SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存 2024-05-13 2024-05-02 2024-04-22 2024-03-21 2024-03-14 2024-03-07 2024-03-01 2024-02-23 2024-02-13

三星为下一代3D DRAM做准备 堆叠16层大幅提升容量

三星为下一代3D DRAM做准备 堆叠16层大幅提升容量 在韩国首尔举行的 2024 年国际内存研讨会（IMW）上，三星电子副总裁Lee Si-woo展示了新的 3D DRAM 技术，称随着市场的快速发展，尤其是人工智能领域，对先进 DRAM 技术的需求比以往任何时候都更加迫切。在 3D DRAM 架构的基础上，三星通过 DRAM 集成和性能的大幅提升，成功地大幅缩小了单元面积。图片来源：Samsung / Memcon三星/Memcon新的工艺采用了著名的"4F Square"单元结构，但 DRAM 晶体管是垂直安装的，这就是所谓的 VCT（垂直通道晶体管）技术。通过结合 4F Square 和 VCT 来改变单元结构，三星的目标是堆叠尽可能多的单元层，并以 16 层为目标，该公司很可能见证巨大的内存容量和性能提升。由于人工智能的炒作和消费者的需求，DRAM 市场出现了潜在的经济好转，看到市场上出现这样的发展令人兴奋，因为这不仅会带来创新，还会增加市场竞争，最终有利于普通消费者。不过，3D DRAM 目前仍是一个概念，三星自己也表示，该标准涉及复杂的制造技术，导致生产价格高昂。 ... PC版： 手机版：

三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年

三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年 就在进入10nm之后，三星将全面开启3D内存时代，首先引入VCT(垂直通道晶体管)，看起来应该是基础的FinFET类型，而非更先进的GAA。大约2030-2031年的时候，三星将升级到堆叠DRAM，将多组VCT堆在一起，从而获得更大容量、更高性能，看起来还会引入电容器作为辅助。 ... PC版： 手机版：

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。