JEDEC确认用于台式PC的CAMM2内存：17.6Gbps的DDR6和14.4Gbps的LPDDR6

JEDEC确认用于台式PC的CAMM2内存：17.6Gbps的DDR6和14.4Gbps的LPDDR6 我们已经看到 LPDDR5(X/T) 变体在一系列其他产品中的应用，最近的产品是LPCAMM2 模块，由于其模块化外形尺寸小，并提供更高的容量和升级选项，它将彻底改变 PC市场。关于对 LPDDR6 内存的预期，Synopsys 将 14.4 Gbps 的数据传输速率作为该标准的最高定义，入门速率为 10.667 Gbps。LPDDR6 还将使用由两个 12 位子通道组成的 24 位宽通道，入门带宽可达每秒 28 GB，使用最快的 14.4 Gbps 模式时，带宽可达每秒 38.4 GB。至于 DDR6，据说该内存的初始草案将于今年制定，预计将于 2025 年第二季度发布 v1.0 规格。至于内存速度，DDR6 内存标准将采用 8.8 Gbps 的导入速度，最高可达 17.6 Gbps。预计 DDR6 将进一步扩展到 21 Gbps，这是一个非常高的带宽，在 PAM 信号标准中还提到了 NRZ。目前，最快的 DDR5 内存 DIMM 的内存速度可达 9000 MT/s，我们已经看到超频速度超过 11000 MT/s，但 DDR6 内存甚至不需要超频就能轻松突破 10K MT/s 大关，超频速度可能超过 20K MT/s。另一个值得关注的话题是 CAMM2 内存标准，美光、三星、SK hynix 甚至中国制造商龙芯中科都采用了这一标准。CAMM2 是下一代标准，它解决了传统 SO-DIMM 和 DIMM 内存的几个问题，如可升级性、可维修性、主板复杂性和功耗。它得到了内存供应商的广泛支持。目前，CAMM2 基于 DDR5、LPDDR5 和 LPDDR5X 标准，容量高达 256 GB。JEDEC 还谈到了下一代 LPDDR6 CAMM2，它将进一步完善 CAMM2 模块，提供与我们刚才提到的同样快的速度，而且还消除了现有设计中对螺丝的需求。最重要的一张幻灯片让我们提前看到了未来用于台式机和服务器 PC 的双通道CAMM2 内存解决方案。CAMM2 DIMM 将不再垂直放置，而是水平放置，目前最多展示了两个 DIMM。CAMM2 不再需要焊接连接器，而是将拓扑结构完全转移到模块上。这一新设计可在台式 PC 平台上实现最高性能和最大容量。这肯定需要一种全新的主板设计方法，而且我们预计这种设计不会很快推出，但我们可以预计某些主板供应商，特别是那些通过超频（2DIMM 设计）来挑战内存极限的供应商将来会使用 CAMM2 DIMM。 ... PC版： 手机版：

SK海力士发布2023财年第三季度财务报告

SK海力士发布2023财年第三季度财务报告 SK海力士解释道：“因高性能半导体存储器产品为中心的市场需求增加，公司业绩在第一季度低点过后持续改善，特别是面向AI的代表性存储器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等主力产品的销售势头良好，与上季度相比营业收入增长24%，营业损失减少38%。” 顺应这一趋势，SK海力士决定加大对HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等高附加值主力产品的投资。公司将进行以第四代10纳米级(1a)和第五代10纳米级(1b)DRAM为中心的生产线转换，同时扩大对HBM TSV技术的投资。

JEDEC公布LPDDR6 LPCAMM2的图像和详细信息

JEDEC公布LPDDR6 LPCAMM2的图像和详细信息 根据 JEDEC 规格，LPCAMM2 模块上 LPDDR5 的总线速度峰值预计为 9.2 GT/s，但 LPDDR6 将把这一速度提高到 14.4 GT/s，即大约提高 50%。然而，目前零售市场上使用 LPDDR5X 的最快也是唯一的 LPCAMM2 模块的速度为 7.5 GT/s，这表明 LPDDR6 的推出速度最终将与峰值速度相去甚远。LPDDR6 CAMM2 模块还将有其他一些有趣的变化，每个模块将从 128 位变为 192 位，每个通道将从 32 位变为 48 位。部分原因是 LPDDR6 将采用 24 位通道宽度，由两个 12 位子通道组成，这在昨天的新闻中已经提到。LPDDR6将支持本机ECC（纠错码）或EDC（错误检测码），但目前还不完全清楚如何在系统层面上实现这一点。JEDEC 还在考虑为 CAMM2 和 LPCAMM2 内存模块开发无螺丝解决方案，但目前还没有明确的文档。除此之外，我们还可能在台式机上看到通过 LPCAMM2 模块实现的 LPDDR6，尽管演示文稿中只提到了台式机上会出现 CAMM2，但我们已经看到微星正在研究这一点。相关文章:JEDEC确认用于台式PC的CAMM2内存：17.6Gbps的DDR6和14.4Gbps的LPDDR6微星打造全球首款DDR5 CAMM2内存主板 ... PC版： 手机版：

