三星电子改组新设HBM芯片研发团队

三星电子改组新设HBM芯片研发团队在全球人工智能市场的规模持续扩张的背景下,三星电子进行大规模改组,组建一个专注于高带宽存储器(HBM)的研发团队,力争在半导体市场确保“超级差距”。据业界4日消息,三星电子负责半导体业务的设备解决方案(DS)部门当天进行改组,新设HBM研发组。三星电子副社长、高性能DRAM(动态随机存取存储器)设计专家孙永洙担任该研发组组长,带领团队集中研发HBM3、HBM3E和新一代HBM4技术。此外,三星电子还对先进封装(AVP)团队和设备技术实验所进行重组,以提升整体技术竞争力。——

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三星组建 HBM 产能质量提升团队 加速 AI 推理芯片 Mach-2 开发

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三星电子股价上涨 英伟达着手验证测试其 HBM 芯片

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路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试

路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试HBM即高带宽存储器,这是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,主要适用于高存储器带宽需求的场景组合,尤其是图形处理器、网络交换和转发设备。英伟达的AI加速产品都需要极高的带宽来提高性能,因此英伟达最初与SK海力士达成合作,由后者独家供应HBM3内存芯片。不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的HBM3内存芯片,三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题,目前英伟达的主力供应商仍然是SK海力士。消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的HBM3和HBM3E的测试,其中8层和12层的HBM3E芯片最近的一次失败测试结果在4月公布。既然没有成功通过英伟达测试,那么三星电子自然还不算是该芯片的供应商,这种情况似乎也凸显三星在HBM芯片上落后于SK海力士和美光了。当然英伟达有自己的测试标准,三星其实也已经向其他客户供应此类芯片,可能是英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题,只能看着SK海力士和美光了。注:HBM3:指的是HBM第三个标准,每个标准里面还有不同的“代”比如HBM3E,所以这里指的并不是第三代。相关文章:SK海力士正在HBM内存芯片领域处于领先地位三星为此撤换芯片主管...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432158.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1432158.htm

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消息称由于HBM产量令人失望三星正在购置新设备该出版物提出"三星落后于(竞争生产商)的原因之一是,它决定坚持使用会导致一些生产问题的非导电膜(NCF)芯片制造技术,而海力士则转而采用大规模回流模压填充(MR-MUF)方法来解决NCF的弱点"。报道称,三星正在订购新的MUF相关设备。一位匿名消息人士称:"三星必须采取一些措施来提高其HBM(生产)产量......采用MUF技术对(他们)来说是一件有点咽不下这口气的事情,因为它最终沿用了SKHynix最早使用的技术。"路透社设法从这家韩国跨国巨头那里得到了回应--公司发言人表示:"我们正在按计划开展HBM3E产品业务。他们表示,NCF技术仍然是"最佳解决方案"。文章发表后,官方又做出了回应:"关于三星将在其HBM生产中应用MR-MUF的传言并不属实"。内部人士透露接下来团队会经历漫长的测试阶段--据传三星正在采购MUF材料,但预计量产不会在今年开始。三位消息人士称,三星计划在新一代HBM芯片中"同时使用NCF和MUF技术"。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1423718.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1423718.htm

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三星电子HBM芯片据悉尚未通过英伟达测试,涉及发热和功耗问题知情人士称,由于发热和功耗问题,三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片尚未通过英伟达的测试,无法用于后者的人工智能处理器。据悉,这些问题涉及三星电子的HBM和HBM3E产品。三星电子在一份声明中表示,HBM是一种定制的内存产品,需要根据客户的需求进行优化,“我们正通过与客户的密切合作优化产品”。该公司拒绝就具体客户发表评论。

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