SK 海力士:HBM 内存复合年增长率高达 70%,未来低价后有望进入消费级设备

SK 海力士:HBM 内存复合年增长率高达 70%,未来低价后有望进入消费级设备 天国的 R9 Fury、RX Vega56/64、VII( 70%看起来很高,但还赶不上需求增长率。等AI泡沫什么时候破的时候,多余产能就可以流向消费级了

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SK海力士四季度意外盈利:HBM3增长超过五倍 正在开发HBM4

SK海力士四季度意外盈利:HBM3增长超过五倍 正在开发HBM4 周四公布的财报显示,SK海力士去年Q4营收同比增长47%至11.31万亿韩元,高于分析师预期的10.4万亿韩元。运营利润3460.3亿韩元,好于分析师预期的亏损1699.1亿韩元,好于Q3的亏损1.79万亿韩元;净亏损1.38万亿韩元,超过了分析师预期的亏损0.41万亿韩元,但较前一季度亏损大幅缩窄。另外,Q4毛利润为2.23亿韩元,同比大增9404%;毛利润率为20%,为连续第三个季度回升;EBITDA(税息折旧及摊销前利润)为3.58亿韩元,同比增长99%。产品方面最亮眼的是,DDR5销售增长超过四倍,HBM3增长超过五倍。SK海力士表示,公司在筹备支持HBM3E方面稳步地取得进展,将推进大规模生产HBM3E,公司正处于开发下一代HBM4产品的正轨之上。DRAM销售稳步增长,由于平均售价上涨,芯片价格在减产后趋于稳定,该部门连续两个季度亏损后,在去年Q3开始扭亏为盈,相比之下,NAND复苏“相对缓慢”,公司将优先简化NAND(产品线的)投资流程和成本。2023年全年,SK海力士营收32.77万亿韩元,运营亏损达7.73万亿韩元。展望2024年,SK海力士预计2024年资本开支将较上年增加,今年将把资本开支的增幅最小化。公司预计2024年一季度DRAM BIT环比增速将位于10%-20%区间的中部,NAND BIG环比增速将位于0%-10%区间的中部,NAND BIT环比增速将位于0%-10%区间的中部。SK海力士发布财报的几天前,三星公布了令人失望的四季报,利润暴跌35%,反映出半导体市场低迷。但行业高管预计从2024年开始芯片行业将逐步反弹,特别是随着AI技术的加速发展以及更多利用新芯片技术的服务的出现。一些芯片巨头对行业复苏也持较为乐观的态度,台积电上周预计2024年收入将强劲增长,高端光刻设备制造商ASML Q4订单收入创纪录,净利润创历史新高。 ... PC版: 手机版:

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四年十倍 HBM市场有望继续爆炸式增长 SK海力士占据“半壁江山”

四年十倍 HBM市场有望继续爆炸式增长 SK海力士占据“半壁江山” 据了解,HBM存储系统自2023年以来因AI芯片需求而呈现爆炸式增长。SK海力士和美光()一样,均已成为英伟达()新款 AI GPU的HBM存储系统供应商,提供的产品均为最新款的“HBM3E”。高盛日前发布研报称,由于更强的生成式人工智能(Gen AI)需求推动了更高的AI服务器出货量和每个GPU中更高的HBM密度,该行大幅提高了HBM总市场规模预估,现在预计市场规模将从2022年到2026年前增长10倍(4年复合年增长率77%),从2022年的23亿美元增长至2026年的230亿美元。高盛认为,HBM市场供不应求的情况未来几年将持续,SK海力士、三星和美光等主要玩家将持续受益。与同行的解决方案相比,海力士生产力和产量更佳。高盛预计,海力士在未来2-3年将保持其50%以上的市场份额。高盛继续认为,三星是全球唯一有能力提供一站式HBM服务的公司,这可能会在长期内帮助其保有市场份额。高盛认为,随着行业需求日益转向HBM3E,美光将受益。高盛预期美光可能从2025年开始超越同行,但能否获得显著市场份额将取决于如何快速扩大其相对较小的HBM产能。高盛重申对海力士、三星和美光的买入评级。相关文章:SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据SK海力士计划在印第安纳州建造价值40亿美元的芯片封装厂 ... PC版: 手机版:

