存储芯片需求炸裂 韩国芯片库存惊现10年来最大降幅

存储芯片需求炸裂 韩国芯片库存惊现10年来最大降幅 根据韩国国家统计局周五公布的数据，4月份韩国芯片库存同比骤降33.7%，为2014年底以来的最大降幅，很大程度上反映韩国芯片出口规模激增。这也标志着芯片库存连续四个月呈现下降，与此同时，韩国芯片出口规模持续回升。随着人工智能技术发展迭代，全球企业对存储芯片需求激增。SK海力士已成为英伟达核心的HBM供应商，三星也在力争加入这一行列。芯片储备缩减反映出口增长加快对韩国芯片的需求带动了整体出口的上升趋势另外，统计局数据还显示，4月份韩国芯片产量大幅增长22.3%，但是低于3月份的30.2%。韩国工厂出货量则增长18.6%，小幅高于3月份的16.4%。全球存储芯片的供应规模，大部分掌握在韩国人手中韩国是世界上最大的两家存储芯片生产商的所在地，其中，全球HBM霸主SK海力士已经成为英伟达最核心的HBM供应商，英伟达H100 AI GPU所搭载的正是SK海力士生产的HBM存储系统。此外，英伟达H200 AI GPU以及最新款基于Blackwell架构的AI GPU的HBM存储也将搭载SK海力士所生产的最新一代HBM存储系统HBM3E，另一大HBM3E供应商则是来自美国的存储巨头美光科技()。另一大来自韩国的存储巨头三星，则是全球最大规模的DRAM与NAND存储芯片供应商，并且近期也在力争成为英伟达HBM以及更新一代的HBM3E供应商之一。三星在DDR系列存储芯片领域(如DDR4、DDR5)，市场份额遥遥领先于其他存储芯片制造商，不同于HBM大规模应用于AI数据中心，DDR系列存储主要用于PC系统的主存储器，提供足够的内存容量和带宽，支持多任务处理和消费电子端数据集的处理，LPDDR(Low Power DDR)系列则应用于智能手机端。在当前存储领域最为火热的HBM市场方面，截至2022年，三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星电子约40%、美光约10%，由于SK海力士在HBM领域最早发力，早在2016年已涉足这一领域，因此占据着绝大多数市场份额。有业内人士表示，2023年SK海力士HBM市场份额分布将在55%左右，位列绝对主导地位。2023年席卷全球企业的AI热潮已带动AI服务器需求激增，戴尔科技(Dell)以及超微电脑(Supermicro, SMCI)等全球顶级服务器制造商在其AI服务器中通常使用三星DDR系列以及SSD用于系统的服务器主存储体系，而SK海力士HBM存储系统则与英伟达AI GPU全面绑定在一起使用。从芯片出口的主要类型来看，韩国芯片出口主要集中在DRAM与NAND存储芯片，不过HBM这一DRAM细分领域占据的份额不断提高，其次则是模拟/混合信号IC、CMOS影像传感器、显示驱动IC、电源管理IC等，但是占据的出口比例较低。在2013-2015年全球存储芯片的繁荣时期，库存在大约一年半的时间里没有出现任何增加迹象。在2016-2017年的增长周期中，库存则下降持续了近一年。韩国央行的一份研究报告显示，随着“人工智能热潮”以类似于2016年云端服务器扩张的方式大幅推动芯片需求，最新一轮芯片需求复苏浪潮预计将至少持续到明年上半年。全球顶级金融机构野村近日发布报告称，随着周期性技术复苏扩大到其他消费电子终端市场，将支持整个芯片行业进入下一轮的景气度上升周期，预计将从今年下半年全面持续到2025年。两大存储巨头撑起韩国经济芯片行业，尤其是三星与SK海力士所撑起的存储芯片行业，可谓是韩国经济的“核心支柱”，带动了对韩国先进设备和工业建设项目的投资规模。统计数据显示，今年第一季度，韩国芯片出口同比增幅超过两位数，推动韩国经济环比增长1.3%，远高于经济学家普遍预期的0.6%。美国半导体行业协会 (SIA) 近日公布的数据显示，2024 年第一季度全球半导体销售额总计 1377亿美元，较2023年第一季度大幅增长15.2%。关于2024年半导体行业销售额预期，SIA 总裁兼首席执行官 John Neuffer 在数据报告预计2024 年整体销售额将相比于2023年实现两位数级别增幅。因此，韩国央行在上周大幅上调了2024年的韩国经济增长预测，反映出经济表现有望大幅好于预期，同时维持政策利率不变，以抑制通胀压力。不过，韩国央行并没有上调今年的通胀预期。韩国政府计划于周六公布最新的出口统计数据。经济学家们普遍预计，在存储芯片需求激增的趋势之下，5月份的韩国出口规模可能较上年同期增长15.4%，小幅高于4月份的13.8%。 ... PC版： 手机版：

