【天才少年在家自制芯片：10微米的多晶硅栅极工艺上装100个晶体管】 2018 年，Sam Zeloof 还只是一名高三的学生，

【天才少年在家自制芯片：10微米的多晶硅栅极工艺上装100个晶体管】 2018 年，Sam Zeloof 还只是一名高三的学生，就已经制作了首个自制（平版印刷）的集成电路，拥有 6 个晶体管，他将其命名为“Z1”。现在，他在家中又制造了一个更复杂的Z2。 #抽屉IT

Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％

Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％ Intel 3作为现有Intel 4的升级版，带来了更高的晶体管密度和性能，并支持1.2V电压的超高性能应用，不但用于自家产品，还首次开放对外代工，未来多年会持续迭代。首先强调，Intel 3工艺的定位一直就是需要高性能的数据中心市场，重点升级包括改进设计的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联合优化等等，还支持0.6V以下的低电压、1.3V以上的高电压，以实现最大负载。为了获得性能、密度的最佳均衡，Intel还同时使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合Intel 4只有前者。客户如果有不同需求，还可以在三种不同的金属堆栈层数中选择：14层的成本最低，18层的性能和成本最均衡，21层的性能最高。此外，Intel 3工艺的EUV极紫外光刻运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。最终的结果是，Intel保证新工艺可以在同等功耗、晶体管密度之下，相比Intel 4带来最多18％的提升！Intel之前还曾表示，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。不过在关键尺寸方面，Intel 3、Intel 4是基本一致的，接触孔多晶硅栅极间距(CPP)都是50nm，鳍片间距、M0间距都是30nm，另外库高度 x CPP的面积除了12K，还增加了10.5K版本，也是为了优化性能和成本平衡。Intel 3后续还会优化推出不同的版本，针对性加强某个角度：Intel 3-T：重点引入采用硅通孔(TSV)技术，针对3D堆叠进行优化。Intel 3-E：扩展更多功能，比如1.2V原生电压、深N阱、长通道模拟设备、射频等，可用于生产芯片组、存储芯片等。Intel 3-PT：在3-E的基础上，增加9微米间距的硅通孔，以及混合键合，性能再提升至少5％，使用也更简单，可用于AI、HPC芯片以及通用计算芯片。 ... PC版： 手机版：

ℹIntel 披露 2 个严重 BIOS 漏洞，影响多款自家处理器#ClaireC

ℹIntel 披露 2 个严重 BIOS 漏洞，影响多款自家处理器#ClaireC Intel 近日披露了两个对自家处理器系列造成高严重影响的 BIOS 漏洞，而且会对旗下多款处理器造成影响，于此 Intel 也建议被波及...

【150亿晶体管的苹果A15芯片，乏善可陈】关于该芯片CPU的性能，苹果也没有提供与前代A14芯片的比较数据，而是选择将自己与竞

【150亿晶体管的苹果A15芯片，乏善可陈】关于该芯片CPU的性能，苹果也没有提供与前代A14芯片的比较数据，而是选择将自己与竞争对手的芯片进行比较，这在过往也是很少发生的。//@i冰宇宙 ：今年A15处理器CPU是属于躺平了，躺着让安卓追，也追不上。 #抽屉IT

Intel Xe HPC 架构详解，兼具计算和云游戏加速器双重用途

Intel Xe HPC 架构详解，兼具计算和云游戏加速器双重用途 上回看封装照片，以为也就十几枚晶片封装在一起。结果英特尔愣是拼了47枚以上。动用了 TSMC N5、N7 和 Intel 7 等5种节点工艺，EMIB 互联和 Foveros 堆叠也都用上了。整出一个 一千亿晶体管，45TFLOPS 的 GPU。比 NVIDIA A100的540亿晶体管19.5TFLOPS 高出一倍。 至于HPC这么复杂的拼合，与 A100那种826mm²的大尺寸晶片谁更有优势就不知道了。

Intel 3工艺开始量产 初期只用于生产至强处理器

Intel 3工艺开始量产 初期只用于生产至强处理器 Intel 3工艺相当于酷睿Ultra上使用的Intel 4工艺的升级加强版，但只会用在需要顶级性能的数据中心至强产品线，也就是至强6这一代，同时开放对外代工。酷睿产品线不会用它，Intel 4之后直接跳到全新的Intel 20A，就是下半年要发布的高性能Arrow Lake，而低功耗的Lunar Lake第一次全部交给台积电代工，核心计算模块使用台积电N3B 3nm，平台控制模块使用台积电N6 6nm。Intel之前曾公开表示，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。Intel 3的主要变化有：－ EUV极紫外光刻的运用更加娴熟，在更多生产工序中使用EUV。－ 引入更高密度的设计库，提升晶体管驱动电流，并通过减少通孔电阻，优化互连技术堆栈。－ 产量提升更快。未来，Intel还将推出Intel 3的多个演化版本，满足客户的多样化需求。－ Intel 3-T：引入采用硅通孔技术，针对3D堆叠进行优化；－ Intel 3-E：扩展更多功能，比如射频、电压调整等；－ Intel 3-PT：增加硅通孔技术的同时，实现至少5%的性能提升。 ... PC版： 手机版：