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加注AI SK海力士计划将HBM产能增加一倍以上 消息显示,韩国半导体制造商SK海力士(SK hynix Inc.)将扩大其高带宽内存(High Bandwidth Memory)生产设施投资,以应对高性能AI产品需求的增加。该公司计划,对通过硅通孔(TSV)相关的设施投资将比2023年增加一倍以上,力图将产能翻倍,并计划在2024年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品HBM3E。SK海力士财报显示,该公司第四财季实现了1131万亿韩元(约84.6亿美元)的营收和3460亿韩元(约2.59亿美元)的运营利润,这标志着该公司连续五个季度营业亏损后再度转为盈利。SK海力士扭亏为盈主要归因于HBM3(High Bandwidth Memory 3)和DDR5(Double Data Rate 5)的强劲销售。与上一年相比,SK海力士在2023年的DDR5和HBM3销售额分别增加了四倍和五倍以上。为了继续这一上升趋势,SK海力士计划开始大规模生产人工智能芯片HBM3E,并加快第六代HBM4的开发。“我们预计HBM3E产品在2024年将会有巨大的需求,计划在年初开始大规模生产。我们打算根据这一需求将TSV产能翻倍,”公司在一次电话会议中表示。关于是否追加投资,公司还表达了更谨慎的立场,“要等经过对长期需求、市场条件和供应链状况的慎重考虑后再做决定。”SK海力士计划准备生产MCRDIMM和LPCAMM2,前者是一种将多个DRAM集成到一个基板上的高容量服务器模块,后者是一种基于低功耗(LP) DDR5X的高性能移动模块,二者旨在满足AI服务器需求和设备端AI市场。在专注于生产高附加值产品的同时,SK海力士计划将资本支出的增长最小化,强调稳定的业务运营。“与上一年相比,我们将投资削减了一半以上,以应对需求疲软的情况。我们在2024年的策略是保持谨慎的态度,专注于确保增长和盈利的领域,同时避免增加投资导致进入供应过剩的周期。”首席财务官金宇贤表示。SK海力士解释说,自从2023年第三季度以,该公司来一直保持谨慎的生产策略,包括减产,导致销售超过了生产,随后改善了库存水平。“我们将继续保持谨慎的生产策略,直到2024年实现库存正常化,同时预计DRAM的产量将在上半年保持稳定,NAND闪存的产量将在下半年保持稳定,”该公司表示。分析师预计,该芯片制造商2024年的的运营利润将10万亿韩元(约合88.5亿美元)。还有分析师预计该公司2024年运营利润将达到10.6万亿韩元(约合94.2亿美元),分析师认为,主要因为人工智能芯片需求预计将增加。自2023年年初以来,SK海力士股价因其AI能力上涨近50%。 ... PC版: 手机版:

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SK 海力士、三星电子:整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存 2024-05-13 2024-05-02 2024-04-22 2024-03-21 2024-03-14 2024-03-07 2024-03-01 2024-02-23 2024-02-13

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最新数据显示,美国第三季度经济年增长率为2.9%,尽管对经济衰退的担忧不断增加,但美国有望在2022年的最后几个月再次看到经济扩张。 美国政府表示,经济的主要引擎消费者支出第三季度年增长率达到1.7%,之前估计涨幅为1.4%。

