三星将在IEEE-SSCC上展示280层3D QLC NAND闪存和32Gb DDR5-8000内存

三星将在IEEE-SSCC上展示280层3D QLC NAND闪存和32Gb DDR5-8000内存 目前为旗舰 NVMe SSD 提供动力的最快 3D NAND 闪存类型的 I/O 数据传输速率大约为 2.4 GB/s。即将到来的 2024 年 ISSCC 日程表概述了高速内存的展示计划,其中包括基于三星和 SK Hynix GDDR7 规格的 37 Gb/s 和 35.4 Gb/s 变体。两家公司都打算利用创新的 PAM3 和 NRZ 信号技术,在图形存储器领域取得进步。虽然 GDDR7 内存(速度高达 32 Gb/s)已经正式发布,但三星和海力士正在以更快的内存开发速度进一步突破界限。美光(Micron)也加入了这场竞争,宣布致力于开发 36 Gb/s 的 GDDR7 内存,预计最早将于 2026 年投放市场。在这种竞争态势下,三星和海力士将首先推出速度稍低的模块,很可能在稍后阶段逐步推出 35 Gb/s 模块。接下来是新一代 DDR5 内存芯片,其数据传输率为 DDR5-8000,密度为 32 Gbit(4 GB)。该芯片采用对称马赛克 DRAM 单元架构,基于三星专为 DRAM 产品优化的第 5 代 10 纳米级代工节点制造。该芯片令人印象深刻的是,它允许 PC 内存供应商以 DDR5-8000 的速度构建 32 GB 和 48 GB DIMM(单排配置),以及 64 GB 和 96 GB DIMM(双排配置)(前提是平台能很好地使用双排的 DDR5-8000)。内存速度和带宽一览:[GDDR6/X] 256-bit @ 23 Gbps: 736 GB/s RTX 4080 SUPER[GDDR6] 384-bit @ 20 Gbps: 960 GB/s RX 7900 XTX[GDDR6/X] 384-bit @ 21 Gbps: 1.00 TB/s RTX 4090[GDDR6] 256-bit @ 24 Gbps: 768 GB/s[GDDR6] 384-bit @ 24 Gbps: 1.15 TB/s[GDDR7] 256-bit @ 32 Gbps: 1.00 TB/s[GDDR7] 384-bit @ 32 Gbps: 1.53 TB/s[GDDR7] 256-bit @ 37 Gbps: 1.18 TB/s[GDDR7] 384-bit @ 37 Gbps: 1.79 TB/s ... PC版: 手机版:

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SK hynix GDDR7内存将GPU带宽提升至160GB/秒 容量达24Gb 虽然有报道称第一代 GDDR7 内存产品将使用 28 Gbps 的芯片,容量为 16 GB(2 GB VRAM),但 DRAM 制造商并没有停止展示他们的下一代产品。在GTC 2024上,SK hynix展示了其GDDR7内存模块,它将提供40 Gbps的针脚速度,每个模块的带宽高达160 GB/s。GDDR7 标准的基准速度为 32 Gbps,每个模块的带宽为 128 GB/s,因此未来的 GDDR7 变体在带宽方面将提升 25%。三星也在加速 GDDR7 DRAM 的生产,该公司还在 GTC 上展示了其内存模块,不过是 16 Gb 和 32 Gbps 两种规格。该公司还展示了引脚速度 37 Gbps 的模块。此外,该公司还将推出不同容量的x显存,目前已上市的最高容量为 24 Gb,基准容量为 16 Gb。使用 16 Gb 模块可获得 2 GB 的 VRAM 容量,使用 24 Gb 模块可获得 3 GB 的 VRAM 容量。但我们已经报道过 JEDEC 公布的规格,这些规格证实 GDDR7 将达到 48 Gbps 的速度和 64 Gb 的密度(8 GB VRAM 容量)。这将标志着显存容量的大幅提升,256 位标准接口可提供 64 GB 容量。相比之下,目前 256 位总线接口使用 16 Gb DRAM 模块可达到的最大容量为 16 GB。24GB DRAM 模块可将容量提升至 24GB。但同样,这些速度和容量也不是我们一开始就能期待的。这样的规格可能要到 2026-2027 年之后才能实现,而现在距离 2026-2027 年还有很多年。以下是我们可以期待的第一代 GDDR7 内存产品:512 位/28 Gbps/32GB(最大内存)/1792 GB/s(最大带宽)384 位 / 28 Gbps / 24 GB(最大内存)/ 1344 GB/秒(最大带宽)256 位 / 28 Gbps / 16 GB(最大内存)/ 896.0 GB/秒(最大带宽)192 位 / 28 Gbps / 12 GB(最大内存)/ 672.0 GB/秒(最大带宽)128 位/28 Gbps/8GB(最大内存)/448.0 GB/s(最大带宽)以下是 SK hynix 40 Gbps 和 24 Gb GDDR7 DRAM 产品上市后的预期:512 位 / 40 Gbps / 48 GB(最大内存)/ 2560 GB/秒(最大带宽)384 位/40 Gbps/36 GB(最大内存)/1920 GB/秒(最大带宽)256 位/40 Gbps/24 GB(最大内存)/1280 GB/秒(最大带宽)192 位/40 Gbps/18 GB(最大内存)/960.0 GB/秒(最大带宽)128 位 / 40 Gbps / 12 GB(最大内存)/ 640.0 GB/秒(最大带宽)除了GDDR7内存模块,SK hynix还展示了DDR5 MCR DIMM,每个模块的容量达64 GB,速度达8800 MT/s,电压为1.1V。 ... PC版: 手机版:

