铠侠量产 218 层 NAND 闪存

铠侠量产 218 层 NAND 闪存 铠侠控股将于 7 月中旬在四日市工厂开始量产最先进的存储器。每个芯片可存储 128GB 数据。此次开始量产的NAND 型闪存将存储数据的元件堆叠至 218 层，同时增加了可在一个元件上存储的数据量。与以往产品相比，存储容量提高约 50%，写入数据时所需的电力减少约 30 %。它开始提供 2 Tb NAND 芯片样品，这是目前容量最高的 NAND 芯片。 via Solidot

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务 据日经 xTECH 报道，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。

铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图 计划2027年实现1000层堆叠

铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图 计划2027年实现1000层堆叠 在3D NAND闪存技术的竞赛中，铠侠展现出了对层数挑战的坚定决心，其目标似乎比三星更为激进。三星虽也计划在2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片，并计划引入新型铁电材料来实现这一目标，但铠侠却更早地设定了具体的实现时间表。去年，铠侠推出了BiCS8 3D NAND闪存，其层数高达218层，采用1Tb三层单元（TLC）和四层单元（QLC）技术，并通过创新的横向收缩技术，成功将位密度提高了50%以上。若要实现2027年1000层堆叠的宏伟目标，铠侠可能会进一步探索五层单元（PLC）技术的应用。值得注意的是，提高3D NAND芯片的密度并非仅仅意味着增加层数，更涉及到制造过程中可能遇到的一系列新问题和技术挑战。 ... PC版： 手机版：