三星将于2027年推出1.4nm工艺、BSPDN背面供电及硅光子技术

三星将于2027年推出1.4nm工艺、BSPDN背面供电及硅光子技术 三星晶圆代工厂业务部门主管崔时荣（Siyoung Choi）在主题演讲中强调，高性能和低功耗芯片是实现AI的最重要因素。该公司还推出了一项名为“三星人工智能解决方案”的交钥匙一站式服务，可以让客户利用三星的晶圆代工、存储芯片和高级封装服务。三星表示，这将简化客户的供应链，并使其产品发布速度提升20%。该公司透露，在过去一年时间内，其AI相关订单猛增80%。此次论坛期间，三星还分享了将在2027年推出硅光子技术的计划，这也是三星首次宣布采用硅光子技术。该技术在芯片上利用光纤传输数据，相比传统线缆/电路可以大幅提升I/O数据传输速度。此外，三星也投资了硅光子技术公司Celestial AI。三星表示，采用BSPDN技术的2nm制程工艺也将于2027年推出。这一时间晚于其竞争对手英特尔将于2024年推出类似技术的计划。BSPDN技术将供电电路设计在晶圆背面，可以避开信号线，防止相互干扰。该技术可显著提升芯片功率、性能和面积效率。三星透露其2nm工艺路线图：用于移动领域的SF2和SF2P将分别于2025年和2026年推出；面向人工智能和高性能计算（HPC）的2nm工艺将于2026年推出，早于BSPDN工艺。该公司还将在2027年推出用于汽车的2nm工艺。三星重申，计划于2027年推出1.4nm工艺，目前正在确保该技术的性能和良率。该公司计划于2025年采用ASML High NA EUV光刻机，用于1.4nm制程芯片制造。 ... PC版： 手机版：

消息称三星Exynos 2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺

消息称三星Exynos 2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺 现在，一份新的报告指出，Exynos 2500 将提高工艺标准，预计将使用第二代 3nm GAA（Gate-All-Around）工艺，以提高明年旗舰机型的性能与效率。据 Business Korea 报道，为了跟上台积电的步伐，三星将利用其第二代 3nm GAA 工艺量产 Exynos 2500。目前，这家韩国巨头是唯一一家在其移动芯片组中应用 Gate-All-Around 技术的代工厂，这可能使其在与台湾半导体竞争对手的第二代"N3E"节点的竞争中占据上风。该报告提到，Exynos 2500 将比 骁龙8 Gen 4 表现出更高的能效属性，但应该指出的是，这些说法是一位线人之前提出的。三星的 3nm GAA 工艺据说可以减少能量泄漏并提高电流驱动力。该公司声称，其第二代技术将把功耗降低 50%，性能提高 30%，面积缩小 35%。据悉，第一代 3 纳米 GAA 节点与三星的 5 纳米工艺相比有一系列改进，功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面积缩小了 16%。对 Exynos 2500 的测试传闻称，后者已经在 CPU 和 GPU 测试中击败了高通公司的骁龙8 Gen 3，因此假设这一消息属实，那么三星的手机处理器芯片有了一个非常好的开始。不过，我们不应该在第一批基准测试结果出来之前就匆忙下结论，因此，尽管三星努力提升工艺与台积电保持竞争的做法值得称赞，但毕竟它已经让我们失望了很多次，而且是以相同的形式。相关文章:分析师称三星 Exynos 2500 性能有望超越骁龙8 Gen 4 ... PC版： 手机版：

AMD下一代CPU/GPU将引入三星4nm工艺

AMD下一代CPU/GPU将引入三星4nm工艺 近日有网友透露，AMD将采用三星4nm工艺制造客户端CPU和GPU芯片，首先引入的是低端APU芯片，并计划中长期内生产GPU芯片。AMD计划今年到明年推出一系列APU，主要针对移动平台，包括Strix Point、Kracken Point和Fire range等，有着较大的产能需求，且低端芯片对成本也更加敏感。为了争取更多订单，三星都倾向于给予更大的折扣优惠。之前曾传出，新一代Steam Deck将搭载AMD新款定制芯片，名为“Sonoma Valley”，采用Zen 5c架构内核，并选择三星4nm工艺。GPU方面，AMD接下来会引入RDNA 3+架构，比如用于Strix Point，暂时不清楚是否会有独立显卡采用的相同架构芯片。至于RDNA 4架构GPU，应该还会是继续由台积电代工。有消息称，AMD最初计划让三星为索尼PlayStation 5 Pro生产APU，但是后来取消了，不知道是性能或者功耗的问题，还是良品率导致成本的问题。 ... PC版： 手机版：