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三星展示GDDR7内存模块:为下一代游戏GPU设计 16Gb密度32Gbps速率 三星将成为下一代 GDDR7 内存标准的主要供应商之一,该标准将成为下一代游戏 GPU 的主要标准。该公司早在 2023 年就宣布了开发计划,并将很快推出速度更快的变体,不过新标准的起点仍将是 32 Gbps 的速度。三星最初推出的 GDDR7 内存模块密度为 16GB,每个模块提供 2GB 容量。速度将设定为 32 Gbps(PAM3),并可降低至 28 Gbps,以提高产量和起步阶段的整体性能/成本。三星还表示,GDDR7 内存的能效将提高 20%,同时工作电压仅为 1.1V(低于 1.2V 标准)。其他特点还包括,由于采用了更新的封装材料和优化的电路设计,高速运行时的发热量降低,热阻比 GDDR6 降低了 70%。JEDEC 最近发布了 GDDR7内存规格,主要亮点包括:核心独立的 LFSR(线性反馈移位寄存器)训练模式,带有遮罩和错误计数器,可提高训练精度,同时缩短训练时间。独立通道数量增加一倍,从 GDDR6 的 2 个增加到 GDDR7 的 4 个。支持 16 Gbit 至 32 Gbit 密度,包括支持双通道模式,使系统容量翻倍。通过集成最新的数据完整性功能,包括带实时报告功能的片上 ECC (ODECC)、数据毒性、错误检查和擦除功能,以及带命令屏蔽功能的命令地址奇偶校验 (CAPARBLK),满足市场对 RAS(可靠性、可用性和可维护性)的需求。虽然 GDDR7 的规格更快,但这些都要等到 2025-2026 年才能实现。这又让我们回到了 28 Gbps GDDR7 显存颗粒上,英伟达下一代GeForce RTX 50"黑武士"游戏 GPU 已将其作为首选产品。到目前为止,传言中提到前三个芯片将使用 GDDR7 显存,这意味着入门级 SKU 目前可能会坚持使用 GDDR6(X),稍后在 GDDR7 成为可行的替代品时再转用 GDDR7。512 位/28 Gbps/32GB(最大内存)/1792 GB/s(最大带宽)384 位 / 28 Gbps / 24 GB(最大内存)/ 1344 GB/秒(最大带宽)256 位/28 Gbps/16GB(最大内存)/896.0 GB/s(最大带宽)192 位 / 28 Gbps / 12 GB(最大内存)/ 672.0 GB/秒(最大带宽)128 位/28 Gbps/8GB(最大内存)/448.0 GB/s(最大带宽)我们注意到,GDDR6 和 GDDR6X 内存模块的一个特点是超频变得非常容易。您可以轻松地手动将这些芯片设置为更高的频率,而且它们工作起来非常顺手。随着新显存产量的增加,首批 GDDR7 显卡可能会在今年晚些时候面世。这将是整个消费级显存市场的新起点,我们期待着它的发展。 ... PC版: 手机版:

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SK海力士将展示GDDR7、48GB 16层HBM3E和LPDDR5T-10533内存产品线 首先,SK 海力士将是继三星之后第二家展示 GDDR7 存储器芯片的公司。SK Hynix 芯片的速度为 35.4 Gbps,低于三星展示的 37 Gbps,但密度同样为 16 Gbit。这种密度允许在 256 位内存总线上部署 16 GB 视频内存。并不是所有的下一代 GPU 都能达到 37 Gbps 的最高速度,有些可能会以更低的显存速度运行,SK 海力士的产品线中也有合适的选择。与三星一样,SK Hynix 也采用了 PAM3 I/O 信号和专有的低功耗架构(不过该公司没有详细说明是否与三星芯片的四种低速时钟状态类似)。GDDR7 势必会在下一代游戏和专业视觉领域的显卡中占据主导地位;然而,人工智能 HPC 处理器市场仍将主要依靠 HBM3E。SK Hynix 在这方面进行了创新,并将展示全新的 16 层 48 GB(384 Gbit)HBM3E 堆栈设计,单个堆栈的速度可达 1280 GB/s。拥有四个这样堆栈的处理器将拥有 192 GB 内存,带宽为 5.12 TB/s。该堆栈采用了全功耗 TSV(硅通孔)设计和 6 相 RDQS(读取数据队列选通)方案,以优化 TSV 面积。最后,SK Hynix 还将在会上首次演示其面向智能手机、平板电脑和轻薄笔记本电脑的 LPDDR5T(LPDDR5 Turbo)内存标准。由于采用了专有的寄生电容降低技术和电压偏移校准接收器技术,该芯片可实现每引脚 10.5 Gb/s 的数据传输速率和 1.05 V 的 DRAM 电压。 ... PC版: 手机版:

