三星将于2025年在其2纳米工艺中引入背面电源技术 芯片面积最多减少19%

三星将于2025年在其2纳米工艺中引入背面电源技术 芯片面积最多减少19% 这将是三星和台积电之间的一场竞争,双方都希望推出各自 2nm 节点的最佳版本。对于三星来说,来自《朝鲜日报》的报道称,背面电源技术有望改变游戏规则,而且初步测试结果已经超出了该公司的目标。至于具体的测试,据说三星已将该技术应用于两个未命名的 ARM 内核,芯片面积分别减少了 10% 和 19%。随着芯片面积的缩小,三星可以有效地开始批量生产标榜更小表面积的 SoC 设计,不仅如此,先前进行的测试还有助于成功地大幅提高性能和能效水平。正如报告所言,BSPDN 是一种尚未商业化的新工艺,但报告并未提及这是否是由于成本限制,或者是否没有过多考虑探索这项技术。无论如何,顾名思义,背面电源是放置在芯片背面的电源线,它将电路和电源空间隔开。这有助于最大限度地提高效率,同时也为提高半导体性能提供了机会。目前,电源线被放置在晶圆的顶部,因为电路就是在那里绘制的,一开始这会为制造过程带来便利,然而,随着电路变得越来越精细,随着电路间隙的缩小,干扰就会出现,从而给设计和批量生产带来更多困难,三星和台积电均已开始探索 2 纳米等先进节点,将电路和电源线刻在一面变得越来越困难。据说三星已经从一家日本初创公司获得了首批 2 纳米芯片订单,但目前还不清楚这批芯片是否采用了 BSPDN 技术。台积电还没有尝试使用背面电源技术的消息,因此从纸面上看,三星在这方面具有优势,但这种方法的成功与否还需要时间来证明。 ... PC版: 手机版:

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三星将于2027年推出1.4nm工艺、BSPDN背面供电及硅光子技术

三星将于2027年推出1.4nm工艺、BSPDN背面供电及硅光子技术 三星晶圆代工厂业务部门主管崔时荣(Siyoung Choi)在主题演讲中强调,高性能和低功耗芯片是实现AI的最重要因素。该公司还推出了一项名为“三星人工智能解决方案”的交钥匙一站式服务,可以让客户利用三星的晶圆代工、存储芯片和高级封装服务。三星表示,这将简化客户的供应链,并使其产品发布速度提升20%。该公司透露,在过去一年时间内,其AI相关订单猛增80%。此次论坛期间,三星还分享了将在2027年推出硅光子技术的计划,这也是三星首次宣布采用硅光子技术。该技术在芯片上利用光纤传输数据,相比传统线缆/电路可以大幅提升I/O数据传输速度。此外,三星也投资了硅光子技术公司Celestial AI。三星表示,采用BSPDN技术的2nm制程工艺也将于2027年推出。这一时间晚于其竞争对手英特尔将于2024年推出类似技术的计划。BSPDN技术将供电电路设计在晶圆背面,可以避开信号线,防止相互干扰。该技术可显著提升芯片功率、性能和面积效率。三星透露其2nm工艺路线图:用于移动领域的SF2和SF2P将分别于2025年和2026年推出;面向人工智能和高性能计算(HPC)的2nm工艺将于2026年推出,早于BSPDN工艺。该公司还将在2027年推出用于汽车的2nm工艺。三星重申,计划于2027年推出1.4nm工艺,目前正在确保该技术的性能和良率。该公司计划于2025年采用ASML High NA EUV光刻机,用于1.4nm制程芯片制造。 ... PC版: 手机版:

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AMD与三星将联手开发先进的3纳米芯片

AMD与三星将联手开发先进的3纳米芯片 相比之下,三星为客户提供了使用更新的全周栅极(GAAFET)晶体管的能力,这种晶体管可以让芯片设计人员改善产品内部的电力流动,但也有一些缺点。据《韩国经济日报》报道,三星和 AMD 预计将深化合作,利用 3 纳米工艺技术生产下一代芯片。目前,由于只有苹果公司的 Mac 系列使用台湾台积电生产的芯片,因此大多数个人电脑都无法使用这种技术生产的芯片。三星的 3 纳米与台积电的 3 纳米不同,因为它使用的是栅极环绕(GAAFET)晶体管。GAAFET 是一种升级版晶体管设计,优于 FinFET,它允许设计人员改进电流量,因为改进后晶体管的沟道可以完全被栅极环绕。GAAFET 晶体管使用纳米线或纳米片导电。这些都需要对导线或薄片进行权衡。虽然导线提高了效率,但其较小的面积限制了它们在某些产品(如应用处理器)中的应用。另一方面,纳米片允许更多电流流过,但传导效率却有所降低。三星代工厂的图表显示了晶体管从 FinFET 到 GAAFET 再到 MBCFET 的演变过程。 图片:三星电子报道援引 AMD 首席执行官苏姿丰(Lisa Su)最近在比利时举行的一次会议上分享的 GAAFET 晶体管优于 FinFET 晶体管的观点,证明两家公司有意深化合作关系。据《韩国经济日报》报道,苏姿丰介绍了她的公司采用全方位栅极技术批量生产 AMD 下一代产品的计划。由于三星是世界上唯一一家生产 3 纳米 GAAFET 产品的公司,分析家们认为,苏的评论是这家韩国公司生产 AMD 新芯片的线索,他还认为 3 纳米 GAAFET 在性能和效率方面都优于以前的技术。合同半导体制造行业目前的态势是三星和英特尔与台积电对峙。台积电在市场上占据主导地位,而它的两个大型竞争对手正忙于采用新技术,以确保在实力雄厚的竞争对手面前取得优势。英特尔正在研究名为高 NA EUV 的先进芯片制造设备,看能否降低制造成本和复杂性。另一方面,三星不仅比台积电更早开始生产 3 纳米产品,还在其产品路线图中更早引入先进的 GAAFET 晶体管,试图从台湾公司手中夺走 3 纳米产品的市场份额。另一方面,台积电多年来一直强调可以使用传统的 EUV 机器制造芯片,并宣布将在其 2 纳米工艺中改用纳米片晶体管。栅极周围晶体管也是更小特征尺寸的结果,因为这些晶体管越小,制造商在制造 FinFET 时就越困难。 ... PC版: 手机版:

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消息称三星获得2纳米人工智能芯片订单

消息称三星获得2纳米人工智能芯片订单 业界分析认为,三星电子之所以被PFN选定,是因为三星电子具备存储器和代工服务的综合能力,可以提供从高带宽存储器(HBM)设计到生产和先进的2.5D封装的全套解决方案。三星电子在去年6月公布了详细的2纳米制程路线图,在最先进的微处理器领域与世界领先的代工企业台积电展开了竞争。近期媒体报道称,台积电已经与苹果、英伟达等主要客户分享了其2纳米原型工艺的测试结果,并计划在2025年之前开始量产,台积电在2纳米领域的竞争中处于领先地位。但三星电子以积累的技术实力为基础,于2022年6月在世界上首次采用新一代栅极全能(GAA)晶体管的3纳米制程,决心在2纳米竞争中占据技术优势。业内人士表示:“从PFN等无晶圆厂企业的角度来看,三星电子和台积电尚未商用化的2纳米工艺的性能评价变数太多。重点可能放在供应链方面,例如HBM的顺利供应和减少对台积电的依赖,而不是工艺优势。” ... PC版: 手机版:

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消息称三星Exynos 2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺

