华为公开四重曝光工艺专利 猜测能造5nm芯片

华为公开四重曝光工艺专利 猜测能造5nm芯片 比如为了造出2nm级工艺芯片，ASML已经打造了0.55 NA的新一代EUV极紫外光刻机，价格高达惊人的4亿美元左右。极其复杂的现代光刻机的一小部分在受到外部条件严重制约的情况下，以华为为代表的国内半导体企业已经不可能接触到这些尖端工艺，只能另辟蹊径，比如先进封装技术，比如多重曝光技术。简单地说，多重曝光就是将芯片电路掩膜图案的蚀刻分成多次完成，可以使用相对落后的技术和设备，达成和更先进工艺类似甚至更先进的结果，比如用7nm设备造出5nm芯片。其实，多重曝光也不是新鲜事物，半导体巨头们都尝试过，但它太过于复杂，需要执行的步骤更多，良品率和质量都难以保障。比如说，Intel第一代10nm工艺就尝试过多重曝光，最终也没能成功，对应的处理器(Cannon Lake)最终被迫取消，第二代成功量产但性能也达不到要求，频率根本就上不去，甚至无法用于桌面台式机。再比如，Intel即将量产的18A 1.8nm工艺，就因为等不到ASML的新一代高NA光刻机，只能使用现有设备加双重曝光来实现。华为这项专利早在2021年9月就申请了，正是华为被美国宣布制裁后的几个月。显然，华为早就有了技术储备，在危难时刻几乎立即就开始行动，深入相关研究，如今专利公开则意味着华为和相关行业伙伴已经取得了实质性的突破，甚至可能已经投入实用！华为这次公开的专利显示，其自对准四重图案化工艺可以分为七个步骤：1、在待刻蚀层的表面依次形成第一抗反射层、第一牺牲层、第二抗反射层和第一图案化硬掩膜层；2、对第一图案化硬掩膜层进行光刻形成第二图案化硬掩膜层；3、基于第二图案化硬掩膜层为掩膜对第二抗反射层和第一牺牲层进行刻蚀，形成第二图案化牺牲层；4、去除第二图案化硬掩膜层和第二抗反射层，并基于第二图案化牺牲层形成第三图案化硬掩膜层；5、对第三图案化硬掩膜层进行光刻形成第四图案化硬掩膜层；6、基于第四图案化硬掩膜层对第一抗反射层和待刻蚀层进行刻蚀，形成图案化的待刻蚀层。7、去除第四图案化硬掩膜层和第一抗反射层。也就是说，华为把传统一次完成的工作拆分成了四次，需要多达四层蚀刻，其难度可想而知。华为在专利中表示：“实施本申请实施例，可以提高电路图案设计的自由度。”外媒猜测，华为应该是和中芯等联合搞定的自对准四重图案化技术，完全可以造出5nm工艺的芯片。 ... PC版： 手机版：

【14nm芯片有望量产，华为手机未到落幕时】华为将在明年初发布新款Mate50系列旗舰手机，Mate50一部分采用麒麟990芯片

【14nm芯片有望量产，华为手机未到落幕时】华为将在明年初发布新款Mate50系列旗舰手机，Mate50一部分采用麒麟990芯片，一部分采用高通898芯片，不过也只有4G版本。一位接近电信运营商的行业人士表示，有华为销售人员目前给运营商的时间表是，“28nm明年就能够量产，14nm后年量产。” #抽屉IT

半导体工业协会称，华为2022年开始涉足芯片生产，并从政府获得了约300亿美元的国家资助。华为已经收购了至少2家现有工厂，并正在

半导体工业协会称，华为2022年开始涉足芯片生产，并从政府获得了约300亿美元的国家资助。华为已经收购了至少2家现有工厂，并正在建设至少3家工厂。这5家工厂主要位于深圳周边地区。该协会表示，如果工厂并未以华为的名义运营，供应商可能很难知道他们在与谁打交道。 半导体工业协会称，华为从福建省晋华集成电路有限公司和芯恩（青岛）集成电路有限公司收购了晶圆厂，并在帮助诸如深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司和深圳市鹏新旭技术有限公司等公司建立晶圆厂。此外，深圳市升维旭技术有限公司也与华为有关，主要生产用于可穿戴设备和电动汽车的存储芯片。 公开记录上，上述公司与华为没有关系。地方政府控制着福建晋华和青岛芯恩的股份。但福建晋华和鹏芯微此前都已被列入黑名单。彭博社此前曾报道称，鹏芯微由华为前高管运营，且公司设施位于华为主要办公区附近。 美国商务部已于2019年将华为列入实体清单。若半导体工业协会说法属实，华为能够以其他公司的名义建造和购买设备而不披露其参与情况，的确可能绕过美国限制来间接购买原本被禁止的设备。 美国商务部工业和安全局应询表示，正密切关注事态发展并准备在必要时采取行动。 半导体工业协会是一家总部位于华盛顿的游说团体，代表了包括英特尔、三星、台积电等全球多数半导体制造商。 （彭博社）