机构预测七月或迎供需反转

存储芯片黎明前的黑暗？DRAM价格逼近原料成本机构预测七月或迎供需反转国金证券报告也显示，存储器价格已跌破历史最低位置（当前DRAM价格距离最高点下跌超60%，部分料号现货价与合约价已经出现倒挂），价格潜在下跌空间较小。拐点何时到来？曙光或许就在前方。TrendForce发布报告指出，全球DRAM芯片需求预计最早将在7月份超过供应，这一变化将减轻因芯片低迷而陷入困境的半导体公司的压力。另外，预计今年全球DRAM需求将超过1054亿片2GB芯片，超过预估的1043亿片供应量——而TrendForce4月的报告中，曾预计今年DRAM需求为1460亿片，供应量为1550亿片，换言之，DRAM的供应过剩将继续损害全球芯片制造商的利润。值得一提的是，TrendForce近期还调整了今年存储芯片供应过剩率预估值：其中，将DRAM预估值从此前的0.9%调整至-1%，将NANDFlash预估值从3%调降为-0.5%——正值意为供过于求，负值则为相反。行业订单涌入存储厂商有望迎来戴维斯双击是什么促使TrendForce将供应过剩预期直接转向供不应求？主要原因还是三星减产。公司之前表示，将把内存产量减少到“一个有意义的水平”，其已开始削减传统产品的产量，而这些产品的产量已经足以满足中长期需求。而从需求端来说，近日智能手机与服务器厂商对存储芯片供应合同的询问数量有所增长，且AI服务器DDR5订单不断涌进，HBM、DDR5等高附加值DRAM的需求也在持续攀升。同时，存储器厂商部分需求领域已出现急单，客户需求回温、急单涌入，而且“量也不少”。在这种情况下，TrendForce近期也已上调了32GBDDR5的二季度均价预期，从之前的75美元调高至80-90美元。中泰证券指出，存储芯片上行周期弹性极佳：股价方面，以美光为例，上行周期中其股价从低点到高点涨幅超200%，股价和估值极具弹性。股价较基本面提前启动，且季度营收同比增速先达周期高点，后股价达周期高点。在周期底部，美光PB估值仅1倍，而在周期上行时，最高可达3-4倍。产品价格方面，复盘上轮存储价格反弹，合约价涨幅40%-90%不等，现货价涨幅80%-170%不等，预期上行周期存储价格反弹力度大、反弹时的价格上涨速度快。分析师进一步指出，半导体细分赛道中，存储板块有望较早复苏，如今各家厂商降低产出、推动供需情况改善，且行业具备量价齐升逻辑，叠加AI强驱动，存储厂商有望迎业绩与估值的戴维斯双击。建议关注兆易创新、东芯股份、北京君正、深科技、普冉股份、江波龙等。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1362247.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1362247.htm