三星电子迎接史上最大规模罢工 存储芯片涨价浪潮难停

三星电子迎接史上最大规模罢工 存储芯片涨价浪潮难停 据了解，这也是三星电子成立55年以来规模最大的罢工行动，三星电子乃全球存储芯片市场份额最高的领导者，此次罢工可能对全球存储芯片供应造成一定程度影响，自今年以来的这波DRAM与NAND存储芯片涨价浪潮可能停不下来。据了解，韩国最规模工会之一的三星电子工会（NSEU）大约3万名成员占三星电子韩国员工总数的约24%，该工会希望公司对于工会的员工给予更多的年假，并且希望改变员工奖金制度。然而，有分析师对此表示，低参与率和自动化生产规模意味着这一次大规模罢工不太可能对这家全球最大存储芯片制造商的产量产生重大性质的影响，但不排除存储芯片继续涨价趋势。此外，随着全球科技公司纷纷拥抱人工智能，在芯片行业的关键产能提升和创新时刻，这标志着三星电子员工忠诚度明显下降。上个月，工会进行了第一次劳工罢工行动，主要是协调更多的年假，有效地发动了大规模罢工。三星电子在当时表示，这一罢工行动对商业活动没有重大影响。但是该公司拒绝就周一的罢工置评。该工会没有透露上个月具体的工人罢工情况。该工会近日表示，本周将有6540名工人参加现场罢工集会，主要集中在三星电子的生产基地和产品开发部门，还包括监控自动化生产线和设备的工人，因此可能会影响正常的生产运营。周一，工人们聚集在首尔以南华城的三星总部附近。工会主席Son Woo-mok反驳了媒体关于低参与率的报道，他告诉媒体，这个五年前成立的新工会没有足够的时间来教育普通工会成员。“对工会成员和雇员们的工会教育还不够。但我不认为参与率低，因为我们的工会与其他工会相比还很年轻。”工会高级领导人Lee Hyun-kuk上周曾表示，如果这次的要求得不到满足，可能还会出现新一轮大规模罢工。这位高级领导人表示，三星方面的提议包括提高薪资和年假条件方面的灵活性，但并未满足工会增加薪资和更多休假的要求。此外，工会官员们坚称三星电子的奖金制度非常不公平，因为它是通过从营业利润中扣除资本成本来进行测算，而高管们的奖金则基于个人绩效目标。。自从这家韩国科技巨头在2020年承诺不再阻碍有组织劳工的发展以来，三星工会的成员人数大幅增加。有分析师表示，这一增长表明员工忠诚度下降，这是三星在人工智能（AI）应用芯片竞争中面临的除HBM认证资质以外的另一个难题。“我告诉人们，我为在三星电子工作而感到自豪，但事实并非如此，”20 岁的Park Jun-ha接受采访时说道。他是三星芯片先进封装线的一名重要工程师，于今年 1 月加入该公司。他还表示，自己对三星“不透明”的奖金计划感到不满。AI热潮刺激存储需求激增，三星电子Q2利润料迎来爆炸式增长上周五，三星电子预计第二季度营业利润将增长逾15倍，因为人工智能热潮推动HBM存储系统，以及更广泛的DRAM和NAND存储价格大幅反弹，提振了一年前较低的比较基数。尽管如此，其股价表现，以及HBM认证进度仍远远落后于同类型芯片的竞争对手SK海力士（SK Hynix）。三星电子公布了多年来最快的销售和利润增长速度，反映出随着全球人工智能发展加速，存储芯片需求呈现激增态势。在全球企业纷纷斥巨资布局AI的这股狂热浪潮中，存储需求可谓迈入迅猛增长阶段。这家全球最大规模存储芯片以及智能手机制造商上周五公布，截至6月30日的第二季度初步统计业绩显示，营业利润增长逾15倍，至10.4万亿韩元（合75亿美元），大幅超出市场预期。销售额增长约23%，是自2021年新冠疫情以来的最大增幅。三星电子将于7月31日公布包括各部门详细数据在内的最终业绩。随着人工智能技术发展迭代，全球企业对存储芯片需求激增。SK海力士已成为英伟达核心的HBM供应商，三星也在力争加入这一行列。在当前存储领域最为火热的HBM市场方面，截至2022年，三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星电子约40%、美光约10%，由于SK海力士在HBM领域最早发力，早在2016年已涉足这一领域，因此占据着绝大多数市场份额。有业内人士表示，2023年SK海力士HBM市场份额分布将在55%左右，位列绝对主导地位。