上海微电子据报成功研制出中国首台28纳米光刻机

上海微电子据报成功研制出中国首台28纳米光刻机统筹上海张江科学城开发建设的张江集团透露，中国半导体装备制造商上海微电子已成功研制出28纳米光刻机。上海张江（集团）有限公司星期二（12月19日）在集团微信公众号“你好张江”发文称：“作为国内唯—一家掌握光刻机技术的企业，上海微电子已成功研制出28nm光刻机。”中国“钛媒体”称，张江集团公布的这一消息，标志着中国最新28纳米前道光刻机研发进展首次被官方披露。张江集团是一家统筹承担张江科学城开发建设、项目引进等重要功能的国有独资公司，隶属于上海市浦东新区政府监管单位。天眼查信息显示，张江集团是上海微电子的第四大股东。消息传出后，张江集团股价飙升了8%。不过，张江集团之后对文章进行了修改，目前的文章中拿掉了关于28纳米的表述：“作为国内唯一一家掌握光刻机技术的企业，上海微电子致力研制先进的光刻机。”上海微电子（SMEE）成立于2002年，是由中国多家产业集团和投资公司共同投资组建的高科技股份有限公司。公司主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务。在美国去年加大力度遏制中国芯片产业发展的背景下，美国商务部将上海微电子列入黑名单。另据彭博社报道，虽然28纳米芯片于2011年首次问世，但上海微电子的最新成果意味着中国可能已将与该领域领先者的差距缩小了几年。此前，中国自己的光刻技术落后荷兰公司约20年。尽管现在的光刻技术更加成熟，28纳米芯片对于智能手机和电动汽车等众多产品仍然至关重要。2023年12月20日3:55PM