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三星下月展示 37 Gbps GDDR7 内存 三星预计将展示一款数据传输速率为 37 Gbps、密度为 16 Gbit(2 GB)的 GDDR7 芯片。GDDR7 内存将使用 PAM3 和 NRZ 信号,目标是实现高达 37 Gbps 的数据传输速率/引脚。GDDR7 存储器的演进涉及提高信号传输速率和突发大小,而不大幅提升存储单元的内部时钟。这使得每个 GDDR 版本都能提高内存总线频率,从而提高性能。然而,随着频率提升变得复杂,业界正在探索其他解决方案。例如,GDDR6X 用 PAM4 编码取代了传统的 NRZ 编码,有效地将数据传输速率提高了一倍。由于波特率降低,PAM4 还能显著减少信号损耗。然而,GDDR7 将采用 PAM3 编码,这是 PAM4 和 NRZ 信号之间的折衷。这使得每个周期的数据传输速率高于 NRZ,从而降低了对更高内存总线频率的需求。GDDR7 的性能有望超过 GDDR6,同时功耗和实施成本也低于 GDDR6X。此外,GDDR7 还提供了优化内存效率和功耗的方法。其中包括四种不同的读取时钟模式,使其仅在需要时运行。GDDR7 内存子系统还可以并行发出两个独立命令,优化功耗。至于 GDDR7 的发布,预计将与AMD和NVIDIA 的下一代 GPU 一起推出,时间可能在今年晚些时候。预计 NVIDIA 和 AMD 都将在下一代 GPU 中采用 GDDR7。GDDR7 将于今年量产,并将在 NVIDIA 的 GeForce RTX 50 系列"Blackwell"显卡和 AMD Radeon RX 8000 系列 RDNA4 中使用。 ... PC版: 手机版:

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Rambus推出GDDR7内存控制器IP:提供48 Gbps速率和192GB/s带宽 人工智能 2.0 训练过程的输出是一个推理模型,可用于根据用户的提示创建新的多模态内容。由于准确性和保真度会随着模型规模的扩大而提高,因此推理模型的规模也在不断扩大。随着人工智能推理变得越来越普遍,并从数据中心转移到边缘和终端,这促使整个计算环境需要更强大的处理引擎和定制的高性能内存解决方案。GPU 一直是推理引擎的首选,在服务器和台式机等边缘和终端应用中,GPU 一直使用 GDDR6 内存。然而,GDDR6 已经达到了标准 NRZ 信号每秒 24 千兆比特(Gbps)数据传输速率的实际极限。为了满足未来 GPU 的带宽需求,需要使用新信号方案的新一代 GDDR。使用 PAM3 信号的 GDDR7 内存可将数据传输速率提高到 40 Gbps 或更高。Rambus介绍说:GDDR 目前已达到 GDDR7 规格水平,是当今最先进的图形内存解决方案,其性能发展蓝图达 48Gbps,每个 GDDR7 内存设备的内存吞吐量达 192 GB/s。在带宽这一关键参数上,GDDR7 内存确实大放异彩。在 32 Gbps 的数据传输速率和 32 位宽接口条件下,GDDR7 设备可提供 128 GB/s 的内存带宽,是任何其他解决方案的两倍多。GDDR7 内存为人工智能推理提供了最佳的速度、带宽和延迟性能。Rambus 已经在提供 HBM、PCIe 和 CXL 控制器 IP,现在又推出了业界首个GDDR7存储器控制器 IP。Rambus GDDR7 控制器支持 40 Gbps 运行,为 GDDR7 存储器设备提供160GB/s的吞吐量,比业界吞吐量最高的 GDDR6 控制器(同样来自 Rambus)提高了 67%。Rambus GDDR7 控制器实现了新一代 GDDR 内存部署,适用于人工智能加速器、图形和高性能计算 (HPC) 应用。Rambus GDDR7 控制器主要功能支持包括 PAM3 和 NRZ 信号在内的所有 GDDR7 链路功能支持多种 GDDR7 设备尺寸和速度经过优化,可在各种流量情况下实现高效率和低延迟灵活的 AXI 接口支持低功耗支持(自刷新、休眠自刷新、动态频率缩放等)可靠性、可用性和可维护性(RAS)功能如端到端数据路径奇偶校验、存储寄存器奇偶校验保护等。全面的记忆测试支持可为第三方 PHY 提供集成支持利用最新的 GDDR7 VIP 和内存供应商内存模型进行验证 ... PC版: 手机版:

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