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把SK海力士拉下马 这是三星和美光的愿望 数据显示,这家全球第二大内存制造商的销售额在一季度增长了144%,达到 12.4 万亿韩元(约合 90 亿美元),远远超出预期。营业利润为 2.89 万亿韩元(去年的亏损为 2.6 万亿韩元),远超预期的 1.8 万亿韩元利润。这也是该公司有史以来第二高的第一季度营业利润。毫无疑问,HBM是SK海力士这波崛起的重要原因。SK海力士首席财务官 Kim Woohyun 也直言:“凭借 HBM 引领的 AI 内存领域业界最顶尖的技术,我们已经进入明显的复苏阶段。”但是,三星和美光却虎视眈眈。绝对王者关于HBM沿革,在半导体行业观察之前的文章《HBM的逆袭好戏》中,已经有了很详细的描述,在本文我们就不再赘言。然而,我们需要重申一下SK海力士在HBM市场的绝对影响力,以及他们的HBM带给市场的影响。据市场研究公司 TrendForce 称,SK 海力士去年以 53% 的市场份额领先 HBM 市场,其次是三星电子 (38%) 和美光 (9%)。最近,关于HBM有很多消息,但SK 海力士 HBM 设计主管 Park Myeong-Jae 在最近一篇博客中表示:“SK 海力士被公认为 HBM 市场无可争议的领导者。”他进一步指出,SK Hynix 于 2009 年开始开发 HBM 芯片。该公司预计高性能内存芯片的需求将会增加,并花了四年时间开发 HBM,专注于硅通孔 (TSV) 技术。该公司于 2013 年 12 月推出了首款 HBM 芯片。然而,SK海力士要在 HBM 上大显身手还有很长的一段路要走。因为在2010年代,计算机市场还没有成熟到可以接受当下“超出需要”的高速度、高容量的HBM产品。因此,SK海力士在第二代产品HBM2开发中遇到困难时,有许多人对HBM业务的前景表示担忧。Park Myeong-Jae 副社长将该时期描述为“在危机中发现机遇的时期”。于是,从HBM2E开始,SK海力士便以远超外界期待值为目标,并加强了团队协作。研发HBM需要将各种复杂技术巧妙结合,因此与相关团队合作解决挑战、创造协同效应尤为关键。得益于此,SK海力士取得了显著技术进步。也在MR-MUF、HKMG和 Low-K IMD 等主要基础技术上打下了基础。最终,凭借HBM3压倒性的性能与特性,SK海力士赢得了较高的市场份额。截止到现在,SK Hynix 是三家公司中第一家通过 NVIDIA 认证测试并成为主要供应商的公司。业内估计,SK Hynix 的 HBM3E 良率已经稳定,据报道其营业利润率是 DRAM(动态随机存取存储器)的两倍。Park Myeong-Jae介绍说:“SK海力士的HBM产品具备业界最佳的速度和性能。尤其是公司独有的MR-MUF技术,为高性能提供了最稳定的散热,为造就全球顶尖性能提供了保障。此外,SK海力士拥有快速量产优质产品的能力,对客户需求的响应速度也是首屈一指的。这些竞争优势的结合使HBM3E脱颖而出,跻身行业前列。”正因为如此,SK海力士的HBM受到了客户的高度欢迎。据外媒报道,SK 海力士目前为亚马逊、AMD、Facebook、Google (Broadcom)、英特尔、微软以及 NVIDIA 等客户生产各种类型的 HBM 内存。而由于芯片供应商希望确保对其成功至关重要的内存堆栈的供应,因此几个月前就已下达的 HBM 内存订单现在已经积压到 2025 年。与此同时,美光和三星正在紧追慢赶,美光在近日更是表示,预计明年将占据 HBM 市场的 20% 以上,这比目前的 9% 大幅提升。不甘人后作为HBM的后进者,美光科技和三星不甘人后。首先看美光,作为HBM三强中的最后一名,他们采取了大胆的战略举措,跳过第四代高带宽内存 (HBM) HBM3,直接进入第五代 HBM (HBM3E),旨在占据下一代 HBM 市场的很大份额。这一决定已经开始见效,美光获得了 NVIDIA 的订单,并开始增加供应量,最终于去年年底向 NVIDIA 全面供应 HBM3E。美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra在日前的财报会议上表示表示:“强劲的 AI 需求和强大的执行力使美光第三财季收入环比增长 17%,超出了公司的预期范围。