三星电子在存储芯片领域堪称最核心地位韩国是世界上最大规模两家存储芯片生产商SK海力士与三星的所在地，其中，全球HBM霸主SK海力士已经成为英伟达最核心的HBM供应商，英伟达H100 AI GPU所搭载的正是SK海力士生产的HBM存储系统。此外，英伟达H200 AI GPU以及最新款基于Blackwell架构的B200/GB200 AI GPU的HBM也将搭载SK海力士所生产的最新一代HBM存储系统HBM3E，另一大HBM3E供应商则是来自美国的存储巨头美光，美光HBM3E大概率将搭载英伟达H200以及最新推出的性能无比强劲的B200/GB200 AI GPU。另一大来自韩国的存储巨头三星，则是全球最大规模的DRAM与NAND存储芯片供应商，并且近期也在力争成为英伟达HBM以及更新一代的HBM3E供应商之一。三星在DRAM主流应用之一的DDR系列存储芯片领域（如DDR4、DDR5） 以及NAND存储主流应用之一的SSD，市场份额遥遥领先于其他存储芯片制造商。不同于HBM大规模应用于AI数据中心，DDR系列存储主要用于PC系统的主存储器，提供足够的内存容量和带宽，支持多任务处理和消费电子端数据集的处理，LPDDR（Low Power DDR）系列则应用于智能手机端。从上图能够看出，韩国企业在存储市场占据主导地位，三星电子和SK海力士占据全球存储芯片市场绝大多数份额，其中三星电子占比甚至接近50%。自从2023年以来席卷全球企业的AI热潮已带动AI服务器需求激增，戴尔科技（DELL.US）以及超微电脑（SMCI.US）等全球顶级数据中心服务器制造商在其AI服务器中通常使用三星与美光DDR系列产品，以及NAND存储主流应用之一的三星/美光SSD则大量用于计算系统的服务器主存储体系，而SK海力士HBM存储系统则与英伟达AI GPU全面绑定在一起使用。DRAM主要用于计算系统的主存储器，为CPU和GPU提供临时数据存储和中间计算结果，以及数据加载和预处理。虽然NAND存储的读写速度不如整个DRAM以及归属于DRAM细分领域的HBM，但其容量大、成本低，是长时间存储数据的理想选择，在生成式AI计算系统中，NAND通常用于保存规模庞大的训练/推理数据集和已训练模型，当需要进行训练或再推理负载时，将数据极速加载到DRAM或HBM中进行处理。这也是HBM存储系统，以及整个DRAM与NAND存储需求激增的重要逻辑。随着全球存储芯片持续复苏，主流存储芯片厂商已经率先开启了涨价模式，TrendForce集邦咨询最新调查显示，第二季度整个DRAM合约价格环比涨幅高达13%-18%。有业内人士表示，从2023年年底开始，全球半导体存储产业逐步进入上行周期，今年已多次收到上游存储芯片厂提高合约价的通知。服务器制造商戴尔近日预计DRAM和SSD价格将在下半年上涨15%至20%。此外，受AI数据中心对大容量NAND需求的推动，以及苹果Apple Intelligence所引领的端侧AI大模型融入消费电子端的热潮，也有望推动DRAM与NAND需求迈入激增阶段，近期三星电子和SK海力士已将NAND工厂的开工率由去年的20-30%升至70%以上。 ... PC版： 手机版：

存储行业，活过来了

存储行业，活过来了 Gartner报告显示，2023年全球存储器市场规模下降了37%，成为半导体市场中下降最大的细分领域。彼时几家存储大厂集体经营亏损预估达破纪录的50亿美元，创下过去15年来最严重的低迷。存储原厂相继减产、降价、减少开支...，以应对行业低迷。存储市场的“溃败”尚历历在目，每一位行业玩家和亲历者仍心有余悸。然而，纵使每一道车辙都留下了时代的印记，但周期轮转的车轮始终在滚滚向前。自2023年尾，2024年以来，随着芯片库存调整卓有成效，市场需求回暖推动，全球存储芯片价格正从去年的暴跌中逐步回升。这一在上论行业周期中跌宕最大，损失最惨重的赛道，似乎正在走出低谷。无论是存储原厂的业绩表现，还是调研机构的市场观察，都在印证这一观点。可以理解为：存储市场，活过来了。存储大厂业绩加速回暖随着手机、PC及服务器等行业市场需求的逐渐复苏，加上存储原厂产能削减措施的逐步实施，部分大类存储产品的价格已触底反弹，步入上升通道。涨价潮令上游存储大厂业绩加速回暖。三星电子：利润暴增931.3%，创历史最高在行业复苏的背景下，三星电子凭借其在内存芯片市场的领先地位，实现了营业利润的暴涨，为行业带来强烈的震动。