华为计划在上海建芯片厂,目标2022年可生产20nm级芯片

华为计划在上海建芯片厂,目标2022年可生产20nm级芯片金融时报报道,华为正计划在上海建设一家不使用美国技术的芯片工厂。据熟悉该项目的人士的话称,该制造厂预计将从制造低端45纳米芯片开始。报道称,华为的目标是在2021年底之前为"物联网"设备制造28纳米芯片,并在2022年底之前为5G电信设备生产20纳米芯片。报道称,华为没有制造芯片的经验,该工厂将由上海市政府支持的上海集成电路研发中心有限公司(ICRD)运营。via养肥了再说

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奇客资讯|应对美国制裁华为考虑建芯片厂

FT 援引知情人士的消息报道,华为正计划在上海建造一座不使用美国技术的芯片工厂,以确保其核心 5G 电信基础设 […]

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美媒:台积电计划在美国再建一个大型晶片厂

美媒:台积电计划在美国再建一个大型晶片厂美国媒体称,台积电计划在美国亚利桑那州再投资数十亿美元,建立又一座大型晶片工厂。美国《华尔街日报》星期三(11月9日)引述匿名知情人士称,台积电计划在未来几个月内宣布将在亚利桑那州凤凰城北部再建造一座尖端的半导体工厂,毗邻该公司2020年承诺建造的首座工厂。熟悉该建造计划的知情人士还说,台积电的新工厂将生产目前最微小、最快速的晶体管之一的3纳米晶体管。他们还透露,此次建厂的投资规模,预计将与两年前的120亿美元(约168亿新元)大致相同。报道称,台积电的这一决定是在华盛顿同意向半导体制造商提供补助金,以使先进的制造业回到美国本土后,该公司对在美国制造晶片所下的大赌注。为了将晶片制造重心从亚洲转移出去,美国和欧洲近期均推出了建厂激励措施,其中美国今年推出“晶片法案”,拨款数百亿美元提高半导体生产,同时为投资兴建晶片厂的业者提供投资税减免。另一方面,虽然今年疫情带来的电子产品购买高峰褪去,晶片需求出现萎缩,使包括台积电在内的许多制造商削减了近期资本支出,但此次扩建则是台积电对需求长期乐观的一个表现。台积电此前曾透露,公司计划于12月在亚利桑那州举行仪式,在其两年前宣布的工厂中安装第一批生产设备。台积电当时称,将在该工厂生产5纳米的晶片,不过据熟悉此事的人透露,台积电目前准备在该工厂生产更先进的4纳米晶片,并具有更大的产能。该工厂预计将于2024年投入大规模生产。台积电没有回应《华尔街日报》的置评请求。美国10月推出迄今为止最严格的半导体产业出口禁令,以打压中国大陆的晶片产业。此外,紧张的台海关系也令美国对台积电在台湾的生产设施感到担忧。报道称,虽然台积电一直在台湾本土建设最先进的设施,但也探索在其他地区进行生产,包括考虑扩大其在日本的生产设施,并正在考虑在新加坡建设一个价值数十亿美元的工厂等。受利好消息影响,截至发稿时,台积电股价上涨4.5%,报每股417新台币(约18.4新元)。发布:2022年11月9日3:41PM

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报道称特斯拉计划在上海投产第二工厂

报道称特斯拉计划在上海投产第二工厂5月4日,有报道称,特斯拉在给上海市政府的感谢信中表示,计划通过在上海投产一个新工厂,让当地产能提高一倍,从而将其打造为特斯拉全球最大的汽车出口中心。不过,特斯拉中国有关人士5月4日下午对记者称,目前没有针对特斯拉上海第二工厂的消息可以提供。另外,上海临港先进制造片区K02规划草图显示,在目前特斯拉上海超级工厂边上一块70.6公顷的土地,有望建设新项目。——上海证券报

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传台积电计划在日本建第二家晶圆厂 总投资超514亿元

传台积电计划在日本建第二家晶圆厂总投资超514亿元据报道,台积电正在就政府补贴和客户投资进行谈判,细节预计将在年底前确定。此前在台积电法说会中,对于海外设厂的计划,魏哲家表示,台积电正考虑在日本建设第二家工厂,正考虑在欧洲建设汽车芯片厂。对于美国厂的进度,魏哲家指出,亚利桑那州厂将于2024年量产4纳米制程,2026年量产3纳米制程。台积电提及依据客户需求和政府支持水准,公司28纳米及以下的海外产能,可能在五年或更长时间内,达公司28纳米及以下产能总额的20%或以上。此外有消息称台积电已表示将与索尼集团公司合作建设其在日本的新设施。但熊本厂合作伙伴索尼表示,双方尚未讨论台积电“日本二厂”事宜,且表示美日荷对华禁令对业绩影响轻微。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1346155.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1346155.htm

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中芯国际正在为华为5nm SoC建立新生产线 最早今年投产

中芯国际正在为华为5nmSoC建立新生产线最早今年投产麒麟9000S采用中芯国际的7nm工艺量产,为Mate60系列提供动力,在取得成功之后,华为需要继续保持这一势头。随着Mate70系列发布日期的临近,华为必须开发出性能更强、效率更高的芯片,在各方面超越麒麟9000S的性能。虽然按目前的条件,麒麟9000S难以赢得任何性能或省电奖项,但它在没有外部公司帮助的情况下实现量产的事实,在这个行业是一个令人印象深刻的壮举。据报道,为了实现5纳米芯片的生产目标,中芯国际将重新利用现有的DUV设备进行大规模生产。此前曾有传言称这家中国公司将走这条路,但一位芯片行业人士称,虽然量产5纳米芯片组完全有可能,但代价将是低产量和昂贵的生产成本。就在不久前,有报道称荷兰EUV设备制造商ASML被禁止向中国公司提供制造尖端芯片所必需的先进设备。在这一重大挫折面前,中芯国际和华为几乎别无选择,只能使用当前一代的硬件,但这一计划在未来推出5纳米麒麟SoC时能取得多大成功呢?此前传闻华为正在为即将推出的P70家族准备麒麟9010,但光刻技术细节并未共享。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1416549.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1416549.htm

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台积电据报考虑在日本建第三工厂生产三纳米芯片知情人士透露,台湾半导体巨头台积电考虑在日本建设第三座芯片工厂,生产先进三纳米芯片。这可能使日本成为一个重要的全球芯片制造中心。彭博社引述知情人士说,台积电已经告知供应链合作伙伴,其考虑在日本南部的熊本县建设第三个工厂,项目代号台积电Fab-23三期。台积电目前正在日本建设第一个工厂,生产性能较低的芯片。据此前报道,台积电还计划建设第二座芯片工厂。目前尚不清楚何时开建第三工厂。三纳米芯片制程是目前商用的最先进芯片制造技术,不过等到新工厂量产时,三纳米可能会落后届时最新技术一至两个世代。台积电在电邮声明中说,该公司进行必要投资以满足客户需求。“在日本,我们目前专注于评估建设第二工厂的可能性,没有其他信息可以提供。”2023年11月21日1:33PM

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