三星电子据悉改组新设 HBM 芯片研发团队

三星电子据悉改组新设 HBM 芯片研发团队 据业界 7 月 4 日消息，三星电子负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门当天进行改组，新设 HBM 研发组。三星电子副社长、高性能 DRAM 设计专家孙永洙（音译）担任该研发组组长，带领团队集中研发 HBM3、HBM3E 和新一代 HBM4 技术。此外，三星电子还对先进封装（AVP）团队和设备技术实验所进行重组，以提升整体技术竞争力。(界面)

消息称三星赢得英伟达2.5D封装订单

消息称三星赢得英伟达2.5D封装订单 2.5D封装将CPU、GPU、I/O、HBM等芯片水平放置在中介层上。台积电将其2.5D封装技术称为CoWoS，而三星则将其称为I-Cube。英伟达的A100和H100就是采用此类封装技术制造的，英特尔Gaudi也是如此。三星自去年以来一直致力于为其2.5D封装服务争取客户。三星向客户提议，将为AVP团队分配足够的人员，同时提供自己的中介层晶圆设计。消息人士称，三星将为英伟达提供2.5D封装，其中装有四个HBM芯片。他们补充说，三星已经拥有放置8个HBM芯片的封装技术。同时，为了在12英寸晶圆上安装8个HBM芯片，需要16个中介层，这会降低生产效率。因此，当HBM芯片数量达到8个时，三星为此开发了中介层的面板级封装技术。英伟达将订单交给三星，可能是因为其人工智能（AI）芯片的需求增加，这意味着台积电的CoWoS产能将不足。该订单还可能让三星赢得HBM芯片订单。 ... PC版： 手机版：

路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试

路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试 HBM 即高带宽存储器，这是一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，主要适用于高存储器带宽需求的场景组合，尤其是图形处理器、网络交换和转发设备。英伟达的 AI 加速产品都需要极高的带宽来提高性能，因此英伟达最初与 SK 海力士达成合作，由后者独家供应 HBM3 内存芯片。不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的 HBM3 内存芯片，三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题，目前英伟达的主力供应商仍然是 SK 海力士。消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的 HBM3 和 HBM3E 的测试，其中 8 层和 12 层的 HBM3E 芯片最近的一次失败测试结果在 4 月公布。既然没有成功通过英伟达测试，那么三星电子自然还不算是该芯片的供应商，这种情况似乎也凸显三星在 HBM 芯片上落后于 SK 海力士和美光了。当然英伟达有自己的测试标准，三星其实也已经向其他客户供应此类芯片，可能是英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题，只能看着 SK 海力士和美光了。注：HBM3：指的是 HBM 第三个标准，每个标准里面还有不同的 “代” 比如 HBM3E，所以这里指的并不是第三代。相关文章:SK海力士正在HBM内存芯片领域处于领先地位 三星为此撤换芯片主管 ... PC版： 手机版：

