【涉专利侵权！中国最大闪存芯片制造商长江存储在美起诉美光】

【涉专利侵权！中国最大闪存芯片制造商长江存储在美起诉美光】据第一财经，11月11日，从#美国加利福尼亚北区法院公布的信息了解到，长江存储已于11月9日起诉美光科技有限公司及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。

涉专利侵权！长江存储在美起诉美光

涉专利侵权！长江存储在美起诉美光长江存储已于11月9日起诉美光科技有限公司（下称“美光”）及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。长江存储是国内最大的3DNANDFlash（闪存芯片制造）厂商。长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3DNANDFlash（闪存）市场来阻止竞争和创新。长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3DNAND产品。长江存储在以上起诉书中称，长江存储不再是新秀（upstart），而已成为全球3DNAND市场的重要参与者。长江存储表示，去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3DNAND闪存领域的领导者，超过了美光。标签:#芯片频道:@GodlyNews1投稿:@Godlynewsbot

长江存储在美国法院起诉美光科技侵犯专利

长江存储在美国法院起诉美光科技侵犯专利中国半导体制造商长江存储在美国加利福尼亚州北区法院对美光科技提起专利侵权诉讼。长江存储指控美光科技未经授权使用其11项专利技术，这些技术涉及3DNAND闪存芯片的多个方面。长江存储要求法院下令美光科技停止在美国销售内存产品，并向其支付专利使用费。在法庭文件中，长江存储指出美光科技的多款3DNAND闪存芯片及DDR5SDRAM内存侵犯了这些专利。关注频道@ZaiHuaPd投稿爆料@ZaiHuabot

长江存储在美起诉美光侵犯专利 专家认为赢面大

长江存储在美起诉美光侵犯专利专家认为赢面大据悉，长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3DNAND产品。去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3DNAND闪存领域的领导者，超过了美光。有相关专家表示，如果按照上述这份起诉书来看，长江存储专利几乎可以让他们赢下对美光的官司，只要法官没有偏袒的意思，这也直接展示了，中国存储巨大进步。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1396231.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1396231.htm

长江存储“亮剑” 在美起诉美光侵犯其8项3D NAND专利

长江存储“亮剑”在美起诉美光侵犯其8项3DNAND专利据悉，本次涉案的长江存储的美国专利包括：US10,950,623（3DNAND存储器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存储装置及控制方法）、US10,658,378（三维存储器件的直通阵列接触(TAC)）、US10,937,806（三维存储器件的直通阵列接触(TAC)）、US10,861,872（三维存储器件及其形成方法）、US11,468,957（NAND存储器操作的体系结构和方法）、US11,600,342（三维闪存的读取方法）、US10,868,031（多层堆叠三维存储器件及其制造方法）。长江存储在起诉书中称，美光的128层、176层等诸多系列3DNAND侵犯了长江存储上诉8项专利。美光在未经授权的情况下利用长江存储的专利技术来与长江存储进行竞争，保护其市场份额，侵犯了长江存储的利益，遏制了其创新的动力。长江存储表示，目前其已经是全球3DNAND市场的领导者。2022年11月，半导体研究机构TechInsights在一项分析后得出的结论：“长江存储所取得的成就令人惊叹，现在是3DNAND闪存领域的领导者”，“一举超越了美光”。特别值得一提的是，近年来，随着3DNAND技术堆叠到128层甚至更高，外围CMOS电路所占据的芯片面积或将达到50%以上。为了解决这一问题，长江存储在2018年推出了自研的创新的Xtacking技术。Xtacking是通过将两块独立的晶圆分别制造NAND阵列和外围CMOS逻辑电路，然后将CMOS逻辑电路堆叠在NAND阵列之上，二者之间的垂直连接则需要相应的键合技术来实现，形成间距为10μm及以下的互连，且不会影响I/O性能。另外，由于两种类型的芯片可以在不同的生产线上制造，因此可以使用各自优化的工艺节点分别生产，不仅可以缩短生产周期，还可以降低制造复杂度和成本。此外，该技术也使得每平方毫米的存储密度、性能和可扩展性可以进一步提高。目前长江存储的Xtacking技术已经进展到了3.0版本。资料显示，长江存储科成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家专注于3DNAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3DNAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking架构的第二代TLC3DNAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时*业界*最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。截至目前长江存储已在武汉、北京等地设有研发中心，全球共有员工8000余人，其中研发工程技术人员6000余人。作为国内最大的3DNAND制造厂商，长江存储经过多年的发展，目前在技术上已经达到了三星、SK海力士、美光等一线NAND技术厂商的水平，并且凭借创新的Xtacking架构实现了存储密度上的领先。不过，自去年以来，由于受到美方的打压，无法获取先进的美日荷设备，产能扩张受到了限制。此次，长江存储通过对美国存储芯片大厂美光发起专利诉讼，维护自身权益，不仅反应了自身技术的领先性，也体现了国内受制企业敢于“亮剑”的精神。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1396213.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1396213.htm

再告美光侵犯11项专利，长江存储要求停止在美销售侵权产品

再告美光侵犯11项专利，长江存储要求停止在美销售侵权产品中国3DNAND闪存制造商长江存储，日前再次将美光告上法院，指控美光侵犯了长江存储的11项专利，涉及3DNANDFlash和DRAM产品。长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。长江存储指控称，美光的96层(B27A)、128层(B37R)、176层(B47R)和232层(B58R)3DNANDFlash，以及美光的一些DDR5SDRAM产品(Y2BM系列)，侵犯了长江存储在美国提交的11项专利或专利申请。——、