三星逆势增资 拿下苹果中国闪存供应

三星逆势增资拿下苹果中国闪存供应但是，提价10%很可能并非三星电子的主要诉求。从各种迹象看，三星将于年内开启其闪存大幅降价的大幕。从逆势增资扩产，到大幅降价，个中原因，不问可知。逆势增资：三星心路人知受低迷的存储芯片市场影响，三星电子利润受到打击，但三星电子半导体投资扩产却没有停滞。全球存储器市场结构怎样？据英国市场追踪机构Omdia统计数据显示，截至2021年，三星在DRAM市场份额为42.7%，其次是SK海力士的28.6%和美光的22.8%；NAND闪存方面，截至2022年Q2，三星电子拥有33.9%的市场份额，位列全球第一；通过收购IntelNANDFlash闪存业务，SK海力士组建了新公司Solidigm，市场份额升至19.9％，紧随三星电子之后排名第二。值得一提的是，三星电子在NADA闪存市场获得全球第一的市场地位，源自在2006-2009年一系列NADA闪存诡谲风云中三星的逆势增资扩张。这是一次极为成功的逆势“加仓”之后的惊人逆袭。三星电子在行业低迷期扩大投资规模，最终击败当时市场份额领先于三星电子的对手，比如德国奇梦达、日本“国家队”尔必达和东芝。这次成功经验，充分解释了三星电子再次遇到行业低迷期，为何仍敢于逆势增资扩产的信心迷局。2022年，半导体行业进入下行周期，存储市场占据半导体约30%的比例，故受到较大行业下行影响：包括三星电子、美光和SK海力士在内的多家存储厂商均出现亏损。因此，行业风格保守，一众巨头也开始收缩业务。比如美光计划将2023财年投资额，从2022财年的120亿美元，下调至70亿-75亿美元；同时，还将大幅减少2024财年的资本支出；SK海力士也在2022年10月宣布，2023年的设备投资预算幅度，将比2022年减少超过50%。但是三星例外，其投资风格极为激进，这与美光和SK海力士因市场低迷而收缩业务规模的做法，显得格外与众不同。公开消息显示，三星电子已决定，在2023年提升其存储器和晶圆厂10%的产能。这些产能也有部分来自中国的三星新投资项目。1月12日，华尔街见闻从供应链了解到，三星西安三期项目12寸（300mm）晶圆厂将于2月中旬开工。这个项目原本定于2022年12月启动，但受内外多种因素影响，故而有所延期。三星电子西安三期项目总投资高达3000亿元人民币。目前，这个工厂的定位是三星电子NAND闪存半导体的生产基地，与前两期项目的产能合并后，将占据三星电子NAND全球总产能的40%。前两期项目已达产，每月生产12英寸晶圆量达25万张，年营收高达1000亿元人民币。与台积电或英特尔均已做出的减产计划相比，三星电子同样属于逆势“加仓”。此举说明三星电子野心极大，既想称霸存储器市场，也想在晶圆代工领域反超台积电。除了中国项目，三星电子将对在韩国京畿道平泽市第一工厂（P1）的NAND闪存设备做升级。P1的NAND线预计将改造为V8（238层）NAND量产线，可加工约3万张晶圆。此前，有消息称，三星电子可能会在2023年下半年，投资已完成外装工程的平泽4号厂房（P4）一期工程新的NAND生产线。据中国台湾市场研究公司TrendForce的统计数据，截至2022年底，三星电子NAND晶圆月产量约为64.5万张。就半导体投资而言，三星电子决定在所有领域都保持2021年的水平。另据英国市场研究公司Omdia的数据显示，NAND市场价值约为665亿美元。鉴于此等规模的市场前景，三星或许想通过增加NAND产能，以挤压或吞并规模较小的行业企业。目前，在NAND领域，仍有6-7家企业在争夺全球范围内的市场份额。手段：提价、扩产、降价1月6日，这家韩国市值最高的公司对外表示，2022年10月-12月季度营业利润可能同比下降69%，低于市场预期的38%降幅，创下2008年同季度以来的最大降幅纪录。与2022年三季度相比，用于智能手机和其他设备的NAND闪存基准在2022年四季度期间，跌幅达到14%。可以说，三星电子面临行业低迷和公司业绩下滑的双重压力，却仍在逆势增资扩产。这家公司表示，将继续从中长期的角度为市场复苏做准备。由上文可知，三星对逆势投资有过成功经验。多年来，三星常常在行业不景气时期做巨额投资，以在下一个繁荣时期击败竞争对手，从而引领全球内存市场。俗话说，手中有粮，心中才能不慌。三星敢于逆势大举增资，底气来自其拥有的规模庞大的现金储备。截至2022年9月底，三星持有约128.8万亿韩元（约合1010亿美元）现金，约是其竞争对手SK海力士或美光的10倍。韩国政府也很给力。韩国在2023年1月3日宣布，计划将半导体和电池等战略技术资本支出的税收减免，从8%扩大到15%，接近翻倍。除了想靠技术实力、产能规模压制对手，复制2006-2009年的那次成功逆袭，还有个重要原因，即三星电子已成功进入苹果NAND闪存供应链。此事得益于中国本土一家NAND闪存巨头遇到的众所周知的技术限制。这家中国公司在遭遇技术约束后，三星电子成为了苹果公司在中国的NAND存储芯片替代供应商。华尔街见闻获悉，三星电子位于西安的NAND闪存工厂将为苹果供应NAND闪存。目前，这个工厂的三期工程将于2月动工。值得一提的是，不久前，三星电子官宣其闪存产品将提价10%，而部分中国公司已接受这一报价。但是，据公开报道显示，三星电子可能会于2023年开启包括NAND闪存在内的大幅降价，以进一步提高在全球存储芯片市场的份额。对NAND技术、产能和价格三者之间关系的理解，也能从另一个角度解释三星电子为何逆势增资的意图。在NAND领域，NAND制造商做的激烈技术角逐，集中在增加垂直层数方面。SK海力士和美光都已推出200多层的NAND技术，但三星认为，“重要的不是层数，而是产能以及专注于提供具有价格竞争力的更优解决方案”。说是这么说，但三星并没有放松NAND的技术迭代，其技术水平也极为高超。目前，三星电子生产的第八代V-NAND高达230层；第9代V-NAND也已在研发过程中，预计2024年量产。2030年，三星将推出高达1000层的V-NAND产品。鉴于DRAM的对于消费电子级的重要性，三星也在重兵布局这个方向。为推进10nm范围以外的微缩，三星电子正在开发图案、材料和架构方面做持续突破。2022年底，三星官方透露，其即将推出的DRAM解决方案包括32GbDDR5DRAM、8.5GbpsLPDDR5XDRAM和36GbpsGDDR7DRAM。三星还谈到了HBM-PIM、AXDIMM和CXL等定制DRAM解决方案。此外，三星计划到2030年实现亚纳米DRAM。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1339185.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1339185.htm

