台积电准备迎接“Angstrom 14 时代”启动尖端1.4纳米工艺研发

台积电准备迎接“Angstrom 14 时代”启动尖端1.4纳米工艺研发 目前，台积电的 3 纳米工艺正处于开始广泛采用的阶段。因此，1.4 纳米工艺在进入市场之前还有很长的路要走，很可能会在 2 纳米和 1.8 纳米节点之后出现，这意味着你可以预期它至少会在未来五年甚至更长的时间内出现。著名分析师丹-尼斯泰德（Dan Nystedt）在台积电年度报告中向投资者披露了该公司的 1.4 纳米工艺。台积电表示，他们的 1.4nm 节点针对的是高端 SoC 和 HPC 应用，这可能表明他们的主要关注点正在从传统的移动和计算市场转向人工智能领域。台积电表示，他们可能会为 A14 工艺探索下一代 EUV 光刻技术，这意味着该工艺仍处于研发阶段。此外，这家台湾巨头还表示，他们已开始对 14A 以上的节点进行"探索性研究"，但这目前还只是猜测。不过，如果工艺缩减成为十多年后的发展方向，他们很可能会讨论 1 纳米及更高的工艺。台积电预计未来几年将大幅提高研发支出，而此前研发预算已经实现了 11.7% 的年同比增长，该公司表示，这完全是由于"针对 14 埃米、2 纳米和 3 纳米制程技术开展了更高水平的研究活动"。预计该公司将在台积电 2024 技术研讨会上披露更多相关细节，该研讨会将于今天开始举办，一直持续到 2024 年 6 月 28 日星期五。台积电预计未来将快速发展，未来五年的年复合增长率将达到较高的个位数。主要的催化剂是人工智能的炒作，其次是市场的巨大需求。关于该公司封装工作的细节，台积电表示，他们的 CoWoS-S 和 CoWoS-L 工艺已经准备好量产，预计将与即将推出的 HBM3E 存储器类型相结合，用于下一代人工智能加速器。此外，工艺升级也是切实可行的，未来可能会瞄准 HBM4，但相关细节尚未披露。台积电 1.4 纳米工艺的发展令人惊叹，因为这表明该行业丝毫没有懈怠，我们将见证一个技术奇迹投放市场，但这还很遥远。不过，从这家台湾巨头发布的年度报告来看，他们似乎已经为未来做好了准备，很有可能掌握半导体市场的主导权。台积电将与英特尔在通往半导体"Angstorm"时代的竞赛中展开竞争，英特尔已经宣布了其堆栈中的几个节点，最远也已经看到了我们在这里谈到的 14A。 ... PC版： 手机版：

联发科采用台积公司 3 纳米制程生产的芯片已成功流片，预计 2024 年量产

联发科采用台积公司 3 纳米制程生产的芯片已成功流片，预计 2024 年量产 联发科与台积公司今日共同宣布，联发科首款采用台积公司 3 纳米制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利，日前已成功流片，预计将在明年量产。 台积公司的 3 纳米制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持，还拥有更强化的性能、功耗以及良率。相较于 5 纳米制程，台积公司 3 纳米制程技术的逻辑密度增加约 60 %，在相同功耗下速度提升 18 %，或者在相同速度下功耗降低 32%。 联发科一直基于业界领先的制程工艺打造Dimensity 天玑旗舰芯片，满足用户需求。联发科首款采用台积公司 3 纳米制程的天玑旗舰芯片将于 2024 年下半年上市。

苹果公司将获得台积电首批2纳米制程芯片

苹果公司将获得台积电首批2纳米制程芯片 节点尺寸的缩小相当于晶体管尺寸的缩小，因此相同体积的处理器上可以安装更多的晶体管，从而提高运算能力并带来更低的功耗。今年，苹果公司的 iPhone 和 Mac 采用了 3 纳米芯片。iPhone 15 Pro机型中的 A17Pro芯片和 Mac 中的 M3 系列芯片都是基于 3 纳米节点制造的，是之前 5 纳米节点的升级版。从 5 纳米技术跃升到 3 纳米技术，iPhone 的 GPU 速度显著提高了 20%，CPU 速度提高了 10%，神经引擎速度提高了 2 倍，Mac 也有类似的改进。台积电正在兴建两座新工厂，以满足 2 纳米芯片生产的需要，并正在审批第三座工厂。台积电通常在需要提高产能以处理大量芯片订单时才会建造新的工厂，台积电正在为 2 纳米技术进行大规模扩建。在向 2 纳米技术过渡的过程中，台积电将采用带有纳米片的 GAAFET（全栅场效应晶体管），而不是 FinFET，因此制造工艺将更加复杂。GAAFET 能以更小的晶体管尺寸和更低的工作电压实现更快的速度。台积电正花费数十亿美元进行改造，苹果公司也需要改变芯片设计以适应新技术。苹果是台积电的主要客户，通常也是最先获得台积电新芯片的客户。例如，苹果在 2023 年收购了台积电所有的 3 纳米芯片用于 iPhone、iPad 和 Mac。在 3 纳米和 2 纳米节点之间，台积电将推出几款新的 3 纳米改进产品。台积电已经推出了增强型 3 纳米工艺的 N3E 和 N3P 芯片，还有其他正在开发的芯片，如用于高性能计算的 N3X 和用于汽车应用的 N3AE。有传言称，台积电已经开始研发更先进的 1.4 纳米芯片，预计最快将于 2027 年面世。据说苹果公司希望台积电为其独家保留 1.4 纳米和 1 纳米技术的初始制造能力。 ... PC版： 手机版：

