英特尔完成首台商用高数值孔径 EUV 光刻机组装

英特尔完成首台商用高数值孔径 EUV 光刻机组装 4 月 18 日，美国芯片公司英特尔宣布，已接收并完成组装业界首台商用高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻机。据介绍，这套重达 165 吨的设备是阿斯麦（ASML）与英特尔合作数十年后开发的新一代光刻设备，现位于俄勒冈州的 D1X 制造工厂，正在进行最后的校准。 来源：财经慢报频道

阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机，买家身份成谜

阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机，买家身份成谜 然而，ASML 对买家身份讳莫如深，只能猜测其身份，路透社指出英特尔、台积电和三星都是潜在客户。事实上，英特尔已经购买了首台高数值孔径 EUV 光刻机，用于其即将推出的 14A 制程节点。正如 ASML 在提交给美国证券交易委员会的文件（第 13 页）中提到的，英特尔在 2024 年初于其位于俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂接收了首台 TWINSCAN EXE:5200 系统。台积电和三星也已经确认有意采用 ASML 的高数值孔径 EUV 光刻机。

英特尔包圆 ASML 初始产能，获得今年全部高数值孔径 EUV 光刻机

英特尔包圆 ASML 初始产能，获得今年全部高数值孔径 EUV 光刻机 TheElec 表示，ASML 截至明年上半年绝大部分高数值孔径 EUV 设备的订单已经由英特尔承包，包括今年计划生产的五套设备将全部运给这家美国芯片制造商。 2023-12-22 2024-04-18

阿斯麦今年将向台积电和三星交付价值3.8亿美元的高数值孔径极紫外光刻机

阿斯麦今年将向台积电和三星交付价值3.8亿美元的高数值孔径极紫外光刻机 总部位于荷兰的阿斯麦今年将向台积电和三星电子出货其最新的芯片制造设备。据该公司发言人称，阿斯麦首席财务官罗杰·达森在最近的电话会议上告诉分析师，阿斯麦的三大客户台积电、英特尔和三星都将在今年年底前获得高数值孔径极紫外光刻机。英特尔已经订购了最新的高数值孔径极紫外光刻机，并于去年12月底送往俄勒冈州的制造工厂。目前尚不清楚阿斯麦最大的 EUV 客户台积电何时会收到这台设备。这家台湾芯片制造商的一位代表表示，该公司与供应商密切合作，并拒绝进一步置评。

英特尔率先组装ASML新一代光刻机 “不想再犯过去的错误”

英特尔率先组装ASML新一代光刻机 “不想再犯过去的错误” 在与记者的交流中，英特尔光刻主管马克·菲利普斯（Mark Phillips）表达了对其决策的坚定信心：“我们在决定购买这些设备时就已经认可了它们的价格。如果我们不认为这些设备物有所值，我们根本不会采购。”阿斯麦是欧洲最大的科技公司，在光刻机市场占据主导地位。光刻机是一种利用光束帮助制造芯片电路的设备。光刻技术是芯片制造商用以提升芯片性能的核心技术之一，它决定了芯片上晶体管的最小宽度晶体管宽度越小，芯片的处理速度通常越快，能效也越高。新一代高数值孔径（High NA）光刻工具预计能大幅减小晶体管的宽度，达到原来的三分之一。然而，芯片制造商必须在这种显著的成本提升和技术优势之间进行权衡，并考虑现有技术的可靠性是否已足够满足需求。英特尔的错误英特尔决心率先采用高数值孔径极紫外光刻机并非偶然。英特尔虽曾参与开发极紫外光刻技术，但在开始使用阿斯麦首款极紫外光刻机上却晚于其竞争对手台积电。英特尔首席执行官帕特·盖尔辛格（Pat Gelsinger）承认，这是一个严重的失误。与此同时，英特尔专注于所谓的“多重曝光”技术的开发，其本质是使用分辨率较低的光刻机对晶圆进行多次光刻，以达到与高端机器相同的效果。菲利普斯表示：“那就是我们开始遇到麻烦的时候。”尽管传统的DUV光刻机成本较低，但复杂的“多重曝光”操作耗时且降低了芯片的良品率，这减缓了英特尔的业务发展。英特尔目前已经在制造最关键的芯片部件时使用了第一代极紫外光刻机，菲利普斯预计，转用高数值孔径极紫外光刻机将会更加顺利。他说：“现在我们已经有了期待已久的新一代极紫外光刻机，我们不想再犯过去的错误。”菲利普斯还表示，位于俄勒冈州希尔斯伯勒园区的这台新机器预计将在今年晚些时候全面投入使用。英特尔计划在2025年使用这台巨大的机器开发14A代芯片，并预计在2026年开始初步生产，到2027年实现全面商业化生产。阿斯麦在本周公布的最新财报中表示，已开始向一位客户发运第二套高数值孔径极紫外光刻机。这位客户可能是台积电或三星。由于这些大型设备的运输和安装可能需要长达六个月的时间，因此英特尔此举已经占据了先机。（辰辰） ... PC版： 手机版：