DRAM三强展开激烈争夺 NVIDIA的HBM订单竞争趋向白热化

DRAM三强展开激烈争夺 NVIDIA的HBM订单竞争趋向白热化 “SK海力士、三星电子和美光中最先通过NVIDIA认证的公司将主导HBM3E市场。到目前为止，SK海力士领先，三星和美光紧随其后。” 知情人士表示。尽管内存制造商正在争夺全球首次量产HBM3E，但众所周知，实际上还没有一家公司通过NVIDIA的最终质量测试。最先通过质量测试的公司有望获胜。据半导体行业消息，美光公司26日（当地时间）在其网站上宣布，“我们已经开始量产HBM3E解决方案”，“它将安装在NVIDIA的‘H200’上，将于第二季度出货。” H200是NVIDIA的下一代AI加速器（专门用于大规模数据学习和推理的半导体封装）。这一天，美光强调其已在全球首次量产“HBM3E”。虽然SK海力士已经垄断了HBM3，但它似乎在下一代HBM市场领先一步，击败了SK海力士和三星电子。美光科技的声明震惊了半导体行业。这是因为美光没有具体透露是否通过了NVIDIA的质量测试。对于它是否通过了英伟达的质量测试，还是仅仅是初产的具有量产质量的产品，业内存在不同意见。事实上，要通过NVIDIA的质量测试并不容易。它必须在性能、发热和完整性方面获得高分。完成预处理后，HBM 执行 WLP（晶圆级封装），即堆叠和封装晶圆，直到进行硅通电极 (TSV) 工艺，而不将其切割成单独的半导体芯片。此外，由于HBM与各种半导体一起封装为AI加速器的性质，一旦出现缺陷，后处理就会变得复杂，因此质量测试的标准很高。即使在 HBM3 中，三星电子也多次未能通过质量测试。虽然样品产品已经量产，但尚未正式交付给NVIDIA。据此，有观点认为，跳过HBM3直接跳到HBM3E的美光不太可能突然通过NVIDIA的质量测试。有人说，使用“量产”一词就表明它通过了质量测试。通常情况下，一旦 NVIDIA 通过了最终的质量测试以检查产品是否可以交付，就会开始全面的提升（产量增加）。还有观点认为，美光声明纳入NVIDIA的“H200”就表明其已经通过了质量测试。另外，就美国而言，如果官方公告没有实际执行，可能会提起天文数字的损害赔偿诉讼，因此很多人认为公告是因为通过了质量测试而发布的。但由于没有直接认证，有人强烈反对该产品只是为了质量检测而量产。事实上，业内有传言称尚未有公司通过 HBM3E 的质量测试。一位半导体行业的官员表示：“通常，为了接受英伟达等客户公司的质量测试，初始产品会进行量产，并交付样品进行验证。”他补充道，“量产这个词可以即使没有通过质量测试也可以使用，因此美光正在进行质量测试。“我可能没有通过，”他说。另一方面，SK海力士已于1月份开始量产初期产品。据此，一些行业传言去年年底已经提供了样品，45天后的1月份通过了质量测试，并在2月份开始全面启动（增加产量）。不过，SK海力士的立场是，虽然HBM3E 8速确实已于去年1月开始量产，但尚未通过质量测试，计划在近期完成客户认证并开始量产。全面量产。因此，业界预测第二季度将开始增长。因此，如果美光尚未通过NVIDIA的质量测试，全球第一家量产的公司将是SK海力士。不过，即使美光通过了质量测试，实际良率是否会很高还不清楚。美光跳过了HBM3，直接开发了HBM3E，因此仍然缺乏后制程经验。为了生产HBM，需要开发晶圆的堆叠和封装技术，但美光仍然缺乏这方面的经验。分析认为，虽然美光和三星电子在某些技术方面可能领先，但在良率或稳定性方面没有一家公司能够超越SK海力士。此外，HBM的成品率较低，因为即使只有一个堆叠芯片有缺陷，整个封装也必须被丢弃。如果采用8层晶圆堆叠制作HBM，每层良率90%，那么简单计算一颗HBM芯片的良率就是90%乘以8的平方，最终良率只有43%。对于没有 HBM3 经验的美光来说，提高良率预计并不容易。因此，一些人预测，6月份将出现产量稳定和全面回升的情况。一位证券行业人士表示，“即使美光通过了质量测试，初期量产良率也已经触底。事实上，美光还计划将CAPA（产能）提高到每月40K（4万片晶圆）”到今年年底。“最近确认只有 2 万，”他说。同时，也有业内人士认为，美光突然宣布量产HBM3E是因为HBM短缺（供应不足）。HBM的使用量增加了一倍多，但这是因为SK海力士独自供应HBM不足。因此，有观点认为该公司可能已经开始与美国同行英伟达和美光联手。从英伟达的角度来看，它可以通过供应多元化获得增强谈判力的这张牌，也有人解读为它是否通过与美国公司之间的“分工”来制衡半导体强国韩国。一位业内人士表示，“英特尔最近宣布了要超越三星，夺取代工市场全球第二名的雄心”，并补充道，“微软（MS）已决定委托生产尖端芯片给英特尔，预计价格为 6.6万亿韩元。”“看来美国公司正在努力照顾自己的企业，”他说。 ... PC版： 手机版：

三星电子就 HBM 芯片测试问题表态

三星电子就 HBM 芯片测试问题表态 三星电子24日表示，正与全球多家合作伙伴顺利进行高带宽内存（HBM）产品的供应测试。公司方面表示，将继续致力于提升所有产品的质量和可靠性，为客户提供最佳解决方案。外国媒体早前引述知情人士消息报道称，三星电子的 HBM 芯片因发热和功耗问题尚未通过美国半导体巨头英伟达的测试。

英伟达正在努力认证三星 HBM 内存芯片

英伟达正在努力认证三星 HBM 内存芯片 英伟达公司仍在致力于韩国三星电子高带宽内存 (HBM) 芯片的认证流程。英伟达首席执行官黄仁勋4日告诉记者，他的公司正在研究三星和美光科技公司提供的 HBM 芯片。“我们只需要完成工程工作。还没有完成。，”黄仁勋在台北国际电脑展的简报会上表示。“我希望昨天能完成。但还没完成。我们必须要有耐心。”黄仁勋发表上述言论之前，路透社报道称，三星最新高带宽内存 (HBM) 芯片由于散热和功耗问题，导致其尚未通过英伟达的测试认证。当被直接问及那篇文章时，黄仁勋说："根本没有那回事。”