工厂三连发制程步步高 台积电的日本“叙事”

工厂三连发制程步步高 台积电的日本“叙事” 工厂三连发、制程步步高，台积电究竟下的是一盘什么大棋？台积电的日本叙事会如何演绎？“二厂和三厂”接二连三台积电日本一厂的顺利推进，可谓开了一个好头。此厂于2021年11月宣告建厂、2022年4月动工，两年内完成建造，于2024年2月开幕，年底量产。其中，台积电占股70%，索尼约20%、丰田集团的电装约10%。规划产能为每月5.5万片12英寸晶圆，使用22/28nm至12/16nm工艺。如果说这步棋还算是“按部就班”的话，接下来的二厂和三厂就颇有深意了。据台积电的描述，新工厂将从今年底开始建设，并于2027年投产。随着熊本二厂投入运营，整个JASM熊本厂的产能将达到每月10万片12英寸晶圆，另外可提供6/7nm的制程技术。不止如此，台积电已经在考虑将3nm工艺的生产拓展至日本。根据消息，台积电已经告知供应链伙伴，考虑建设可生产3nm芯片的“熊本三厂”。对于这一新闻，一位业内人士陈宇（化名）直言，以往台积电在外地设厂一般只会转移次两代以下的节点，举例说台积电目前最先进为3nm，那么转移到日本最高只能是16nm，但现在直接宣称将3nm工艺转至日本，这非常不合情理，基本是将核心技术Know-how拱手相让了。但从时间线来看，可能还不会那么“冒进”。集微咨询指出，台积电在日本持续建厂，在节点上需要有一个递进。现在是一厂建成了，然后年底开始建二厂，到时候三厂估计也是二厂建成开工了之后开始兴建，可能再过差不多3年左右开工，加上建设时间或是6年之后了，即便是3nm制程，界时也已不算最先进的。初步按两年一个节点计算，工艺应该在3nm节点进阶了两三代。尽管台积电全球扩产正在落子，位于美国亚利桑那州的首家工厂计划于2025年投产，位于德国东部德累斯顿的工厂计划于2027年投产。但日本三厂连发背后，工艺从28nm到6nm再到3nm，一条涵盖成熟制程和先进工艺的“板块”悄然成形，着实值得深究。业内专家对集微网表示，台积电海外扩张、走全球扩充之路是符合美国利益的，而台积电在日本如此大张旗鼓，另建一条排除中国在外的代工链看起来渐次成形，也再次表明美国主导不可改变。而且，在台积电在美国建厂受多重因素影响步步为艰之际，日本的基础条件相比美国更优，在日本扩建符合各方利益。诚然，台积电日本建厂仍面临产能、盈利等挑战，但日本一个不断“升级”的先进工艺进阶路线却已在徐徐展开。二厂志在汽车芯片？不管3nm是不是台积电的“烟幕弹”，二厂却已板上钉钉，台积电发布公告以不超过52.62亿美元的额度增资JASM。此外，丰田汽车还作为新投资者入股JASM，并与索尼和电装共同成为其少数股东。台积电将持有JASM的86.5%的股权，而丰田汽车、索尼和电装则将分别持有2%、6%和5.5%的股权。值得关注的是，二厂工艺上看6nm。据规划，借由这两座晶圆厂，JASM熊本晶圆厂的每月总产能预计超过10万片12英寸晶圆，为汽车、工业、高性能计算等应用提供22/28nm、12/16nm和6/7nm的制程技术。上述专家指出，熊本一厂主要与索尼合作，为索尼ISP代工服务；熊本二厂工艺升级到6nm，则可能与丰田汽车紧密合作研究，开发自动驾驶和智能座舱芯片。对于台积电来说，这或是双重利好。集微咨询分析，目前汽车芯片代工最高工艺为5nm，不像手机芯片、GPU等那么极致追求最先进工艺，原因在于汽车芯片对安全性、稳定性方面要求更高，同时车规认证难度较大。近几年台积电也在发力车规芯片，毕竟这一蕴含巨大市场机会的赛道。2020年台积电推出了基于7nm汽车设计支持平台，该平台包揽了汽车芯片设计、制造、应用、生态等全流程。2022年三季度，台积电推出5nm汽车芯片平台“N5A”。该平台针对汽车座舱和自动驾驶，符合三大汽车工艺标准。凭借“台积电+高通”模式，在汽车芯片领域刮起一阵潮流。台积电代工的全球首款7nm汽车座舱芯片高通8155一战成名，其他厂商迅速跟进，将汽车座舱芯片快速迭代至7nm；而去年高通第四代座舱芯片骁龙8295采用5nm工艺，也再次推动着汽车芯片迭代升级。因而日本二厂的6nm布局之中，集微咨询认为，台积电一方面可成功进入日本汽车产业供应链，丰田或提供定制化芯片支撑产能；另一方面，将车规芯片向先进工艺推进，也将持续提升台积电的“利润池”，在后续汽车芯片代工市场中占据主导。日本代工“后发先至”而台积电之所以在日本不断“加仓”，不得不说日本政府“给力”。近年来，处在地缘博弈之中，加强半导体制造业回流、实现供应链自主安全成为半导体大国要务。日本政府也启动《半导体战略》，举全国之力推动代工业的发展，以重奏自己的强音。可以说日本政府的诚意十足，巨额的补贴、拨款也实打实的听得见响。台积电CEO魏哲家10月披露财报时表示，日本工厂预计在2024年年底开始量产，日本政府已决定向第一工厂提供最多4760亿日元的补贴。有分析称，补贴达投入42%之多。台积电还透露，这次增资将使JASM的总投资金额达到200亿美元。“熊本二厂”的资本支出大概为2万亿日元（约合130亿美元），其中日本政府考虑提供9000亿日元的补贴。相较之下，台积电美国亚利桑那州厂却卡关在补贴与劳工问题，后延一年至2025年；德国德勒斯登厂还在选址、劳工规划等前期作业之中。台积电日本一厂的顺利开幕，某种程度也是一种“敲打”。而且，除了台积电外，美光、三星电子、力积电等巨头也将成为日本的“座上宾”。加之日本政府还扶持了一家本土“芯片国家队”Rapidus，在着力2nm工艺量产。在一系列组合拳的带动下，日本在先进工艺也渐呈“后来居上”之势。众所周知，在台积电投资日本前，该国能生产的最先进工艺制程仅为40nm。如今，借助于台积电的力量，日本不仅将在22/28nm至6nm工艺制程“补短”，而且还将进一步加强日本在代工制造领域的自主性和安全性。陈宇进一步分析，日本在半导体设备和材料领域占据核心优势，在汽车芯片、传感器以及MCU等的产能需求也在走高，在补上了先进工艺这一重要“拼图”之后，预计日本在先进工艺市场将从2022年的没有显著份额提升到2027年的3%，日本半导体工艺或将突飞猛进，对于大陆代工业来说则更是警醒，唯有举国推进先进工艺的突破才能构筑坚固的自主堡垒。 ... PC版： 手机版：

