中国间谍气球侵美事件

中国间谍气球侵美事件近日美国国防部称发现一个中国侦查气球在美国西北部上空徘徊。官员称中国侵犯了美国领空和国际法，但目前该气球不会对航班和地面资产造成风险，而且考虑到气球坠落造成的破坏，暂时不将其击落。据外媒报道，美国官员表示这颗气球从中国飞到阿拉斯加，穿过加拿大西北部，然后到达蒙大拿州上空的某个地方并在那里徘徊。美国国务卿布林肯在事件后宣布取消访华行程。中国外交部发言人证实了该「飞艇」来自中国，称属民用性质和用于气象等科研，因气球自身控制能力有限而误入美国，对此表示遗憾。据官媒报道，有中国专家表示中国有卫星网络，用气球侦察美国没有意义。但也有接受外媒访问的专家称用气球侦察亦有其优势。原文链接《纽约时报中文网》《U.S.DepartmentofDefense》《中华人民共和国外交部》《环球网》《CNN》《FinancialTimes》

砸下8400亿元后 三星先被自己人背刺

砸下8400亿元后三星先被自己人背刺图片来源：X，郭明𫓹个人账号这条消息似乎佐证了韩媒DealSite此前发布的一份看似“离谱”的爆料，即目前三星3nm生产工艺存在问题，在试生产Exynos2500处理器时，最后统计出的良率为0%。要知道，三星电子几乎是以“透支集团未来”的方式去投资3nm工艺制程节点。在2023年财报中，三星电子就曾表示，在全年资本支出的53.1万亿韩元中（约合人民币2777亿），有48.4万亿韩元（约合人民币2530亿）用于半导体。另据Tom‘sGuide此前的测算，在整个3nm项目中，三星共投资了1160亿美元（约合人民币8420亿），这还不包括后续用于亚利桑那州、得克萨斯州两座3nm工厂的建设费用。如此重金押注3nm工艺制程节点，换来的却是自家旗舰机型的芯片，让竞争对手独供，这势必会对三星的半导体业务带来沉重打击。而本次事件所带来的深远影响，也远不止“便宜高通”那么简单。“全村的希望”对于三星的DS（半导体解决方案）部门，全球的消费电子公司大抵是一样的态度：希望三星DS部门越办越好。原因在于，三星电子是唯一具备先进制程，且能够批量承接外部订单的晶圆代工厂，这意味着这家公司理论能够掣肘业界霸主台积电。而后者近年来在业内饱受争议。在英伟达GTX40系列显卡发售时，黄仁勋就曾公开表达过不满：“现在的芯片代工不是贵一点点，而是巨幅涨价。”虽然没有点名道姓，但考虑到黄仁勋此番言论刚好发表在英伟达宣布N4工艺（5nm制程）第二轮涨价后，其所指的公司已再明显不过。一位曾接触过台积电与三星DS部门的国内某芯片IP厂商负责人，也曾向笔者透露过，三星8nmLPP工艺的代工费用报价，要比台积电7nm工艺便宜四成。虽然前者的晶体管密度不及台积电7nm工艺，但由于功耗设计优秀，在实际应用中并没有逊色于后者。除了代工价格一路水涨船高外，台积电的产能分配问题也一直被业界所诟病。此前《纽约时报》就曾报道过，台积电在接到苹果和英伟达的订单后，将其他公司的订单排期延后。在这样的背景下，芯片设计厂商们普遍迫切地希望三星电子能站出来，以扼制台积电一家独大。甚至有些时候，与三星电子DS部门存在直接竞争关系的高通，都希望三星的Exynos芯片发展起来，以对抗部分国家/地区的法律控告。比如高通长期被欧盟委员会控告具有垄断性质，高通还为此支付过高达9.98亿欧元的天价罚单，但在GalaxyS24系列手机开售时，搭载高通芯片的机型大多被发往亚洲，而欧洲售卖的机型除S24Ultra外，全部使用Exynos2400芯片。很难说这不是两家打出的一次“默契牌”。值得一提的是，Exynos系列芯片其实有着非常辉煌的历史。在智能手机刚刚起步的2011年，Exynos就随三星GalaxyS2机型一同推出。三年后，当竞争对手高通的骁龙810芯片因功耗问题被冠以“火龙”之名时，三星的Exynos7410凭借14nm工艺，获得业内一众喝彩，甚至帮助当年的魅族一举进入国内手机出货量TOP5的行列。