华为四重曝光工艺专利公开，国产5nm芯片有戏

华为四重曝光工艺专利公开，国产5nm芯片有戏 去年国外权威科技媒体对通过双重曝光实现的7nm工艺麒麟芯片分析后认为，制造良率可能在50%，而通过SAQP实现的5nm芯片，良率可能低至20%左右。 2023-11-28

拆解显示华为Pura 70 Ultra的麒麟9010仍采用中芯国际的7nm工艺

拆解显示华为Pura 70 Ultra的麒麟9010仍采用中芯国际的7nm工艺 由于缺乏先进的制造设备，华为无法为 Pura 70 系列打造"下一代"5 纳米麒麟芯片，但它可能会在今年晚些时候的 Mate 70 系列中出现。尽管麒麟 9010 被认为是麒麟 9000S 的直接继承者，但 TechInsights 在对 Pura 70 Ultra 的最新拆解中发现，该芯片组仍坚持使用中国最大的半导体制造商中芯国际的 7nm 节点。当下华为除了重新使用这一技术别无选择，但据报道中芯国际将在今年晚些时候建立新的生产线来大规模生产 5nm 晶圆。这意味着麒麟 9010 需要推迟使用 5nm 工艺，或者华为将采用相同的 7nm 节点，这意味着华为必须对 SoC 进行大量调整，使其在性能和效率上与麒麟 9000S 有所区别。在与竞争对手的对比中，一系列测试显示，麒麟 9010 的性能比高通公司的 Snapdragon 8 Plus Gen 1 略低，而功耗却高出 30%，这一切都因为其使用了效率较低的架构。由于美国的出口管制禁令，华为无法使用台积电当前一代和更老的节点，现在只能依靠中芯国际。遗憾的是，这并不能解决问题。向包括台积电在内的全球客户提供尖端超紫外光（EUV）设备的荷兰公司 ASML 已被禁止向中国实体出售任何设备，这迫使中芯国际不得不重新利用其较旧的 DUV 硬件。虽然量产 5 纳米麒麟芯片组是可能的，但之前的一份报告称，在相同的光刻工艺下，芯片价格可能比台积电的芯片价格高出 50%。无论如何，华为能在贸易禁令下坚持生产麒麟 9010 芯片本身就是一个奇迹，因此该公司很可能很快就会找到某种方法，为即将推出的 Mate 70 系列量产 5nm SoC。 ... PC版： 手机版：

华为公开四重曝光工艺专利 猜测能造5nm芯片

华为公开四重曝光工艺专利 猜测能造5nm芯片 比如为了造出2nm级工艺芯片，ASML已经打造了0.55 NA的新一代EUV极紫外光刻机，价格高达惊人的4亿美元左右。极其复杂的现代光刻机的一小部分在受到外部条件严重制约的情况下，以华为为代表的国内半导体企业已经不可能接触到这些尖端工艺，只能另辟蹊径，比如先进封装技术，比如多重曝光技术。简单地说，多重曝光就是将芯片电路掩膜图案的蚀刻分成多次完成，可以使用相对落后的技术和设备，达成和更先进工艺类似甚至更先进的结果，比如用7nm设备造出5nm芯片。其实，多重曝光也不是新鲜事物，半导体巨头们都尝试过，但它太过于复杂，需要执行的步骤更多，良品率和质量都难以保障。比如说，Intel第一代10nm工艺就尝试过多重曝光，最终也没能成功，对应的处理器(Cannon Lake)最终被迫取消，第二代成功量产但性能也达不到要求，频率根本就上不去，甚至无法用于桌面台式机。再比如，Intel即将量产的18A 1.8nm工艺，就因为等不到ASML的新一代高NA光刻机，只能使用现有设备加双重曝光来实现。华为这项专利早在2021年9月就申请了，正是华为被美国宣布制裁后的几个月。显然，华为早就有了技术储备，在危难时刻几乎立即就开始行动，深入相关研究，如今专利公开则意味着华为和相关行业伙伴已经取得了实质性的突破，甚至可能已经投入实用！华为这次公开的专利显示，其自对准四重图案化工艺可以分为七个步骤：1、在待刻蚀层的表面依次形成第一抗反射层、第一牺牲层、第二抗反射层和第一图案化硬掩膜层；2、对第一图案化硬掩膜层进行光刻形成第二图案化硬掩膜层；3、基于第二图案化硬掩膜层为掩膜对第二抗反射层和第一牺牲层进行刻蚀，形成第二图案化牺牲层；4、去除第二图案化硬掩膜层和第二抗反射层，并基于第二图案化牺牲层形成第三图案化硬掩膜层；5、对第三图案化硬掩膜层进行光刻形成第四图案化硬掩膜层；6、基于第四图案化硬掩膜层对第一抗反射层和待刻蚀层进行刻蚀，形成图案化的待刻蚀层。7、去除第四图案化硬掩膜层和第一抗反射层。也就是说，华为把传统一次完成的工作拆分成了四次，需要多达四层蚀刻，其难度可想而知。华为在专利中表示：“实施本申请实施例，可以提高电路图案设计的自由度。”外媒猜测，华为应该是和中芯等联合搞定的自对准四重图案化技术，完全可以造出5nm工艺的芯片。 ... PC版： 手机版：

DUV光刻机从7nm再冲5nm？浸润光刻之父：行！但成本极高

DUV光刻机从7nm再冲5nm？浸润光刻之父：行！但成本极高 不过，林本坚表示，依靠现有的DUV光刻机（浸润式）制造出5nm晶片依然是可行的，但是至少需要进行4重曝光。不幸的是，这种工艺的缺点是不仅耗时，而且价格昂贵，还会影响整体良率。

【中芯国际去年已量产7nm工艺？】中芯国际在2021年7月为MinerVa生产MV7的矿机芯片，应该是利用其原有的量产“N＋1”

【中芯国际去年已量产7nm工艺？】中芯国际在2021年7月为MinerVa生产MV7的矿机芯片，应该是利用其原有的量产“N＋1”的产线。而且，中芯国际原有的14nm制程产线如果经过一些改造应该也可以用来生产“N＋1”或“N+2”工艺。 #抽屉IT

RTX 50升级台积电4NP工艺：但其实还是5nm

RTX 50升级台积电4NP工艺：但其实还是5nm 最新曝料显示，RTX 50系列的大核心GB202将使用和B100/B200同款的台积电4NP工艺，而不会使用台积电3nm。但事实上，无论4N还是4NP，其实都不是表面上看起来的4nm工艺，而本质上是5nm，只不过都是NVIDIA特别定制的，确实比常规的5nm强一些。至少，集成密度提升了30％，倒也配得上4N系列这样的命名，只是有点绕。另外，GB202的一级缓存也会大大增加，具体容量不详，但肯定明显多于GA102、AD102的区区128KB，这意味着单个SM阵列的吞吐量会有显著提升。GB202可能会延续384-bit显存位宽，也不排除升级到512-bit，搭配新一代GDDR7显存带宽将迅速膨胀，SM阵列数量则有望从144个大幅增加到192个。此外，RTX 50系列还会带来PCIe 5.0、DisplayPort 2.1。 ... PC版： 手机版：