俄罗斯首台光刻机 真的制造成功了？

俄罗斯首台光刻机真的制造成功了？当时，IPFRAS计划在六年内打造出俄罗斯自产7nm光刻机的工业样机，2024年将创建一台“Alpha机器”，2026创建"测试机"，2026年～2028年俄罗斯本土光刻机将获得更强大的辐射源，改进的定位和进给系统，并将开始全面的工作，2028年，这些设备全面运行。时隔两年，俄罗斯所说的真的实现了——首台光刻机正式制造成功并进入测试。有实际意义的突破据塔斯社报道，俄罗斯第一台能够生产最大350nm（行业一般说0.35μm）尺寸芯片的光刻机已经创建并正在测试中。俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·什帕克（VasilyShpak）在CIPR期间向塔斯社报告了这一点。他表示，“我们组装并制造了第一台国产光刻机。作为泽廖诺格勒技术生产线的一部分，目前正在对其进行测试。”俄罗斯接下来的目标是在2026年制造可以支持130nm工艺的光刻机。去年10月有报道称，第一台俄罗斯国产130nm光刻机原型可能在2026年之前问世。再下一步，将是开发90nm光刻机。他说："我们将继续逐步向90nm及以下迈进。因此，俄罗斯不会止步于此，同时已经在实施一项全面的电子工程项目。尽管350nm的芯片虽然被认为是大尺寸芯片，但仍具备一定实际的意义，可用于许多行业，包括汽车行业、能源和电信行业。欧盟此前在俄罗斯武器上发现大量民用芯片，包括洗衣机，洗碗机等家电用具，这也是无奈之举。而接下来，或许俄罗斯可以进而实现“洗衣机芯片”自由。网友也给出了俄罗斯未来的路线：优化一下，就能180nm，看产出，每小时出几片，套准精度3-sigma多少纳米。加上doublepattern，其他指标ok，就能90nm，65nm也有机会了。光源改进一下，i-line换ArF193纳米，不就进28nm了吗？不过，目前还不太清楚俄罗斯所说的350nm（0.35μm）光刻机是哪种类型光刻机，此前俄媒曾提到过基于同步加速器和/或等离子体源”的无掩模X射线光刻机，而从目前来看350nm（0.35μm）的波段达到i线（365nm）。各个工艺节点和光刻技术的关，图源丨中泰证券350nm芯片，什么水平历史上，350nm（0.35μm）诞生于1995年，现在依然拥有产品应用，主要是一些不太刚需制程的特色工艺产品，比如模拟芯片、功率半导体、传感器或者低端MCU、军工产品。除此之外，其应用可能还包括各类FPV和“自杀小摩托”这些属于一次性用品，使用时间比较短。作为对比，半导体制程工艺发展史简单总结如下：1971年，10μm工艺是当时最高工艺，代表芯片是Intel1103DRAM、4004CPU（1971）、8008CPU（1972）;1974年，步入6μm工艺，大名鼎鼎的Intel8080便采用这一制程；1977年，3μm工艺开启元年，从此x86处理器Intel8086（含8085、8088）正式诞生；1982年1.5μm工艺用在Intel80286上，1985年1μm工艺用在Intel80386上，1989年，0.8μm工艺用在Intel80486上；1995年，0.35μm（也就是350nm）工艺开启元年，PentiumP54CS、IBMP2SC（1996）、IBMPOWER3（1998）都采用了这一工艺；1997年，主节点为0.25μm工艺，开始引入国际半导体技术路线图（ITRS）主节点和半节点定义，即：1998年半节点220nm工艺，1999年主节点0.18μm工艺（180nm），2000年半节点150nm工艺；2001年，130nm是当时的主节点，典型芯片是130nm的奔腾3处理器，2002年半节点为110nm工艺；2004年，步入90nm元年，英特尔、英飞凌、德州仪器、IBM、联电和台积电基本都能达到90nm，典型芯片包括90nm的奔腾4处理器；2012年，制程步入22nm阶段，此时英特尔，联电，联发科，格芯，台积电，三星等厂商都具备生产能力；2015年联电止步于14nm，2017年英特尔卡在了10nm，2018年格芯放弃7nm，此时先进制程的战场只剩下台积电和三星；2019年6nm量产导入，2020工艺5nm开始量产，而国内也开始量产14nm芯片；2024年，随着英特尔开始重新重视制程技术，英特尔、台积电、三星正在争夺2nm的先发地位。当然，毕竟350nm（0.35μm）芯片性能较差，面对现代比较复杂的应用需求，使用过程中芯片热量会急剧增加，从而继续带来更大的性能损耗，因此在数字芯片中更多可能是将就用，比较追求性能的消费产品可能更是无法使用。难点还有很多当然，芯片制造也不是说有了光刻机就行了。《光刻技术六十年》中写道，在芯片制造的全流程中，整个过程涉及几十道光刻工艺，每一道光刻工艺之后紧接着是众多复杂的半导体IC平面加工工艺。这些工艺中的每一道又细分成多道工序，而每一道工序又由多个步骤组成，每一步骤都至关重要，不容有失。这有多难？就比如，看似最简单的基片表面处理和清洗步骤，也需要重复多次，其中一步出了问题，整个IC制造过程就全部报废。因此，每一步骤出问题的可能性被严格控制在0.000001%以下。由于每一步骤都是在前一步的基础上进行的，最终成品率是每一步成功率的乘积。若整个流程包含超过两千个步骤，即使每一步都能达到99%的成功率，最终生产出来的成品率也只有0。因此在芯片制造技术中，好的设备很关键，尤其是需要高精度的光刻机，但有了好的工艺设备后，人才是最关键的。在芯片制造技术中，最难的在于如何建立一个能够齐心协力的团队，这需要整个公司上上下下所有人都是最敬业的。世界上没有任何一个人为制造出来的东西，可以像芯片这样要求百分之百精准度。3月，Tomshardware就曾报道，受欧美制裁影响，俄罗斯本土最大芯片设计厂商贝加尔电子芯片制造只能更多的交由国内厂商，当地的芯片封装合作厂商的生产良率仅有50%。注意，这里并非生产良率，而是封装良率。如果晶圆制造厂、Foundry厂和封测厂三个站点的良率均为99%，则：总良率=99%X99%X99%=97%。所以，50%的封装良率切实影响着俄罗斯的芯片生产，因此，俄罗斯要突破的还有很多。最后还是要说，不要轻易取笑，毕竟有志者事竟成。而从从技术角度来看，俄罗斯也是在重新发明轮子。付斌丨作者...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432431.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432431.htm

