消息称三星电子新设HBM芯片开发团队

消息称三星电子新设HBM芯片开发团队 三星电子副总裁、高性能DRAM设计专家Sohn Young-soo将领导该团队。新团队将专注于下一代HBM4产品以及HBM3和HBM3E产品的研发。此举表明，三星电子将加强对HBM的研发结构。该公司已开发出了业界领先的12层HBM3E产品，并通过了英伟达的质量测试。但该市场一直由三星的竞争对手SK海力士凭借其最新的HBM3E而占据主导地位。为巩固自己的地位，三星电子还重组了先进封装团队和设备技术实验室，以提高整体技术竞争力。最新的举措是为了提高三星在蓬勃发展的HBM市场上的竞争力。 ... PC版： 手机版：

三星电子据悉改组新设 HBM 芯片研发团队

三星电子据悉改组新设 HBM 芯片研发团队 据业界 7 月 4 日消息，三星电子负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门当天进行改组，新设 HBM 研发组。三星电子副社长、高性能 DRAM 设计专家孙永洙（音译）担任该研发组组长，带领团队集中研发 HBM3、HBM3E 和新一代 HBM4 技术。此外，三星电子还对先进封装（AVP）团队和设备技术实验所进行重组，以提升整体技术竞争力。(界面)

抢救 HBM 良率：传三星吞下自尊，跟进对手先用技术

抢救 HBM 良率：传三星吞下自尊，跟进对手先用技术 三星 坚持使用非导电性胶膜(NCF)技术，因而面临一些生产问题。相较之下，SK海力士却率先改用批量回流模制底部填充（MR-MUF)技术，解决NCF缺点。 不过，消息透露，三星最近已下单采购专为MUF设计的晶片制造设备。一名人士说，「三星必须设法提升HBM良率......改采MUF对三星来说有点吞下自尊的意味，因为这代表该公司终究还是得跟进 SK 海力士。」 赚钱重要还是“自尊”重要？

三星、SK海力士和美光齐发力 HBM产量明年有望翻倍

三星、SK海力士和美光齐发力 HBM产量明年有望翻倍 目前，SK海力士和美光仍然是HBM的主要供应商，两者都采用1beta纳米工艺，并已向NVIDIA发货。三星采用1alpha nm工艺，预计将在第二季度完成认证，并在年中开始交付。三星正在逐步升级其韩国平泽工厂（P1L、P2L、P3L），用于生产DDR5和HBM，另外华城工厂（Line 13/15/17）正在升级1α工艺，只保留了一小部分1y/1z工艺的产能，满足航空航天等特殊产业的需求。SK海力士在韩国利川的M16生产线生产HBM，并将M14生产线升级为1α/1β工艺，用于用于生产DDR5和HBM，同时还打算将中国无锡工厂的DDR4/5生产线升级至1z/1α工艺。美光则正在扩张日本广岛工厂的生产线，预计今年第四季度产能提升至2.5万个单位，长远来说会安装EUV光刻机，升级为1γ/1δ工艺，并建立一个新的洁净室，另外还会升级中国台湾新北和台中的生产线，增加1β工艺的比例。 ... PC版： 手机版：

三星 HBM3E 没过 NVIDIA 验证，原因与台积电有关

三星 HBM3E 没过 NVIDIA 验证，原因与台积电有关 外媒报导，三星至今未通过 NVIDIA 验证，是卡在台积电。身为 NVIDIA 资料中心 GPU 制造和封装厂，台积电也是 NVIDIA 验证重要参与者，传闻采合作伙伴 SK 海力士 HBM3E 验证标准，而三星制程与 SK 海力士有差异，SK 海力士采 MR-RUF，三星则是 TC-NCF，对参数多少有影响。 2024-03-14

英伟达正在努力认证三星 HBM 内存芯片

英伟达正在努力认证三星 HBM 内存芯片 英伟达公司仍在致力于韩国三星电子高带宽内存 (HBM) 芯片的认证流程。英伟达首席执行官黄仁勋4日告诉记者，他的公司正在研究三星和美光科技公司提供的 HBM 芯片。“我们只需要完成工程工作。还没有完成。，”黄仁勋在台北国际电脑展的简报会上表示。“我希望昨天能完成。但还没完成。我们必须要有耐心。”黄仁勋发表上述言论之前，路透社报道称，三星最新高带宽内存 (HBM) 芯片由于散热和功耗问题，导致其尚未通过英伟达的测试认证。当被直接问及那篇文章时，黄仁勋说："根本没有那回事。”