华为 66W 氮化镓充电器上架：三选二智慧接口，399 元不含充电线

华为 66W 氮化镓充电器上架：三选二智慧接口，399 元不含充电线 华为 P50、P50 Pro 两款手机均支持 66W 有线充电。但这两款手机都不赠送充电器。在手机发布后，华为超级快充 66W GaN 氮化镓充电器同时上架。这款产品采用纯白造型，固定插脚不可折叠，且不含数据线，零售价 399 元。 该充电器具备两个 USB-A 型接口，一个 Type-C 接口，但是两个橙色的接口紧挨在一起，目的是为了避免同时使用。橙色的 USB-A 口支持华为私有超级快充协议，最大输出功率 66W。橙色的 Type-C 口最大输出65W，PD3.0 协议。紫色的 USB-A 口最大输出功率 22.5W。 8 月 6 日前可享首发特惠价，充电器单独售价 379 元；搭配 A-C 3A 数据线，396 元；搭配 A-C 5A 数据线，406 元；搭配 A-C 6A 数据线，416 元（注：只有专属 6A 线才可以开启 66W 超级智慧充电） 可以说是非常增智慧了

联想推出thinkplus 65W“口红电源”氮化镓充电头：2C+1A 售价99元

联想推出thinkplus 65W“口红电源”氮化镓充电头：2C+1A 售价99元 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 新款充电器支持单口输出USB-C1/USB-C2：均为65W，USB-A为22.5W。双口输出时，USB-C1+USB-C2为45W+20W；USB-C1+USB-A为45W+18W；USB-C2+USB-A为10W+10W。三口输出时，USB-C接口共用40W，USB-A接口20W。此外，这款充电器搭载智能控温系统，时刻保持高度警惕，一旦发现异常，立刻启动保护措施，并自主降温散热。不止提供过流、过压、过温等安全保护，更是通过联想实验室近百项安全测试，稳定充电不费机。 ... PC版： 手机版：

ℹ小米 67W GaN 小布丁氮化镓充电器套装推出，兼容 UFCS 融合快充，它牌手机大功率快充也 OK！#

ℹ小米 67W GaN 小布丁氮化镓充电器套装推出，兼容 UFCS 融合快充，它牌手机大功率快充也 OK！# 最近小米在中国市场推出一款全新的 67W GaN 小布丁氮化镓充电器套装，目前已经在小米中国市场开卖。小米 67W GaN 小布丁氮化镓充...

新型铜铟镓硒太阳能电池能效创纪录 转换效率高达23.64%

新型铜铟镓硒太阳能电池能效创纪录 转换效率高达23.64% 最新CIGS太阳能电池结构的电子显微镜分析。图片来源：《自然·能源》网站国际能源署数据显示，太阳能电池的部署量在全球范围内迅速增长，2022年太阳能发电量占全球电力超过6%。晶硅是太阳能电池中使用最广泛的材料，目前由晶硅制成太阳能电池最多可将逾22%的阳光转化为电力，这种太阳能电池成本低廉且性能比较稳定。研究人员希望以合理的生产成本获得30%以上的光电转换效率，由此开始关注CIGS等更高效的串联太阳能电池。但串联太阳能电池成本太高，迄今无法大规模生产和部署。薄膜太阳能电池中活性层的横截面，总厚度不超过 3 微米。利用隆德 MAX IV 设施测量的纳米 XRF，可以高精度地测量太阳能电池中基体元素和微量元素（本例中为铷）的浓度。资料来源：Marika Edoff最新研制出的CIGS太阳能电池包含一块玻璃板，玻璃板上覆盖了几个不同的层，每个层都具有特定功能。吸收阳光的材料由铜、铟、镓和硒化物组成，并添加了银和钠。材料被置于太阳能电池内，位于金属钼和透明的玻璃板之间。为使太阳能电池在分离电子方面尽可能高效，研究团队用氟化铷处理了CIGS层。研究人员表示，钠和铷这两种碱金属之间的平衡，以及CIGS层的组成是提高转换效率的关键。CIGS太阳能电池能效此前的世界纪录是23.35%，由日本Solar Frontier公司创造，再之前是德国巴登符腾堡太阳能和氢能源研究中心创下的纪录22.9%。 ... PC版： 手机版：