但当芯片行业进入先进制程时代（即14nm）后，三星的芯片代工业务开始逐渐跟不上节奏。最直观的表现是，2018年，当台积电每月投放6万片晶圆用于EUV（极紫外光刻）的试生产时，三星仍然忙着对基于DUV技术的10nm工艺制程修修补补。最终的结果是，当台积电完成5nm工艺的量产后，三星还没有实现等效工艺的流片。这直接导致来自外部的代工订单逐渐减少，自家的Exynos芯片也逐渐走向萎靡，甚至到了GalaxyS21系列发布时，三星电子不得不像其他手机品牌一样，将首发骁龙芯片作为卖点。如果今年年底发售的GalaxyS25系列机型，真的如同郭明𫓹爆料的一样，全部使用高通骁龙芯片，那么Exynos芯片，这个三星的拳头品牌，将非常不容乐观。而且还有很重要的一点是，在今年的CES大会上，三星喊出了“AIforALL”的口号，并且将其作为未来发展的核心战略。但现实却是，真金白银砸出的DS部门，在存储器件上至今未通过英伟达HBM3e的认证工作，无法在时下火热的高性能计算领域分得一杯羹，在芯片代工业务上，又无法满足自家芯片设计团队的需求。在这样的背景下，很难评价三星在AI时代中的基础能力究竟是什么。问题出现在哪？实际上，在3nm工艺制程的开发上，三星的动作甚至要先于台积电。早在2017年，三星就宣布着手于3nm工艺制程的研发工作。2021年年中，三星宣布3nm节点成功流片，2022年6月，三星又宣布3nm节点进入量产阶段。从流片到量产，三星较台积电保持着约半年的领先优势。但问题是，考虑到三星在3nm节点上改用GAA架构，这个进度快得有些不正常。这里需要说下什么是GAA架构。GAA，全称“全环绕栅极架构”。栅极在芯片中起到控制电流流动的作用，在早期的平面架构上，通过控制施加在栅极上的电压，即可控制源极与漏极之间的电流。但在这一过程中，电流会不可避免地产生损耗。为解决这一问题，业内提出了“FinFET架构”，与平面架构相比，晶体管的栅极被做成三维结构，能够更好地控制漏电问题，这也是目前逻辑芯片上最为常见的一种架构。而GAA架构则是在FinFET的基础上做了进一步升级，将电流通道从垂直改为水平，使晶体管内部实现四面环绕栅极，从而更好地控制电流损耗。FinFET与GAA三维结构对比而更小的电流损耗即意味着更好的性能，以及更低的功耗。不过，芯片架构的升级是一个非常漫长的过程，它不仅对于芯片代工厂商有很高的要求，也是整个芯片产业链的挑战。一位业内从业者向笔者表示，“FinFET架构在1999年被发明出来后，直到2011年前后，业内才出现与之配套的成熟EDA（电子设计自动化）软件。”考虑到三星是目前唯一研发GAA架构的厂商，这家公司恐怕很难短时间内与DEA厂商一同摸索出适用GAA架构的解决方案。三星想要通过更加先进的GAA架构实现“弯道超车”，但如今却不得不面对产品良率为0的窘境。值得一提的是，这并不是三星的首次豪赌。早在上个世纪90年代，三星就通过在存储颗粒价格雪崩的情况下，逆周期投资建厂，耗垮了美优达和尔必达；后来在与海力士的较量中，跳过HBM直接研发HBM2存储器，完成了对后者的逆袭。但这一次围绕3nm工艺制程的布局，从结果上来看，重金押注GAA架构的三星赌输了。沿用FinFET架构的台积电虽然被外界批评保守，但来自英伟达、苹果、英特尔的订单让这家公司3nm制程工厂的产能利用率一度超过100%，但三星目前却未得到任何大厂的青睐。就在一周前，三星在加州圣何塞举办的“晶圆代工论坛”上公布了最新的代工工艺路线图，按照计划，三星DS部门将在2027年完成SF2Z（2nm）工艺的量产工作，三星方面表示，这一节点将极富创新性地采用背面供电网络技术。以此看来，三星的豪赌仍在继续。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435956.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435956.htm