4月5日，三星电子表示，随着芯片价格反弹，预计第一季度营业利润将增长931%。（三星将于4月30日公布包含详细的完整财报）从三星此次公布的财务预报来看，当季营收约为71万亿韩元，同比上涨11.4%；营业利润大幅上涨至6.6万亿韩元，同比暴增931.3%。近几个季度以来，存储芯片价格的持续上涨起到了积极作用。早在去年四季度，三星就开始率先对其存储芯片进行了涨价。据此前消息显示，三星在去年四季度对NAND Flash芯片报价上调10%至20%之后，又在今年一季度和二季度再逐季涨价20%，涨价幅度远超乎业界预期。在涨价的同时，三星还对于NAND Flash和DRAM进行了增产。NAND方面，三星电子正在提升其位于中国西安NAND Flash闪存厂的产能利用率，目前已恢复到了70%左右。自2023年二季度减产之后，三星西安NAND Flash厂的产能利用率在2023下半年一度滑落至20%~30%的低谷，但是随着2023年四季度市场需求的回暖，三星西安NAND Flash厂的产能利用率也开始逐步回升。DRAM方面，三星电子的目标是到2024年第四季度晶圆产量达到200万片，比去年的数字增长41%。三星现在的目标是通过提高生产水平来挽回损失的利润，预计未来需求将会增加。三星电子凭借其先进的生产工艺和庞大的产能规模，成功抓住了市场机遇，实现了业绩的快速增长。其中，内存芯片业务的销售额和利润的大幅增长，成为推动公司整体业绩提升的重要力量。在日前举行的年度股东大会上，三星预计2024年旗下存储半导体部门销售额有望恢复至2022年的水平，同时还定下了更高的目标要在两到三年内，重新夺回全球芯片市场第一的位置。除了芯片周期的回暖，三星还可能在近期迎来更多好消息。上个月，英伟达CEO黄仁勋暗示，英伟达有意采购三星的HBM芯片。有韩媒爆料称，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E。倘若消息落实，这将为三星电子未来的业绩进一步增长带来潜在动力。美光科技：HBM在2024年销售一空3月20日，美国存储芯片大厂美光公布了截至2024年2月29日的2024财年第二季财报，美光第二财季受益于DRAM和NAND Flash需求及价格同步上升，该季营收58亿美元，同比大涨58%，环比增长23%。美光2024财年第二季财报（图源：美光财报）从具体产品划分收入构成来看，美光第二财季DRAM收入环比增长21%至42亿美元，占总收入的71%。这主要得益于该季DRAM平均价格上涨了10%，出货量也有个位数百分比的增长；第二财季NAND收入环比增长了27%至16亿美元，占美光总收入的27%。根据此前美光公布的财报数据显示，其第二财季DRAM平均价格上涨了10%；NAND Flash的平均价格涨幅超过了30%。同时财报也显示，产品涨价带动了美光的整体毛利率提升了19个百分点。据悉，美光在该季营收、毛利率、净利均大超预期，并成功结束连续五个季度的亏损，扭亏为盈。从各应用领域收入来看，来自数据中心领域的营收增长是最为迅猛，环比增长超过一倍。这主要得益于AI服务器的需求正在推动HBM、DDR5和数据中心SSD的快速增长。这进而也导致了先进的DRAM和NAND的供应处于供不应求当中，对所有存储器和存储终端市场的定价产生了积极的连锁反应。美光在财报中强调：“我们的HBM在2024年销售一空，2025年的绝大多数供应已经分配完毕。我们继续预计HBM比特份额将在2025年的某个时候与我们的整体DRAM比特份额相等。”美光预计，接下来每个季度的芯片价格都会上涨，重申2025财年将实现创纪录的收入，云收入也将呈现季度翻倍增长，同时客户的库存已经减少，急需补充新品。不过需要指出的是，2024财年，美光的业绩增长动力主要还是来自于DRAM和NAND Flash的价格上涨及需求的增长。而HBM所能够为美光带来的营收贡献仍比较有限。美光最新业绩以及业绩展望数据表明，美光已经熬过整个芯片行业周期的最糟糕时期，并且重新走向盈利模式，AI热潮带来的存储需求激增可谓核心驱动力。美光首席执行官Sanjay Mehrotra在业绩会议上向投资者承诺，2024年将标志着存储行业大幅反弹，2025年则将达到创纪录的销售额水平。但这也意味着美光需要加大产能制造足够数量的HBM存储，这需要与英伟达等AI芯片厂商紧密合作，帮助数据中心运营商们加快AI基础设施建设步伐以及开发更多的人工智能软件。