俄罗斯完成制造首台 350 纳米制程的光刻机

俄罗斯完成制造首台350纳米制程的光刻机俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试，俄罗斯联邦工业和贸易部副部长VasilyShpak指出，该设备可支持生产最终到达350纳米工艺的芯片。Shpak告诉媒体：“我们组装并制造了第一台国产光刻机。作为泽廖诺格勒技术生产线的一部分，目前正在对其进行测试。”俄罗斯接下来的目标是在2026年制造可以支持130nm工艺的光刻机。——

首台28nm国产光刻机有望年底交付 华为已拿下EUV光刻专利

首台28nm国产光刻机有望年底交付华为已拿下EUV光刻专利近日有消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为DUV、EUV两大类，目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。后道光刻机用于芯片制造后的封装，实现高性能的先进封装，技术难度相对较小。面板光刻机用于生产屏幕面板，最先进工艺只能达到55-32nm，属于低端光刻机，但因为屏幕面板相对结构简单，集成度要求不高，对于光刻机分辨率的要求也不高。上海微电子装备(集团)股份有限公司(简称SMEE)成立于2002年，定位为“富有国家使命的公司”，主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务，产品广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、电源元件等制造领域。在最先进制程的EUV光刻机方面，我国相比于外国起步晚了50年，即使是最好的上海微电子也与国外巨头存在很大的差距。但在非最先进制程的中高端光刻机方面，上海微电子已经具有自主生产、成熟稳定的产品，有着较高的市场占有率，即将交付的SSA/800-10W光刻机就属于这一系列的最新产品。另外，上海微电子还有2.5D/3D封装光刻机，精度在0.6微米左右，和前道光刻机有差距，但依然属于世界领先水平。其实，芯片制造除了光刻，还有各种平行技术，如纳米压印等，在材料上也可能用其他的代替传统硅片作为基底，只是技术难度和成本付出是巨大的。上海微电子此前就曾公开表示，在泛半导体方面有所研究，有多个技术路线，但是具体细节不能透露。当然了，光刻机只是整个半导体制造产业链中的一环，还涉及到光刻胶、光刻气体、光源、物镜、涂胶显影、光掩膜版等诸多环节，我国也都有多家公司在积极突破，提高国产率。有数据显示，当前我国在清洗、热处理、去胶设备的国产化率分别达到34％、40％、90％，在涂胶显影、刻蚀、真空镀膜的国产化率达到10-30％，在原子层沉积、光刻、量测检测、离子注入的国产化率暂时低于5％值得一提的是，华为也在光刻机技术上积极投入，并取得了不俗成果，比如去年底就披露了名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”的专利，涉及到EUV光刻关键技术。根据专利描述，这种反射镜、光刻装置及其控制方法涉及光学领域，能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。反射镜的反射面包括多个微反射面，而多个微反射面中包括第一微反射面，以及与第一微反射面相邻的第二微反射面，两个微反射面之间具有高度差。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1374325.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1374325.htm

中国唯一在真正研发光刻机的机构上海微电子到现在只能生产90纳米光刻机。2020年宣布2021年交付28纳米光刻机，没下文了。现在

中国唯一在真正研发光刻机的机构上海微电子到现在只能生产90纳米光刻机。2020年宣布2021年交付28纳米光刻机，没下文了。现在又宣布今年年底交付。即使真能交付，和能量产、质量稳定也是两回事。国外2011年已量产28纳米芯片。但如果中芯因为华为被制裁，以后中国就要靠这款期望中的国产28纳米光刻机。但国外咨询机构早扒过，这款光刻机的中国供应商仍然要靠外国提供必需的配件，美国仍然随时可制裁。一个国家想搞完全国产的光刻机是痴心妄想。阿斯麦生产一台EUV光刻机要由24个国家的500多个供应商提供45万个配件。