台积电已在研发1.4nm制程工艺 预计2027到2028年量产

台积电已在研发1.4nm制程工艺 预计2027到2028年量产 在 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 期间台积电透露，该公司 1.4 nm制程工艺研发工作进展顺利。与以往制程命名不同，台积电的 1.4nm 制程工艺被命名为 A14。 台积电尚未透露 1.4nm 制程工艺的量产时间和具体参数，但考虑到 2nm 制程工艺在 2025 年量产，而 N2P 则定于 2026 年底量产，因此 1.4nm 制程工艺预计会在 2027 年到 2028 年量产。

台积电考虑在日本建第三座工厂生产三纳米芯片

台积电考虑在日本建第三座工厂生产三纳米芯片 据知情人士透露，台积电已告知供应链合作伙伴，公司考虑在日本南部的熊本县建设第三座芯片工厂，生产先进3纳米芯片，项目代号台积电Fab-23三期。 知情人士表示，目前尚不清楚何时开建第三工厂。3纳米芯片制程是目前商用的最先进芯片制造技术，不过等到新工厂量产时，3纳米可能会落后届时最新技术1-2个世代。 台积电在电邮声明中表示，公司进行必要投资以满足客户需求。在日本，公司目前专注于评估建设第二工厂的可能性，没有其他信息可以提供。