SK海力士：率先扭亏为盈SK海力士是存储巨头中率先实现全公司单季度扭亏的公司。据财报显示，SK海力士2023财年第四季度结合并收入为11.306万亿韩元，营业利润为0.346万亿韩元，成功实现扭亏为盈。SK海力士仅时隔一年就摆脱了从2022年第四季度以来一直持续的营业亏损。SK海力士季度毛利率和净利率表现（图源：SK海力士财报）顺应高性能DRAM需求的增长趋势，SK海力士将顺利进行用于AI的存储器HBM3E的量产和HBM4的研发，同时将DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量产品及时供应于服务器和移动端市场。对于市况复苏相对缓慢的NAND闪存，SK海力士2023年主要集中于投资和费用的效率化。后续，SK海力士决定通过以eSSD等高端产品为主扩大销售，改善盈利并加强内部管理。除此之外，从铠侠、西部数据以及存储器终端厂商发布的最新财报中也可以看出，各大厂商业绩均迎来较好表现。2024年，存储行业步入上行周期眼下存储芯片最核心的三大应用市场，即手机、PC和服务器，已基本突破了“黑暗期”。同时，以智能汽车、AI为代表的新兴市场的兴起，将在未来推动存储产业的需求进一步增加。从行业角度看，根据TrendForce预测数据，不论是DRAM还是NAND Flash，2024年的整体存储合约均价有望呈现逐季上涨态势，同时通过观察以三星、SK海力士为代表的头部存储厂商近期业绩的环比改善变化，存储行业有望在2024年步入上行周期。有业内人士表示，去年三、四季度是存储大厂减产限制供应所带动的涨价；而如今涨价主要是因为新需求增加所带动的，接下来延续涨价没有悬念。此前韩国公布今年3月份芯片出口额年增35.7%，达到117亿美元，创下2022年3月以来的最佳单月表现。这一数据也显示出，目前半导体市场在经历低谷之后，已经开始逐步反弹。TrendForce集邦咨询的统计显示，今年一季度DRAM芯片价格较前一季度增加约20%，而NAND Flash芯片价格涨幅在23%-28%之间。展望第二季度，TrendForce预估DRA... PC版： 手机版：

ASML正在规划0.77NA的EUV光刻机

ASML正在规划0.77NA的EUV光刻机 通用 EUV 平台与 hyper-NA 工具的开发紧密相关，因为标准化以及将 hyper-NA 创新引入前几代 EUV 的能力有助于收回开发 hyper-NA 工具所需的投资。“我们提出了一个长期路线图，假设十年后，我们将拥有一个低数值孔径、高数值孔径和超数值孔径 EUV 系统的单一平台，”van den Brink 说道。这位最近辞去首席技术官一职但仍受聘于 ASML 担任顾问的行业传奇人物解释说，更高分辨率工具的出现将减少对双重图案化的需求，从而减少工艺步骤的数量和每片晶圆所需的能量。“超数值孔径让我们远离双重图案化危险的复杂性。”Van den Brink 的这句话触及了人们对 hyper-NA 的前身 high-NA 的紧迫性提出的问题。根据市场研究公司 Semianalysis 的说法，高 NA 无法在成本上与低 NA 双图案竞争。ASML 此前曾反驳这一分析，指出通过避免双重图案化可降低工艺复杂性的价值。此外，该行业对高数值孔径工具的需求是“健康的”，该公司表示。一旦hyper NA 获得批准，任何对高 NA 的疑虑可能很快就会消失。Hyper NA光刻机，ASML的下一个目标ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。”ASML目前的EUV工具包括low NA模型，其具有0.33 NA光学器件，可实现 13.5 nm的临界尺寸（CD）。这足以通过单次曝光图案产生26 nm的最小金属间距和25-30 nm尖端到尖端的近似互连空间间距。这些尺寸足以满足 4nm/5nm级生产节点的需要。尽管如此，业界仍然需要3nm的21-24nm间距，这就是为什么台积电的N3B工艺技术被设计为使用Low-NA EUV双图案打印来打印尽可能最小的间距。这种方法被认为非常昂贵。具有0.55 NA光学器件的下一代High NA EUV系统将实现8nm的CD，这足以打印约16nm的最小金属节距，这对于超过3nm的节点非常有用，并且预计即使对于1nm，至少根据Imec的设想是这样。