三星前高管狱中信否认为在中国建厂窃取数据

三星前高管狱中信否认为在中国建厂窃取数据韩国检方上个月以窃取商业机密为由逮捕一名三星前高管，目前正被关押在拘留中心的涉案高管崔镇石向路透社寄出手写信，否认检方的指控。据路透社星期五（6月30日）报道，这是崔镇石（音译，ChoiJinseog）自5月25日被拘留以来，首次向媒体发表评论。崔镇石在信中详细阐述了自己的辩护计划，并说对于他在中国西安三星半导体晶片厂附近成立山寨版半导体厂的指控并未得到证实。韩国水原地方检察厅逮捕崔镇石时说，崔从2018年至2019年间，滥用职权非法获得三星工厂的设计图和洁净室的设计，然后将这些设计带到中国西安市附近，并试图复制一家半导体厂，最终却因富士康取消投资而没有成功。崔镇石目前被关押在水原市的一个拘留中心，水原市位于首尔以南，是三星总部所在地。崔镇石此前通过律师否认了所有指控。崔镇石在信中说，该工厂原本计划是为富士康修建，用于DRAM内存芯片的早期测试生产，而三星位于西安的工厂则旨在生产NAND闪存芯片。他说，DRAM的工艺更复杂，与制造NAND闪存芯片的不同之处超过30%，而且制造这两种芯片所使用的一些设备也不同。崔镇石还写道，他的计划是建立一条研发芯片生产线，他不需要复制三星为大规模生产而设计的芯片设施。“我们计划建造的是研发工厂，而（三星）西安工厂没有研发工厂。当没有研发工厂可以复制时，就没有理由复制。”崔镇石还驳斥了检察官关于他想在西安建造山寨工厂的说法，称在权衡了包括西安在内的几个城市后，计划是在青岛建造一家工厂。青岛市和西安市政府均未回应路透社的置评请求。本案检察官也拒绝在7月12日开庭前对崔镇石书信的内容发表评论。

欲在华设山寨版晶片厂 三星前高管涉盗取机密被起诉

欲在华设山寨版晶片厂三星前高管涉盗取机密被起诉前三星电子高管涉嫌盗取公司机密，意图在中国设立山寨版三星电子半导体工厂的A某被逮捕和起诉。韩联社报道，韩国水原地方检察厅星期一（6月12日）宣布，以违反《产业技术保护法》和《不正当竞争防止法》的罪名将A某逮捕和起诉，并以涉嫌违反《不正当竞争防止法》等罪名，针对A某在中国设立的公司所属五名职员和涉嫌泄露设计图的三星电子合作公司一名职员，共六人进行不捕直诉。A某涉嫌从2018年8月起至2019年，以不当手法获取并使用三星电子半导体工厂基本工程数据（BasicEngineeringData）、工艺流程图、设计图等信息。涉案技术为用于制造30纳米以下动态随机存取存储器（DRAM）和闪存晶片（NAND）的制程工艺，属于国家关键技术。当局调查后发现，A某试图在距离三星电子西安半导体工厂仅1.5公里处兴建山寨版三星晶片厂。由于台湾一家电子产品制造商曾承诺的8万亿韩元（约83.3亿新元）投资落空，工厂建设项目没能实际进行。但据悉，A某曾在成都获得4600亿韩元投资建设半导体制造工厂，工厂的研发楼已于去年完工，并采用三星电子半导体技术生产出了样品。A某曾任三星电子常务、SK海力士副社长等职务，是韩国半导体制造领域具有权威地位的人物。他在华设厂后，录用200名三星电子、SK海力士的员工，并指示他们获取并利用三星电子半导体设计资料。检方推算，A某泄露技术导致三星电子蒙受至少3000亿韩元损失。