消息称三星Exynos 2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺 现在,一份新的报告指出,Exynos 2500 将提高工艺标准,预计将使用第二代 3nm GAA(Gate-All-Around)工艺,以提高明年旗舰机型的性能与效率。据 Business Korea 报道,为了跟上台积电的步伐,三星将利用其第二代 3nm GAA 工艺量产 Exynos 2500。目前,这家韩国巨头是唯一一家在其移动芯片组中应用 Gate-All-Around 技术的代工厂,这可能使其在与台湾半导体竞争对手的第二代"N3E"节点的竞争中占据上风。该报告提到,Exynos 2500 将比 骁龙8 Gen 4 表现出更高的能效属性,但应该指出的是,这些说法是一位线人之前提出的。三星的 3nm GAA 工艺据说可以减少能量泄漏并提高电流驱动力。该公司声称,其第二代技术将把功耗降低 50%,性能提高 30%,面积缩小 35%。据悉,第一代 3 纳米 GAA 节点与三星的 5 纳米工艺相比有一系列改进,功耗降低了 45%,性能提高了 23%,面积缩小了 16%。对 Exynos 2500 的测试传闻称,后者已经在 CPU 和 GPU 测试中击败了高通公司的骁龙8 Gen 3,因此假设这一消息属实,那么三星的手机处理器芯片有了一个非常好的开始。不过,我们不应该在第一批基准测试结果出来之前就匆忙下结论,因此,尽管三星努力提升工艺与台积电保持竞争的做法值得称赞,但毕竟它已经让我们失望了很多次,而且是以相同的形式。相关文章:分析师称三星 Exynos 2500 性能有望超越骁龙8 Gen 4 ... PC版: 手机版:

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据传三星已启动代号为"Thetis"的 2 纳米芯片开发 可能首先将其用于Exynos

据传三星已启动代号为"Thetis"的 2 纳米芯片开发 可能首先将其用于Exynos 据报道,苹果公司首席运营官杰夫-威廉姆斯(Jeff Williams)最近访问了台湾,希望从台积电(TSMC)获得首批 2 纳米晶圆,Naver 也传出这家韩国公司将开始开发自己的 2 纳米工艺,代号为"Thetis"。忒提斯是希腊神话中的海神,也是特洛伊战争英雄阿喀琉斯的母亲。三星之所以选择这个名字,可能是因为 Thetis 一词的词源来自于"世世代代"。此前有报道称,三星将于 2025 年开始量产2 纳米 GAA 晶圆,预计其 3 纳米 GAA 技术将有三次迭代。第二代 3 纳米 GAA 节点据说将用于即将推出的 Exynos 2500,三星的目标是减少电流泄漏,提高这款芯片组的能效。据报道,随着"Gate All Around"技术被应用于 2 纳米光刻技术,三星可能会超越台积电的 2 纳米工艺。不幸的是,这家韩国代工厂面临的最大障碍一直是良品率。即使采用了 3 纳米 GAA 技术,三星的良品率也只有可怜的 20%,尽管它似乎已设法将这一数字提高到原来的三倍,但仍然落后于台积电。三星正在加快量产尖端硅片的步伐,因为它希望在未来发布的旗舰智能手机中保持较高的 Exynos 芯片组采用率。这将有助于减少三星对高通公司的依赖,降低其芯片组支出,由于三星推出的 Galaxy S23 系列完全采用骁龙 8 Gen 2,导致其 2023 年的芯片支出高达70 亿美元。在 2024 年第一季度的财务报告中,三星的营业利润比 2023 年第一季度猛增了933%,这表明该公司正在优化其各个业务部门,而这种做法对于提高其 2nm GAA 工艺的良品率大有裨益。 ... PC版: 手机版:

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AMD下一代CPU/GPU将引入三星4nm工艺

AMD下一代CPU/GPU将引入三星4nm工艺 近日有网友透露,AMD将采用三星4nm工艺制造客户端CPU和GPU芯片,首先引入的是低端APU芯片,并计划中长期内生产GPU芯片。AMD计划今年到明年推出一系列APU,主要针对移动平台,包括Strix Point、Kracken Point和Fire range等,有着较大的产能需求,且低端芯片对成本也更加敏感。为了争取更多订单,三星都倾向于给予更大的折扣优惠。之前曾传出,新一代Steam Deck将搭载AMD新款定制芯片,名为“Sonoma Valley”,采用Zen 5c架构内核,并选择三星4nm工艺。GPU方面,AMD接下来会引入RDNA 3+架构,比如用于Strix Point,暂时不清楚是否会有独立显卡采用的相同架构芯片。至于RDNA 4架构GPU,应该还会是继续由台积电代工。有消息称,AMD最初计划让三星为索尼PlayStation 5 Pro生产APU,但是后来取消了,不知道是性能或者功耗的问题,还是良品率导致成本的问题。 ... PC版: 手机版:

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