但金属间距将变得更小，超过 1nm，因此该行业将需要比 ASML 的 High-NA 设备更复杂的工具。这使我们能够开发出具有更高数值孔径投影光学器件的 Hyper-NA 工具。ASML 首席技术官 Martin van den Brink 在接受采访时证实 ，正在研究 Hyper-NA 技术的可行性。不过，尚未做出最终决定。增加投影光学器件的数值孔径是一个成本高昂的过程，涉及对光刻工具的设计进行重大改变。特别是，这包括机器的物理尺寸、开发许多新组件的需要以及成本增加的影响。ASML 最近透露，根据配置，低数值孔径 EUV Twinscan NXE 机器的售价为 1.83 亿美元或更高，而高数值孔径 EUV Twinscan EXE 工具的售价将根据配置为 3.8 亿美元或更高 。Hyper-NA 的成本会更高，因此 ASML 必须回答两个问题：它是否可以在技术上实现以及对于领先的逻辑芯片制造商来说是否在经济上可行。只剩下三个领先的芯片制造商：英特尔、三星代工和台积电。日本的 Rapidus 尚未发展成为可行的竞争对手。因此，虽然需要 Hyper-NA EUV 光刻技术，但它必须价格合理。“Hyper-NA 的引入将取决于我们能够降低成本的程度，”Martin van den Brink。“我曾多次环游世界，并与客户讨论了 Hyper-NA 的必要性和可取性。最近几个月，我获得了信心和洞察力，客户希望进一步降低分辨率，因此可能“使用 Hyper-NA 大规模生产逻辑和存储芯片的技术已经存在。这将是下一个十年左右的变化。但这取决于成本。”ASML 发言人告诉 Bits&Chips，正在研究 hyper-NA 技术的技术和经济可行性，但尚未做出是否继续实施的决定。他拒绝评论何时做出该决定。考虑到 Van den Brink 提到的 2030 年时间框架以及开发新一代 EUV 扫描仪所需的多年准备工作，期望早日做出承诺并不是没有道理的。高数值孔径技术于 2015 年获得批准，远早于低数值孔径 EUV 被引入大批量生产。到 2030 年，芯片制造商可能需要高数值孔径的双图案化，至少对于选定数量的层而言。与此同时，根据Imec去年提出的路线图，尺寸缩放预计将持续到至少 2036 年。这凸显了只要能够满足成本目标，新一代 EUV 扫描仪的潜在机会。早在 2022 年，Van den Brink 就对超 NA 的经济可行性表示怀疑。他对 Bits&Chips表示：“如果超数值孔径的成本增长速度与高数值孔径的成本一样快，那么这在经济上几乎是不可行的。”他补充说，他的公司正在探索解决方案，以保持技术在成本方面的可控性。和可制造性。在 2022 年 ASML 投资者日上，Van den Brink 对他的工程师将取得成功表示乐观。“我始终相信技术，所以我相信我们会实现这一目标。”2023 年 4 月，Van den Brink 对Hyper NA 业务案例的信心更加增强。“我曾多次前往世界各地与客户讨论超 NA 的需求和愿望。最近几个月，我获得了信心和洞察力，客户希望进一步降低分辨率，以便使用 hyper-NA 大规模生产逻辑和存储芯片的机会已经存在。”取代应材，跃升全球最大芯片设备供应商近年来，对晶圆厂设备的需求一直在激增，这就是为什么晶圆厂设备制造商的收入也屡创新高的原因。事实证明，根据分析师 Dan Nystedt的观察，去年 ASML 成为全球最大的晶圆厂工具制造商，取代了几十年来一直处于领先地位的应用材料公司 (Applied Materials) 。虽然这算不上竞争，而且 ASML 取得第一的原因有很多，但这是一个了不起的转折。Nystedt 表示，2023 年 ASML 的收入为 298.3 亿美元，而应用材料公司的收入为 265.2 亿美元。这里有几件事需要记住。首先，ASML的财政年度遵循日历年，而应用材料公司的2023财政年度截至2023年10月29日。这就是分析师使用该公司2024财年第一季度业绩（截至2024年1月28日）进行计算的原因。虽然这并不完全是同类比较，因为 ASML 赢得了数十亿美元，但这是一个反映趋势的合理比较。ASML 成功从应用材料公司手中夺走晶圆厂工具制造桂冠的原因有多种。首先，该公司确认了 53 个低数值孔径 EUV Twinscan NXE 工具的收入（2022 年为 40 个），每个工具的成本约为 1.83 亿美元。