高通公司可能为其即将推出的骁龙 8 Gen 4提供LPDDR6内存支持

高通公司可能为其即将推出的骁龙 8 Gen 4提供LPDDR6内存支持 LPDDR5 RAM 芯片的图像对更快、更高效内存的需求很快就会在智能手机和芯片组制造商中普及开来，使他们能够运行大量的设备上人工智能模型。早前的一份报告估计，未来的手机至少需要 20GB 内存才能运行这些模型，而 LPDDR6 可能会提供更高的带宽，从而不会造成性能瓶颈。在这方面，Ajnews 报道称，高通公司的目标是超越苹果等竞争对手，因为其骁龙 8 Gen 4 可能会支持 LPDDR6。就像联发科Dimensity 9300一样，骁龙8 Gen 3已经通过了LPDDR5T的验证，早在去年 11 月，SK hynix 就宣布将为采用 Dimensity 9300 的智能手机出货首批 LPDDR5T 内存芯片。据传，vivo X100 Pro 将采用这一尖端技术，但在其规格页面上，它仍被列为采用较旧的 LPDDR5X 内存。而骁龙 8 Gen 4 有可能再进一步，获得对 LPDDR6 的支持，但这将由高通公司的合作伙伴最终决定。至于苹果，众所周知，这家科技巨头采用最新标准的时间通常比竞争对手晚得多，因此，A18 Pro 不支持 LPDDR6 内存也就不足为奇了。虽然这可能意味着 iPhone 16 Pro 和 iPhone 16 Pro Max 可能无法更高效地运行设备上的大型语言模型（LLM），但据说苹果正在探索将LLM 存储在 NAND 闪存上，这意味着理论上 RAM 容量有限的设备可以支持设备上的人工智能。LPDDR6 的最大带宽尚未定稿，LPDDR5T 的最大运行速度为 9.6Gbps。 ... PC版： 手机版：

SK海力士将展示GDDR7、48GB 16层HBM3E和LPDDR5T-10533内存产品线

SK海力士将展示GDDR7、48GB 16层HBM3E和LPDDR5T-10533内存产品线 首先，SK 海力士将是继三星之后第二家展示 GDDR7 存储器芯片的公司。SK Hynix 芯片的速度为 35.4 Gbps，低于三星展示的 37 Gbps，但密度同样为 16 Gbit。这种密度允许在 256 位内存总线上部署 16 GB 视频内存。并不是所有的下一代 GPU 都能达到 37 Gbps 的最高速度，有些可能会以更低的显存速度运行，SK 海力士的产品线中也有合适的选择。与三星一样，SK Hynix 也采用了 PAM3 I/O 信号和专有的低功耗架构（不过该公司没有详细说明是否与三星芯片的四种低速时钟状态类似）。GDDR7 势必会在下一代游戏和专业视觉领域的显卡中占据主导地位；然而，人工智能 HPC 处理器市场仍将主要依靠 HBM3E。SK Hynix 在这方面进行了创新，并将展示全新的 16 层 48 GB（384 Gbit）HBM3E 堆栈设计，单个堆栈的速度可达 1280 GB/s。拥有四个这样堆栈的处理器将拥有 192 GB 内存，带宽为 5.12 TB/s。该堆栈采用了全功耗 TSV（硅通孔）设计和 6 相 RDQS（读取数据队列选通）方案，以优化 TSV 面积。最后，SK Hynix 还将在会上首次演示其面向智能手机、平板电脑和轻薄笔记本电脑的 LPDDR5T（LPDDR5 Turbo）内存标准。由于采用了专有的寄生电容降低技术和电压偏移校准接收器技术，该芯片可实现每引脚 10.5 Gb/s 的数据传输速率和 1.05 V 的 DRAM 电压。 ... PC版： 手机版：

第三季度DRAM和VRAM价格有望攀升 这要归功于服务器的需求

第三季度DRAM和VRAM价格有望攀升 这要归功于服务器的需求 TrendForce 的最新报告预测，今年第三季度 DRAM 产品的价格将略有上涨。该公司预计，内存芯片的成本将同比波动 5%至 13%，其中"传统"DRAM 内存将上涨 5%至 10%，所有 DRAM 产品（包括 HBM 芯片）将上涨 8%至 13%。价格上涨的主要原因是普通服务器内存芯片需求的恢复，以及主要 DRAM 供应商 HBM（高带宽内存）产品生产份额的增加。尽管不同类型的内存产品会有不同的表现，但由于制造商热衷于提价，第三季度 DRAM 的平均销售价格正在上涨。TrendForce 指出，PC DRAM 芯片将继续保持涨价趋势，涨价幅度在 3% 至 8% 之间，因为"通用服务器"现在需求旺盛，内存供应商更加专注于制造 HBM 芯片。与服务器 DRAM 购买者相比，个人电脑客户可以预期的价格上涨幅度较小，因为个人电脑消费产品的库存较高，而且客户需求没有显著增长。服务器 DRAM 产品的价格预计将上涨 8% 至 13%。TrendForce 表示，仓库里堆满了 DDR4 芯片，这意味着第三季度的"采购势头"将主要集中在 DDR5 上。移动 DRAM 价格将上涨 3%至 8%，因为库存水平仍然很高，而制造商正试图通过影响明年的供需平衡来提高利润率。TrendForce 预测，VRAM 的价格也将上涨 3%至 8%，因为此类内存产品的总体需求仍然"相对平稳"。买家采取的"持续备货策略"将使成本下降，而制造商预计将在即将到来的游戏 GPU 更新周期中更多地采用新的GDDR7 内存芯片。TrendForce 表示，GDDR7 的生产成本比 GDDR6 高出 20% 至 30%，尽管采取了库存策略，但新一代 GeForce RTX 50 GPU 的 GDDR7 出货量增加可能会推高 ASP 水平。最后，DDR3 和 DDR4 等老式内存产品的价格将上涨 3% 至 8%。台湾制造商正在将其产能转换为 HBM，而三大内存芯片供应商显然有意尽可能提高价格。 ... PC版： 手机版：