三星前高管被控窃取商业机密以在中国复制一家芯片工厂

三星前高管被控窃取商业机密以在中国复制一家芯片工厂一名前三星电子高管因窃取这家芯片公司的蓝图和设计以试图在中国创建一家半导体工厂的精确复制品而被捕并被起诉。韩联社报道称，这名不愿透露姓名的65岁男子被控违反韩国《工业技术保护法》和《防止不正当竞争法》。该男子被指控在2018年8月至2019年期间窃取商业机密，包括芯片工厂基本工程数据(BED)以及工艺布局和设计图纸，因此可以在提供支持的情况下在北方城市西安复制一家这样的工厂，在这过程中需要BED数据以确保制造设施中不存在杂质。有趣的是，有可能使用这一图纸的工厂将建在距离现有设施1.5公里（不到一英里）的地方。一家身份不明的台湾公司曾承诺向该项目投资62亿美元，但未能兑现。相反，这名男子从一群中国投资者那里获得了3.58亿美元，并开始在成都的一家芯片厂生产试用三星技术的产品。在转到另一家公司之前，被告在三星工作了18年。他利用中国和台湾投资者的资金在中国和新加坡创建了芯片制造公司。他还从三星和SK海力士雇佣了大约200名员工。据称三星因盗窃损失了约2.33亿美元。其他六人，包括三星电子的一名员工和前高管创立的一家中国芯片制造商的五名员工，也因串通涉嫌技术泄露而被起诉。今年早些时候，美国司法部宣布了颠覆性技术打击力量计划，其中有五起案件涉及出口和商业机密违规行为。其中一个涉及一位前苹果软件工程师，他窃取了与库比蒂诺自动驾驶汽车项目相关的商业机密，然后才在中国的同一行业找到工作。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1364885.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1364885.htm

四名现任和前任三星员工被指控盗窃半导体技术而受到起诉

四名现任和前任三星员工被指控盗窃半导体技术而受到起诉韩国检察官已经起诉了电子巨头三星集团的四名现任和前任员工，指控他们从这家韩国企业集团窃取高价值的半导体技术并将其泄露给海外公司。官员们说，首尔中央地区检察官办公室已经起诉了两名三星工程公司的研究人员和另外两名前三星工程师，他们被指控违反了不公平竞争预防法和工业技术保护法，并已被拘留。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1331085.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1331085.htm

韩驻华使馆：三星西安半导体厂正常运转

韩驻华使馆：三星西安半导体厂正常运转韩国驻华大使馆高官昨天与韩国记者座谈时说，在中国陕西省西安市采取严格疫情防控措施导致大批当地工厂停运的情况下，三星电子和三星SDI设在当地的半导体工厂和电池工厂保持正常运转。韩联社引述这位未具名的韩国驻华大使馆高官说，目前西安当地企业经营活动受限，导致几乎所有工厂暂停运营。但得益于西安市政府采取的特别措施，三星电子半导体工厂和三星SDI电池厂正常运转。据韩联社早前报道，由于西安市实行了封闭式管理，与外界交通几乎切断，三星电子设在当地的半导体工厂已进入紧急运营状态，确保工厂正常生产。三星电子西安工厂是三星在海外唯一的半导体存储器生产基地，负责三星闪存芯片（NAND）产量的四成。过去几周出现多起冠病病例的西安，上周四（23日）起实行封闭式管理，以遏制疫情扩散。发布：2021年12月28日8:15PM

三星电子将获美政府64亿美元芯片补贴

三星电子将获美政府64亿美元芯片补贴美国政府15日公布，决定将向在得克萨斯州兴建半导体工厂的三星电子提供64亿美元补贴。美国商务部长吉娜·雷蒙多前一天在记者会上表示，为帮助三星电子在得州建厂，政府将根据《芯片与科学法案》向三星提供64亿美元补贴。基于此三星电子将向得州泰勒市投资170亿美元，扩大兴建中的半导体工厂规模和投资对象，直至2030年共投资450亿美元。这比原先计划的投资规模多出一倍以上。三星电子2022年起在泰勒市兴建的半导体工厂用地额外投建新工厂，新设封装设备和尖端研发设备，据此全面进军美国市场。三星的泰勒首家工厂将从2026年起生产4纳米和2纳米芯片，第二工厂将从2027年起量产尖端芯片，研发工厂也将于2027年投产。