此外，该公司还确认了 125 台深紫外光刻工具的收入（高于一年前的 81 台）。其次，ASML 可以在 2023 年的大部分时间里向中国客户销售先进的工具，因为对中国半导体行业的制裁仅在 9 月份开始生效，而且仅针对一种工具。相比之下，应用材料公司向中国客户销售的工具在一定程度上受到了美国 2023 年 10 月推出的出口规则的影响。虽然形势的逆转非常出色，但这实际上并不是一场竞争，因为应用材料公司并不生产光刻设备。相比之下，ASML 不制造用于外延、离子注入、沉积和选择性材料去除的工具。与此同时，如今几乎没有一家晶圆厂可以在没有应用材料公司、ASML、KLA 和东京电子公司的设备的情况下运行，因此这些公司宁愿相互补充。此外，销售的 ASML 工具越多，需要的应用材料公司的设备就越多，因此两家公司都将在未来几年蓬勃发展。 ... PC版： 手机版：

需求强劲 三星将把SSD价格最高上调25%

需求强劲 三星将把SSD价格最高上调25% 与此同时，根据调研机构TrendForce的报告，消费级SSD的价格也预计将再次上涨，涨幅预计在10-15%之间。这一趋势的形成，主要是由于上游减产影响的持续，以及供应商库存水平的下降。尽管第二季度的NAND闪存采购量略低于一季度，但闪存合约价依然有望继续上涨。目前，消费级固态硬盘正处于终端销售淡季，下游PC品牌厂由于无法通过调整成品价格来抵消涨价的影响，因此订单需求受到了一定程度的抑制。然而，即便如此，整体产品合约价仍预计将上涨10-15%。值得注意的是，由于先前NAND芯片价格的大幅下跌，芯片厂商目前距离实现盈利还有一段距离。据预测，价格至少需要再上涨四成，才能达到损益平衡。因此，在未来几个季度内，SSD价格可能会保持强势。总的来说，无论是企业用SSD还是消费级SSD，价格都有望在未来一段时间内持续上涨。对于消费者和下游厂商来说，这可能意味着更高的购买成本和更严格的成本控制。而对于三星电子等存储芯片供应商来说，这可能是一个逐步改善盈利状况的机会。然而，市场的不确定性仍然存在，未来的价格走势仍需密切关注市场动态和行业趋势。 ... PC版： 手机版：

SSD供不应求 供应商涨势猛烈

SSD供不应求 供应商涨势猛烈 近期，市场传NAND Flash产品企业级固态硬盘 （SSD） 陷入短缺。对此业界认为，主要是由于AI热潮加上全球科技巨头大举建设数据中心，带动存储设备需求大幅增长，导致SSD供不应求。在此之下，存储大厂开始有所动作。三星调涨企业级SSD售价过去两周，业界传企业级SSD陷入短缺，存储大厂三星拟将大幅调高企业级SSD售价25%。据BusinessKorea4月2日报道，传三星预料第二季调涨企业级SSD报价20%~25%，扭转2023年恶劣的下降趋势。三星原先计划比上季度提价约15%，但需求超出预期，让三星决定扩大涨幅。三星企业级SSD占据约一半的市场份额，对价格决策有重大影响力。据TrendForce集邦咨询3月7日研究显示，在2023年第四季度Enterprise SSD市场中，三星以41.7%的市占率占据全球第一，其次是SK集团（33.2%）、美光（10.8%）、铠侠（9.4%）、西部数据（4.9%）。值得一提是，5家厂商同时也是全球前五大NAND闪存巨头。原厂不仅生产NAND Flash闪存颗粒，还研发主控芯片以及生产企业级SSD成品。据此前全球半导体观察统计，主控芯片领域主要有两大阵营，一是上述原厂，基本不对外出售主控芯片，不过美光的主控芯片则既用于自有产品，也出售给其他厂商；二是IC设计类主控厂商，代表企业包括美满（Marvell）、慧荣及群联电子（Phison）等。Marvell是主控芯片先驱，长期占据高端市场，支持在企业和超大规模数据中心环境中使用高性能和大容量的SSD。慧荣、群联主控厂商则通过性价比优势在企业级SSD市场立足。供应端方面，主控芯片供应商慧荣科技总经理苟嘉章此前表示，NAND Flash第二季价格都已谈完，会涨价20%；第一季部分供应商开始获利，第二季后会让多数供应商赚钱。另据TrendForce集邦咨询表示，除了铠侠（Kioxia）和西部数据（WDC）自今年第一季起提升产能利用率外，其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低，以及减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。