美光在高带宽内存 (HBM) 等高利润产品的份额不断扩大。”“美光在第二财季开始出货 HBM3E 内存,并在第三财季从这些产品中获得了超过 1 亿美元的销售额。” Mehrotra说。他进一步指出,这些产品是盈利的。美光预计,在 2024 财年(仅剩一个季度),公司的HBM 内存将带来数亿美元的收入,在 2025 财年(从 2024 年 9 月开始,一直到 2025 年 8 月)将带来数十亿美元的收入。美光 2024 年和 2025 年的 HBM 供应已经售罄,2024 年全年和 2025 年大部分时间的定价已经确定。从长远来看,美光预计其在 HBM 市场的份额将在 2025 年左右与其在整个 DRAM 市场的份额大致相同。有趣的是,美光正在对其 12 高 HBM3E 堆栈进行送样,并将于 2025 年投入量产,并且它还计划在未来产品中采用 HBM 4 和 HBM4E。在HBM上备受打击的三星也重整旗鼓。如文章开头所说,尽管三星是业内最大的内存芯片制造商,但在 HBM 领域,它远远落后于全球第二大内存制造商 SK 海力士。据韩媒五月底的报道,SK海力士一直是英伟达公司 HBM 芯片的最大供应商,英伟达控制着人工智能计算任务核心图形处理单元 (GPU) 市场 80% 以上的份额。目前,这家韩国芯片制造商是英伟达第四代 HBM3 芯片的唯一供应商。在HBM等芯片的落后,促使三星在五月撤换了半导体领导人。拥有丰富经验的Jun Young-hyun临危受命,承担存储巨头研发和向英伟达出售HBM芯片的重任。但随后,有关三星HBM没能经过英伟达验证、三星HBM良率过低等新闻见诸报端。在六月底,有媒体报道称,英伟达要求三星更改其高带宽内存(HBM)的设计,这将导致供货进一步延迟。上述种种信息,三星都否认了。不过由此我们可以看到这家存储巨头在HBM上的挣扎。综上所述,SK海力士在HBM方面似乎短期无忧。但在扩大HBM3E产能方面,他们面临挑战。一位知情人士表示:“NVIDIA正在向SK海力士施压,要求其增加供应量,但随着HBM3E和上一代HBM3的投产,可用产能已接近饱和。”现代汽车证券研究员朴俊英也表示,“如果没有SK海力士以外的另外两家公司的帮助,NVIDIA将无法满足其HBM需求。”朴俊英预测,“HBM短缺的情况将持续到今年第四季度,如果这三家公司的CAPA不被纳入全球HBM CAPA,短缺可能会延续到2025年上半年。”为此,美光和三星迎难而上,SK海力士也以攻为守。硝烟再起作为领先者,SK海力士当然不愿意坐以待毙,这首先体现在公司在保证产能供给上做得努力。在日前,SK海力士宣布,根据投资计划,SK海力士到2028年将拨款103万亿韩元,其中80%(82万亿韩元)投向HBM等AI相关业务领域,以维持公司HBM的地位。在更早的四月,SK海力士曾表示,将斥资20万亿韩元(146亿美元)在忠清北道建设生产动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的M15X晶圆厂,以满足AI芯片热潮中不断增长的需求,巩固其在高性能存储芯片领域的地位。SK集团董事长崔泰源在六月中接受日本《日本经济新闻》采访时表示,该公司正在调查在日本和美国等国家生产高带宽存储器(HBM)的可能性。“除了增加国内生产(HBM),如果需要额外投资,我们还在不断调查是否可以在日本和美国等其他国家生产。”崔泰源表示。至于美光,据日经新闻援引消息人士报道,内存巨头美光科技正在美国建设一条先进高带宽内存(HBM)的试验生产线,并考虑首次在马来西亚生产HBM,以满足AI热潮带来的更多需求。报道称,美光公司正在美国爱达荷州博伊西市总部扩建HBM相关研发设施,包括生产和验证线。此外,美光公司还考虑在马来西亚建立HBM生产能力,目前该公司已经在马来西亚设有芯片测试和组装工厂。此前,美光最大的 HBM 生产工厂位于台湾台中,扩建工作也在进行中。而业内消息显示,美光预计将在新... PC版: 手机版:

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