三星开始量产首款3nm Exynos芯片 Galaxy S25有望首发

三星开始量产首款3nm Exynos芯片 Galaxy S25有望首发 此外，工程师还使用Synopsys Fusion Compiler（电子设计自动化工具）来实现更高的性能、更低的功耗并优化芯片面积。三星和Synopsis声称，后者的设计自动化工具有助于将芯片的频率提高300MHz，同时将功耗降低10%。这些工具包括设计分区优化、多源时钟树综合（MSCTS）、智能线优化和更简单的分层方法。三星以前生产的芯片在持续使用情况下，常常会出现耗电量大和性能下降的问题，如今三星推出的GAA技术，有望解决这类问题。 ... PC版： 手机版：

三星晶圆代工厂最新消息：2nm工艺6月亮相 第二代SF3 3nm今年投产

三星晶圆代工厂最新消息：2nm工艺6月亮相 第二代SF3 3nm今年投产 SF2 将于六月亮相三星计划在 6 月 19 日举行的 2024 年超大规模集成电路研讨会（VLSI Symposium 2024）上披露其 SF2 制造技术的关键细节。这将是该公司基于全栅极（GAA）多桥沟道场效应晶体管（MBCFET）的第二个主要工艺节点。与前代产品相比，SF2 将采用"独特的外延和集成工艺"，这将使该工艺节点比基于 FinFET 的传统节点具有更高的性能和更低的漏电率（尽管三星并未透露与之比较的具体节点）。三星表示，SF2 使 N 型和 P 型窄晶体管的性能分别提高了 29% 和 46% ，使宽晶体管的性能分别提高了 11% 和 23%。此外，与 FinFET 技术相比，它还将晶体管的全局变化减少了 26%，并将产品漏电率降低了约 50%。该工艺还通过加强与客户的设计技术合作优化 (DTCO) 为未来的技术进步奠定了基础。在 SF2 的背景下，三星没有提到的一点是背面电源传输，因此至少目前没有迹象表明三星将在 SF2 上采用这种下一代电源路由功能。三星表示，SF2 的设计基础架构（PDK、EDA 工具和授权 IP）将于 2024 年第二季度完成。一旦完成，三星的芯片开发合作伙伴就可以开始为这一生产节点设计产品。同时，三星已经开始与 Arm 合作，针对 SF2 工艺共同优化 Arm 的 Cortex 内核。SF3：2024 年下半年有望实现作为首家推出基于 GAAFET 节点的工厂，三星一直处于芯片制造的最前沿。但与此同时，这也意味着他们是第一个遇到并解决如此重大的晶体管设计变更所带来的不可避免的磨合问题的工厂。因此，虽然三星的第一代 SF3E 工艺技术已经投产不到两年时间，但迄今为止公开披露的采用该工艺制造的芯片都是相对较小的加密货币挖矿芯片这正是在新工艺节点上表现出色的流水线部件。有了这些经验，三星正准备利用 GAAFET 制作更大更好的芯片。作为其财报公告的一部分，该公司已确认其去年推出的更新 SF3 节点仍将按计划于 2024 年下半年投入生产。SF3 从一开始就是一个更加成熟的产品，准备用于制造更大的处理器，包括数据中心产品。与它的前身 SF4 相比，SF3 承诺在相同功耗和晶体管数量下性能提升 22%，或在相同频率和复杂度下功耗降低 34%，逻辑面积减少 21%。总体而言，三星对这项技术寄予厚望，因为这一代 3nm 级技术有望与台积电的 N3B 和 N3E 节点相抗衡。SF4：准备进行 3D 堆叠最后，三星还在准备将其最终 FinFET 技术节点 SF4 的一个变体用于 3D 芯片堆叠。随着晶体管密度的提高不断放缓，三维芯片堆叠已成为不断提高整体芯片性能的一种方法，尤其是在现代多层处理器设计中。有关该节点的详细信息还很有限，但三星似乎正在做出一些改变，以考虑/优化在三维堆叠设计中使用 SF4 芯片的情况，在这种设计中，芯片需要能够上下层通信。根据该公司的第一季度财务报告，三星预计将在本季度（第二季度）完成堆叠芯片 SF4 变体的准备工作。 ... PC版： 手机版：

三星电子携手Preferred Networks 首次公开获得2纳米AI芯片代工大单

三星电子携手Preferred Networks 首次公开获得2纳米AI芯片代工大单 三星表示，这些芯片将采用被称为全环绕栅极(GAA)的高科技芯片架构，多个芯片将集成在一个封装中，以提高互连速度并缩小尺寸。三星表示，该芯片由韩国高芯公司设计。Preferred Networks副总裁兼计算架构首席技术官Junichiro Makino在声明中表示，这些芯片将用于Preferred Networks的高性能计算硬件，以支持大型语言模型等生成式人工智能技术。 ... PC版： 手机版：