消息称三星Exynos 2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺

消息称三星Exynos 2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺 现在，一份新的报告指出，Exynos 2500 将提高工艺标准，预计将使用第二代 3nm GAA（Gate-All-Around）工艺，以提高明年旗舰机型的性能与效率。据 Business Korea 报道，为了跟上台积电的步伐，三星将利用其第二代 3nm GAA 工艺量产 Exynos 2500。目前，这家韩国巨头是唯一一家在其移动芯片组中应用 Gate-All-Around 技术的代工厂，这可能使其在与台湾半导体竞争对手的第二代"N3E"节点的竞争中占据上风。该报告提到，Exynos 2500 将比 骁龙8 Gen 4 表现出更高的能效属性，但应该指出的是，这些说法是一位线人之前提出的。三星的 3nm GAA 工艺据说可以减少能量泄漏并提高电流驱动力。该公司声称，其第二代技术将把功耗降低 50%，性能提高 30%，面积缩小 35%。据悉，第一代 3 纳米 GAA 节点与三星的 5 纳米工艺相比有一系列改进，功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面积缩小了 16%。对 Exynos 2500 的测试传闻称，后者已经在 CPU 和 GPU 测试中击败了高通公司的骁龙8 Gen 3，因此假设这一消息属实，那么三星的手机处理器芯片有了一个非常好的开始。不过，我们不应该在第一批基准测试结果出来之前就匆忙下结论，因此，尽管三星努力提升工艺与台积电保持竞争的做法值得称赞，但毕竟它已经让我们失望了很多次，而且是以相同的形式。相关文章:分析师称三星 Exynos 2500 性能有望超越骁龙8 Gen 4 ... PC版： 手机版：

三星宣布高性能 PCIe 5.0 固态硬盘开发成功：顺序读取速度 13000MB / s，拥有 15.36TB 容量

三星宣布高性能 PCIe 5.0 固态硬盘开发成功：顺序读取速度 13000MB / s，拥有 15.36TB 容量 三星宣布已开发出用于企业服务器的 PM1743 固态硬盘。PM1743 固态硬盘拥有最新的 PCIe 5.0 接口和三星的第 6 代 V-NAND 闪存技术 三星 PM1743 拥有 13000MB / s 的顺序读取速度和每秒 2500K 输入 / 输出操作（IOPS）的随机读取速度，与此前基于 PCIe 4.0 的产品相比，速度分别提升了 1.7 倍和 1.9 倍

三星晶圆代工厂正在试产第二代SF3工艺

三星晶圆代工厂正在试产第二代SF3工艺 "（代工厂）目前正在测试芯片的性能和可靠性，三星的目标是在未来 6 个月内实现 3 纳米第二代工艺 60% 以上的良品率，这也是公司内部设定的目标"。文章提到了英伟达（NVIDIA）、高通（Qualcomm）和 AMD 等公司要吸引这些知名客户离开台积电，还需要付出很大的努力。据报道，三星正在确保内部使用的首批产品内部消息称第二代 3 纳米工艺与即将推出的应用处理器（AP）有关。这个面向可穿戴设备的单元预计将驱动第七代 Galaxy 手表。根据第二代 SF3 在 Galaxy Watch 7 型号中的表现，该生产节点可能会获得公司 LSI 部门的认可，作为其 Exynos 2500 移动 SoC 的技术基础。据信，这款即将推出的基于 ARM 的处理器将在 2025 年的 Galaxy S25 智能手机系列中首次亮相。报道称，高通公司（Qualcomm）是该公司的主要目标客户，但要想从台积电的主导地位中夺回这家无晶圆厂制造商的份额并不容易。三星的 Galaxy S24系列也将采用台积电 N4P 4 纳米工艺制造的骁龙 8 Gen 3 芯片。 ... PC版： 手机版：