英飞凌为高能耗的人工智能数据中心设计了12千瓦电源装置

英飞凌为高能耗的人工智能数据中心设计了12千瓦电源装置 德国半导体制造商英飞凌科技公司最近发布了新一代电源装置，有望为专注于云服务器和人工智能算法的数据中心提供前所未有的电力输送能力。英飞凌的新型服务器电源装置可提供高达 12 千瓦的功率，在单个模块中集成了三种不同的半导体材料。据英飞凌称，这些新型 PSU 是世界上首批能够提供高达 12 千瓦功率的设备。不过，首批型号的额定功率为 8 千瓦，将于 2025 年第一季度上市。根据该公司的PSU 路线图，12 kW 型号还没有确定的发布日期。英飞凌将硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）集成到同一模块中，这将显著提高电源性能、效率和可靠性。12 kW PSU 的效率可达 97.5%，而 8 kW PSU 可支持输出功率为 300 kW 及以上的"AI 机架"。氮化镓是近年来帮助消费类充电器缩小体积的一种材料，而碳化硅则可以在更高的电压水平下提供更高的效率。碳化硅可用于电动汽车中的直流到直流逆变器，但也可用于为人工智能算法加速设计的 GPU 提供更多电能的 PSU。由于AI聊天机器人和人工智能服务的普及，数据中心的能源需求正在迅速增长。英飞凌表示，新的 PSU 凭借其更高的效率将帮助这些大型服务器群降低功耗，同时还能减少温室气体排放并降低运营成本。根据最近的预测，到 2030 年，数据中心的耗电量将占全球耗电量的 7%。现代高性能服务器 GPU 的单芯片功耗高达 1 千瓦，到本十年末可能达到 2 千瓦，甚至更高。大型科技和人工智能公司已经感受到了这种不断增长的电力需求所带来的影响，亚马逊被迫对资源进行配给操作，以避免都柏林数据中心的电网中断。 ... PC版： 手机版：

日本研究人员实现精确控制氮化镓基垂直腔面发射激光器的腔长

日本研究人员实现精确控制氮化镓基垂直腔面发射激光器的腔长 功率转换效率超过 20% 的氮化镓紫色表面发光激光器。资料来源：Tetsuya Takeuchi / 名城大学GaN-VCSEL 由两层被称为分布式布拉格反射镜 (DBR) 的特殊半导体反射镜组成，中间由有源 GaN 半导体层隔开，形成光谐振腔，激光就在其中产生。谐振腔的长度对于控制目标激光波长（即谐振波长）至关重要。迄今为止，已开发出两种基于氮化镓的 VCSEL 结构：一种是底部介质 DBR，另一种是底部氮化铝铟（AlInN）/氮化镓 DBR。这两种结构都能产生光输出功率超过 20 毫瓦、壁塞效率（WPE）超过 10%的 VSCEL。然而，AlInN/GaN DBR 的停止波长带宽较窄，因此 VCSEL 只能发射窄波长范围内的光。此外，传统的腔体长度控制方法需要对测试腔体层进行预实验，以确定其生长速度，这会导致 VCSEL 腔体的估计厚度和最终厚度之间存在误差。这种误差会导致共振波长超出 AlInN/GaN DBR 的窄停止带宽，从而严重影响性能。腔长控制的创新为了解决这个问题，在最近的一项研究中，日本名城大学材料科学与工程系教授竹内哲也领导的研究人员为基于氮化镓的 VCSEL 光腔开发了一种新的原位 腔长控制方法。通过利用原位反射率光谱测量精确控制氮化镓层的生长，研究人员实现了精确的腔长控制，与目标谐振波长的偏差仅为 0.5%。现在，他们进一步扩展了这一创新技术，并展示了完整 VSCEL 的腔长控制。竹内教授解释说："VCSEL 的腔体不仅包含氮化镓层，还包含氧化铟锡 (ITO) 电极和五氧化二铌 (Nb2O5) 间隔层，而这些都无法通过相同的原位反射率光谱测量系统进行控制。在这项研究中，我们开发了一种精确校准这些附加层厚度的技术，从而实现了高效的 VCSEL。"他们的研究成果发表在《应用物理通讯》（Applied Physics Letters）杂志第124卷第13期上。附加层的校准技术为了校准附加层的厚度，研究人员首先在使用原位空腔控制生长的 GaN 测试结构上沉积了不同厚度的 ITO 电极和Nb2O5间隔层。鉴于原位反射率测量无法用于这些附加层，他们直接使用原位反射率光谱测量来评估这些测试空腔结构的共振波长。获得的共振波长发生了红移，即随着 ITO 和Nb2O5层厚度的增加，波长也随之增加。接下来，研究人员绘制了共振波长偏移与 ITO 和Nb2O5层 厚度的函数关系图，从而获得了有关其光学厚度的准确信息。他们利用这些信息精确校准了目标 VCSEL 共振波长的 ITO 层和Nb2O5层厚度。这种方法产生的共振波长控制偏差非常小，在 3% 以内，在光学厚度方面可与现场控制方法相媲美。最后，研究人员通过在利用原位 腔体控制技术生长的 VCSEL 腔体中加入调谐 ITO 电极和Nb2O5间隔层，制造出了孔径大小为 5 至 20 µm 的 GaN-VCSEL。这些 VCSEL 的峰值发射波长与设计共振波长的偏差仅为 0.1%。值得注意的是，得益于精确的腔长控制，5 微米孔径的 VCSEL 实现了 21.1% 的 WPE，这是一项重大成就。竹内教授总结说："就像高精度的刻度尺可以制造精细的架子一样，精确地使用氮化镓层的原位厚度控制，结合ITO电极和Nb2O5间隔层的厚度校准，可以实现VCSEL的高度可控制造，是获得高性能和高可重复性的氮化镓基VCSEL的有力工具，可用于高效光电设备。"编译来源：ScitechDaily ... PC版： 手机版：