单价4亿美元的光刻机 ASML又卖了一台

单价4亿美元的光刻机 ASML又卖了一台 ASML 首席商务官 Christophe Fouquet 在该公司与分析师和投资者举行的财报电话会议上表示：“关于 High-NA（即 0.55 NA EUV），我们向客户交付了第一个系统，该系统目前正在安装中。” “我们本月开始发货第二个系统，安装也即将开始。”ASML 于 2023 年底开始向英特尔交付其首款高数值孔径 EUV 光刻工具 Twinscan EXE:5000。英特尔将使用该系统来学习如何使用此类机器，并将将该系统与英特尔一起投入14A 制造工艺的大规模生产。这还需要几年时间。通过尽早开始研究基于高数值孔径 EUV 的工艺技术，英特尔将能够制定下一代光刻的行业标准，这有望在未来几年成为竞争优势。ASML方面表示：“在 2 月份的 SPIE 行业会议上，我们首次宣布了位于 Veldhoven 的 ASML-Imec High-NA 联合实验室中的 High-NA 系统的亮相。” “此后，我们获得了第一张图像，分辨率低于 10 纳米，创下了新纪录，并预计在未来几周内开始曝光晶圆。所有高数值孔径客户都将使用该系统来尽早进行工艺开发。”虽然台积电和Rapidus似乎并不急于采用高数值孔径EUV光刻系统进行量产，但他们仍然必须在未来的某个时候这样做，这就是为什么ASML对这项技术的未来持乐观态度。事实上，全球最大的晶圆厂工具制造商正在探索 Hyper-NA、EUV 光刻工具，其投影光学器件的数值孔径高于 0.7。“客户对我们的 [高数值孔径] 系统实验室的兴趣很高，因为该系统将帮助我们的逻辑和内存客户为将高 NA 插入他们的路线图做好准备，”Fouquet 说。“相对于 0.33 NA，0.55 NA 系统提供了更精细的分辨率，在相似的生产率下，晶体管密度几乎增加了 3 倍，支持低于 2 纳米的逻辑和低于 10 纳米的 DRAM 节点。”近日，ASML 宣布其首款具有 0.55 数值孔径 ( High-NA ) 投影光学器件的极紫外 (EUV) 光刻工具已打印出第一个图案。该公告对于 ASML 和高数值孔径 EUV 光刻技术来说都是一个重要的里程碑。ASML 在一份声明中写道：“我们位于 Veldhoven 的高数值孔径 EUV 系统打印了有史以来第一条 10 纳米密集线。” “成像是在光学器件、传感器和平台完成粗略校准后完成的。下一步：使系统充分发挥性能。并在现场取得相同的结果。”ASML 似乎是第一家宣布使用高数值孔径 EUV 光刻系统成功图案化的公司，这对于整个半导体行业来说是一个重要的里程碑。ASML 将仅将其 Twinscan EXE:5000 用于自己的开发和完善自己的技术。相比之下，英特尔将使用其 Twinscan EXE:5000 来学习如何使用高数值孔径 EUV 光刻技术来批量生产芯片。英特尔将通过其英特尔18A（1.8纳米级）工艺技术将该工具用于研发目的，并计划部署下一代Twinscan EXE：5200扫描仪在其14A（1.4纳米级）生产节点上制造芯片。ASML 的 Twinscan EXE:5200 配备 0.55 NA 镜头，设计用于打印 8 纳米分辨率的芯片，这比当前 EUV 工具的 13 纳米分辨率有了显着改进。与低数值孔径工具相比，该技术可通过单次曝光打印尺寸小 1.7 倍的晶体管，并实现高 2.9 倍的晶体管密度 。尽管低数值孔径系统可以匹配此分辨率，但它们必须使用昂贵的双图案技术。实现 8 纳米对于制造 3 纳米以下工艺芯片至关重要，这些芯片预计将于 2025 年至 2026 年问世。高数值孔径 EUV 技术的引入将消除对 EUV 双图案化的需求，从而简化生产流程，潜在地提高产量并降低成本。然而，每个高数值孔径工具的成本高达 4 亿美元，并带来了众多挑战，这使得向领先工艺技术的过渡变得复杂（将在本世纪下半叶发生）。 ... PC版： 手机版：