欧洲议会通过法案　将大幅提高自产晶片供应量

欧洲议会通过法案将大幅提高自产晶片供应量欧洲议会正式批准有关欧盟大幅增加自制半导体供应量的计划，以减少对亚洲的依赖。欧洲议会以587票赞成、10票反对批准《欧盟晶片法案》，目标是在2030年之前，将晶片产量提升四倍，让欧盟晶片在全球的比重达到百分之20。为了实现这个目标，欧盟必须投入超过430亿欧元的公共与民间投资。而法案也要求欧盟在研发领域投入33亿欧元预算。2023-07-1202:51:58

Chaos Labs 发起提高 Arbitrum 上 AaveV3 部分资产供应和借款上限的 ARFC 提案

ChaosLabs发起提高Arbitrum上AaveV3部分资产供应和借款上限的ARFC提案5月22日消息，Aave官方治理论坛显示，ChaosLabs发起提高Arbitrum上AaveV3部分资产供应和借款上限的ARFC提案，包括：将WETH供应上限从84,000提升至100,000，借款上限从72,000提升至90,000；将USDC供应上限从2亿提升至3亿，借款上限从1.8亿提升至2.7亿；将WBTC供应上限从4,200提升至5,000，借款上限保持1,100。该提案若获社区投票通过，ChaosLabs将通过RiskSteward流程推进并实施这些更新。