SK海力士和台积电 卡英伟达脖子的幕后玩家

SK海力士和台积电卡英伟达脖子的幕后玩家根据GPUUtils的推测，保守估计，英伟达GPU潜在订单总额可能超过200亿美元，旗舰GPUH100的供给缺口高达43万张。英伟达CEO黄仁勋也直言：“我们目前的出货量远远不能满足需求。”老黄的苦衷，就在于卡住英伟达脖子的两项关键技术——CoWoS封装和HBM内存。SK海力士和台积电卡英伟达脖子的幕后玩家去年9月推出的H100，是英伟达产品矩阵中最先进的GPU。相较于前任A100，它的价格翻了1.5-2倍左右，但性能却有了质的飞跃：推理速度提升3.5倍，在训练速度提升2.3倍；如果用伺服器丛集运算的方式，训练速度更是能提高到9倍。在LLM训练中，它能让原本一个星期的工作量，缩短为20个小时。一块英伟达H100，主要由三个部分构成：中心的H100裸片两侧各有三个HBM堆栈，最外层则是台积电的2.5DCoWoS封装框。三个部件里，核心的逻辑芯片供应是最简单的，它主要产自台积电台南18号工厂，使用4N工艺节点（实际是5nm+）。由于5nm+下游的PC、智能手机和非AI相关数据中心芯片市场疲软，目前台积电5nm+产能利用率不到70%。因此逻辑芯片供应没有问题。英伟达最主要的供应缺口，来自逻辑芯片两侧的6块HBM（HighBandwidthMemory，高带宽内存），和把逻辑芯片、HBM连接起来的CoWoS封装（ChiponwaferonSubstrate，芯片、晶圆、基板封装）。HBM是一种基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片。其技术原理，就是将多个DDR芯片，垂直堆叠在一起，通过硅通孔（TSV）和微凸块（μBmps）技术，把芯片相互连接，从而突破了现有的性能限制，大大提高了存储容量，实现更高带宽、更高位宽、更低功耗、更小尺寸的DDR组合阵列。内存芯片对GPU性能至关重要，尤其是训练AI所用的高性能GPU。推理和训练工作负载是内存密集型任务。随着AI模型中参数数量的指数级增长，仅权重一项就将模型大小推高到了TB级。因此，从内存中存储和检索训练和推理数据的能力决定了GPU性能的上限。AI大模型和应用越多，越有利于HBM制造商。从整体HBM市场来看，两大韩国存储巨头SK海力士及三星占绝对垄断地位，二者合计市占率在90%左右。英伟达H100上面使用的HBM3由SK海力士独家供应，这是目前最先进的HBM产品。HBM3工艺复杂、成本高昂、产能有限，2022年，在整个HBM市场中，HBM3仅占约8%的市场份额。作为全球唯一有能力量产HBM3的公司，SK海力士牢牢卡住了英伟达H100的脖子；而前代A100/A800以及AMD的MI200使用的则是落后一代的HBM2E技术。不过，当前存储芯片业界正处于HBM2E向HBM3换代的过程中。据Trendforce数据，预计到2024年，HBM3市占率将超过60%，三星、美光等存储芯片厂都在积极布局，都对SK海力士的市场份额虎视眈眈。而先进封装则是一项与HBM内存相辅相成的技术——要用HBM堆栈，必须用先进封装把内存和GPU连接起来。H100上使用的台积电CoWoS先进封装，是一项2.5D封装技术。主流的2D封装方案，是在基板（Substrate）的表面水平安装所有芯片和无源器件的集成方式，类似于平面的拼图。而2.5D先进封装，则可以类比为横向排列的积木。多层DDR芯片堆叠的HBM堆栈，必须依赖先进封装才能实现。台积电的CoWoS先进封装方案，由CoW和oS组合而来：先将芯片通过ChiponWafer（CoW）的封装制程连接至硅晶圆，再把CoW芯片与基板连接（onSubstrate），整合成CoWoS。CoWoS技术大大提高了互联密度以及数据传输带宽，同时缩小了封装尺寸，但工艺也非常复杂，因此主要用于高端市场。据媒体报道，目前台积电CoWoS封装月产8000片，今年底有望提升至11000片，2024年底有望实现14500至16600片左右的月产能，也就是说，想要提升一倍的产量，几乎需要一年半的时间。摩尔定律见顶先进封装将成为主流类似HBM这样以多块芯片堆叠、再通过先进封装粘合起来的解决方案，已成为目前市场上高端芯片的主流设计思路。背后的原因很简单：先进制程目前已经迭代到7nm、5nm、3nm，技术节点越来越小，生产技术与制造工序越来越复杂，集成电路制造设备的资本投入也就越来越高。以5nm及更小的制程为例。在这一阶段，受波长限制，普通光刻机的精度已无法满足工艺要求，企业必须转向昂贵的EUV光刻机，一台的售价就高达14亿人民币。再加上刻蚀和薄膜沉积等设备，5nm制程的设备支出可达31亿美元，是14nm的2倍以上，28nm的4倍左右。为了成本效益，芯片制造商只能另辟蹊径，从单纯制程工艺的提升，转向通过系统级芯片设计，来提升晶体管密度和性能。另一方面，过去10年全球数据运算量爆炸式增长，已超越过去40年总和。随着消费电子与车用芯片的需求日益提高，就算芯片制程能达到摩尔定律理论上的物理极限（1nm），仍然无法满足未来产业应用的需求。而先进封装，因为能同时提高产品性能和降低成本，所以成了后摩尔时代的破局解法。生成式AI催生的庞大需求，已经在加速传统封装向先进封装的迭代。摩根士丹利指出，AI浪潮正在推动2.5D和3D先进封装技术的大规模应用，到2030年，先进封装将占据整个封装市场60%以上的份额。据FutureMarketInsights测算，当前规模约310亿美元的先进封装市场，将在未来十年内以7.2%的CAGR不断扩张。摩根士丹利分析师还指出，由于AI芯片增长超显著预期，因此3D/2.5D先进封装预计将以极快的速度增长。2021-2028年的CAGR将达到22%左右。卡英伟达脖子的厂商已经赚翻了HBM内存和先进封装领域的两大龙头——SK海力士和台积电，现在已经尝到了甜头。TrendForce数据显示，尽管在消费电子市场低迷影响下，内存芯片市场出货量和平均销售单价均出现下滑，但HBM产品却在逆势增长，价格一路水涨船高。有媒体报道称，2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单快速增加。SK海力士独家供应的HBM3价格更是上涨5倍。作为原本单位售价就远高于其他规格内存芯片的高毛利产品，HBM3利润之丰厚堪称恐怖。TrendForce预计，AI浪潮带动下，2024年整体HBM营收将达到89亿美元，年增127%。与此同时，随着英伟达H100、AMDMI300的热销，台积电先进封装同样供不应求。摩根士丹利分析师表示：根据我们的代工厂供应链检查，单个CoWoS-S晶圆（及相关工艺）的售价为6，000-12，000美元，具体取决于客户/项目的规模和设计复杂性。根据台积电在Q2财报会议上公开的信息，预计2023年总收入的6-7%将来自先进封装和测试。我们估计CoWoS今年可能为台积电贡献约10亿美元的收入。由于台积电不断加码CoWoS产能（根据台积电Q2财报电话会上提供的数据，产能将在2024年翻一番），以及当前强劲的AI芯片需求，这一数字可能会进一步增长。因此，我们预计2023-2027年台积电CoWoS收入的CAGR将达到40%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1386673.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1386673.htm