其中，受惠于北美及中国云端服务业者（CSP）需求上升，预期今年上半年Enterprise SSD采购量将会逐季成长。由于大容量SSD订单达交率（Order Fill Rate；OFR）偏低，供应商依旧主导价格走势，故买方被迫接受供应商价格可能性升高。同时，部分买方仍试图在下半年旺季前提高库存水位，因此，预估第二季Enterprise SSD合约价季增20~25%，涨幅为全线产品最高。消费级SSD价格续涨与此同时，消费级SSD也传来动静。从批发价上看，根据报道，1~3月SSD指标性产品TLC 256GB批发价（大宗交易价格）为每台28.5美元左右，较前一季（2023年10~12月）上涨12%，容量较大的512GB价格为每台53.5美元，较前一季上涨10%，价格皆为连两季呈现扬升，增幅较前一季上涨约9%呈现扩大。SSD批发价为存储器厂商和买家每一季敲定一次。针对原厂为了获利而提出的涨价要求，大多买家表示接受。其中，据某家PC厂采购负责人表示，因为各家存储器厂商陷入亏损，涨价可理解。2023年第四季度以来市场需求提升，配合NAND闪存芯片制造商的减产策略，SSD价格开始爬升，在较短时间内就有了不小的涨幅。针对SSD的涨势，群联电子潘健成于3月中旬曾发出警告称，SSD进一步的上涨可能导致需求减少，NAND闪存芯片制造商应该努力增加产量来满足市场的需求，而不是通过减产让市场需求超过供应量。群联电子认为，存储设备作为构建PC的必须品，如果价格过高，在全球经济不太景气的大环境下，可能打断PC市场的复苏节奏，让需求再次萎缩，最终将阻碍NAND闪存行业发展。下游厂商抢购SSD 业界呼吁供应跟上需求随着英伟达和特斯拉等全球大型科技公司加速扩张人工智能，市场对存储设备需求大幅提升，Dell Technologies和Hewlett Packard Enterprise（HPE） 等主要服务器公司都竞相抢购SSD。业界人士表示，服务器业者为了扩充存储容量，最近紧急下单，部分产品甚至面临短缺，促使业界考虑增产。从原厂动态来看，据外媒《THE ELEC》3月中旬报道，三星电子位于中国西安的NAND闪存厂开工率恢复到了70%左右。去年下半年，三星将该厂的开工率降低到了20~30%。这是该晶圆厂自2022年底存储芯片价格和需求开始下滑以来的最低点。NAND Flash大厂铠侠将调整2022年开始的NAND Flash减产，提高产量。铠侠预计到今年3月，其NAND工厂的利用率将恢复到90%左右，具体取决于需求。3月27日，美光宣布其位于西安的封装和测试新厂房破土动工。新厂房预计将于2025年下半年投产，后续根据市场需求逐步投产，落成后，西安工厂总面积将超过13.2万平方米。美光于2023年6月宣布在西安追加投资43亿元人民币，其中包括加建这座新厂房，引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，包括但不限于移动DRAM、NAND及SSD，从而拓展西安工厂现有的DRAM封装和测试能力。据TrendForce集邦咨询3月19日研究表示，在NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下，部分供应商为了减少亏损、降低成本，并寄望于今年重回获利。今年三月起铠侠/西部数据率先将产能利用率恢复至近九成，其余业者均未明显增加投产规模。TrendForce集邦咨询表示，为应对下半年旺季需求，加上铠侠/西部数据本身库存已处低水位，本次扩大投产主要集中112层及部分2D产品，有望在今年实现获利，并进一步带动2024年NAND Flash产业供应位元年增率达10.9%。此外，在制程方面，2024年随着NAND Flash价格反转，供应商的库存水位也开始逐步降低，为了维持长期成本竞争优势，供应商也开始升级制程。其中，又以三星（Samsung）和美光（Micron）最积极，预估两家业者于今年第四季时，200层以上制程产出将超过四成。铠侠和西部数据2024年产出重心仍为112层，而受惠于日本政府补助支持，预计今年下半年将开始移入设备，增加218层产出，预估2025年218层产出更为积极。根据铠侠目前的制程研发规划，为了达成更佳成本结构，并寄望能在技术及成本上重回领先地位，218层之后产品将直接迈入300层以上制程。 ... PC版： 手机版：