三星电子宣布扩大与Arm合作

三星电子宣布扩大与Arm合作 这将帮助三星电子的无晶圆厂客户增加获得最先进的GAA工艺的机会，并最大限度地减少下一代产品开发的时间和成本。GAA技术是克服工艺小型化导致晶体管性能下降，提高数据处理速度和功率效率的下一代关键半导体技术。三星电子于2022年在世界上率先推出了3纳米制程的GAA。此外，两家公司还计划重新开发用于下一代数据中心和基础设施定制芯片的2纳米GAA，以及将彻底改变未来生成式AI移动计算市场的开创性AI芯片解决方案。三星电子表示，最新的合作是基于多年来与数百万台搭载Arm CPU知识产权的设备的合作，这些设备采用了三星代工业务提供的各种工艺节点。三星电子代工设计平台开发负责人Kye Jong-wook表示：“随着我们进入生成式AI时代，我们很高兴与Arm扩大合作，推出下一代Cortex-X CPU，使我们的共同客户能够创造创新产品。” ... PC版： 手机版：

Arm与三星宣布共同开发2纳米GAA优化Cortex处理器核心

Arm与三星宣布共同开发2纳米GAA优化Cortex处理器核心 根据该计划，两家公司的目标是为各种应用（包括智能手机、数据中心、基础设施和各种定制的片上系统）提供基于三星 2 纳米级工艺技术的定制版 Cortex-A 和 Cortex-X 内核。目前，这两家公司还没有透露他们的目标是为三星第一代 2 纳米生产节点 SF2（将于 2025 年推出）共同优化 Arm 的 Cortex 内核，还是计划为所有 SF2 系列技术（包括 SF2 和 SF2P）优化这些内核。通道四面都被栅极包围的 GAA 纳米片晶体管有很多优化选择。例如，可以拓宽纳米片沟道以增加驱动电流并提高性能，或者缩小沟道以降低功耗和成本。根据不同的应用，Arm 和三星将有大量的设计选择。考虑到面向各种应用的 Cortex-A 内核，以及专为提供最高性能而设计的 Cortex-X 内核，双方合作的成果将是相当可观的。尤其期待性能最大化的 Cortex-X 内核、性能和功耗最优化的 Cortex-A 内核以及功耗更低的 Cortex-A 内核。如今，Arm 等 IP（知识产权）开发商与三星代工厂等代工厂之间的合作对于最大限度地提高性能、降低功耗和优化晶体管密度至关重要。与 Arm 的合作将确保三星的代工合作伙伴能够获得完全符合他们需求的处理器内核。 ... PC版： 手机版：

三星下月展示 37 Gbps GDDR7 内存

三星下月展示 37 Gbps GDDR7 内存 三星预计将展示一款数据传输速率为 37 Gbps、密度为 16 Gbit（2 GB）的 GDDR7 芯片。GDDR7 内存将使用 PAM3 和 NRZ 信号，目标是实现高达 37 Gbps 的数据传输速率/引脚。GDDR7 存储器的演进涉及提高信号传输速率和突发大小，而不大幅提升存储单元的内部时钟。这使得每个 GDDR 版本都能提高内存总线频率，从而提高性能。然而，随着频率提升变得复杂，业界正在探索其他解决方案。例如，GDDR6X 用 PAM4 编码取代了传统的 NRZ 编码，有效地将数据传输速率提高了一倍。由于波特率降低，PAM4 还能显著减少信号损耗。然而，GDDR7 将采用 PAM3 编码，这是 PAM4 和 NRZ 信号之间的折衷。这使得每个周期的数据传输速率高于 NRZ，从而降低了对更高内存总线频率的需求。GDDR7 的性能有望超过 GDDR6，同时功耗和实施成本也低于 GDDR6X。此外，GDDR7 还提供了优化内存效率和功耗的方法。其中包括四种不同的读取时钟模式，使其仅在需要时运行。GDDR7 内存子系统还可以并行发出两个独立命令，优化功耗。至于 GDDR7 的发布，预计将与AMD和NVIDIA 的下一代 GPU 一起推出，时间可能在今年晚些时候。预计 NVIDIA 和 AMD 都将在下一代 GPU 中采用 GDDR7。GDDR7 将于今年量产，并将在 NVIDIA 的 GeForce RTX 50 系列"Blackwell"显卡和 AMD Radeon RX 8000 系列 RDNA4 中使用。 ... PC版： 手机版：