三星组建全新HBM提升团队 并加速AI芯片Mach系列开发

三星组建全新HBM提升团队 并加速AI芯片Mach系列开发 业内消息人士3月29日透露，新团队将负责DRAM、NAND的开发和销售，三星执行副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joon将领导新团队，但团队人数尚未确认。据悉，这是三星自2024年1月创建由100名设备和解决方案（DS）部门组成的HBM专职团队之后，成立的第二个HBM专职团队。为了在人工智能芯片市场抢占先机，三星将采取“双轨”战略，同时开发两种类型的尖端存储芯片：HBM和Mach系列。三星计划在年内量产HBM3E，并在2025年量产HBM4。池庆贤3月29日表示，“想要开发定制化HBM4芯片的客户将与我们合作。得益于专业团队的努力，三星将获得HBM市场的领导地位。”此前三星HBM负责人预计，2024年该公司HBM芯片产量将比去年增加2.9倍。三星人工智能芯片Mach-1目前正在开发中，预计今年年内将推出原型产品。这款芯片采用SoC（片上系统）形式，用于人工智能推理加速，可减少GPU与HBM的瓶颈。此外，三星未来还将推出Mach-2芯片，该公司高管表示，客户对此表现出浓厚的兴趣。 ... PC版： 手机版：

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

三星将加强联合开发制造商合作伙伴关系提高手机产量 预计提高到670万部

三星将加强联合开发制造商合作伙伴关系提高手机产量 预计提高到670万部 韩国科技媒体TheElec的报道称，三星计划今年在 JDM 合作伙伴的帮助下，将其智能手机的产量从 440 万部提高到 670 万部。JDM 战略要求设计过程由三星及其中国合作伙伴共同负责。设计完成后，公司再将设计进行批量生产。产量的跃升意味着外包设备将占到该公司设定的 2024 年目标产量的 25%。JDM 合作伙伴一般会被分配到设计和处理零部件的预算手机。Wintech 等合作伙伴极大地帮助三星实现了削减成本和灵活生产的目标。三星不仅与合作伙伴分担预生产任务，还分享智能手机销售利润的一部分。与 JDM 的合作还有助于公司利用当地的专业知识来了解发展趋势。例如，在 JDM 合作伙伴关系的帮助下， Galaxy C55针对中国市场进行了本地优化。报告还透露了越南作为外包合作伙伴将发挥的重要作用，其目标是利用当地的专业技术和设施生产约 2800 万部产品。通过优化战略，三星通过发售经济实惠的Android设备占据了市场的大部分份额，从而保持了其在市场上的地位。虽然三星的这一策略在过去的大规模生产和降低成本方面都起到了一定的效果，但有时也会导致部件质量无法保证。借助外包提前推出的 Galaxy A03s 确实对用户体验造成了负面影响。另一个因调配生产任务而面临的困难是中美贸易争端中的出口限制，导致先进芯片组的获取受到限制。所有这些问题都是在共享前期生产、多个合作伙伴共同负责公司产品生产的情况下出现的。该公司过去曾因产品性能的延迟实现和制造质量出现瑕疵而饱受批评，因此寄希望于提升制造能力和降低成本能掩盖外包模式带来的缺陷。 ... PC版： 手机版：

HBM3e产量激增 机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35%

HBM3e产量激增 机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35% HBM 的生产将因其盈利能力和不断增长的需求而得到优先考虑。然而，约 50-60% 的有限产量和比 DRAM 产品大 60% 的晶圆面积意味着需要更高的晶圆投入比例。根据各公司的 TSV 容量，预计到今年年底，HBM 将占先进工艺晶圆投入的 35%，其余晶圆容量将用于 LPDDR5(X) 和 DDR5 产品。关于HBM的最新发展，TrendForce指出，HBM3e将成为今年的市场主流，出货量将集中在下半年。目前，SK hynix 和美光仍是主要供应商，两者都采用 1beta 纳米工艺，并已向英伟达出货。采用 1Alpha nm 工艺的三星公司预计将在第二季度完成认证，并于今年年中开始供货。除了 HBM 需求的比例不断增加外，个人电脑、服务器和智能手机的单位容量不断增长也推动了先进工艺产能的逐季增长。其中，服务器的产能增幅最大，主要是由单位容量达 1.75 TB 的人工智能服务器推动的。随着英特尔蓝宝石 Rapids 和 AMD Genoa 等需要 DDR5 内存的新平台的量产，预计到今年年底，DDR5 的渗透率将超过 50%。同时，由于 HBM3e 的出货量预计将集中在下半年，而下半年又是内存需求的旺季，因此市场对 DDR5 和 LPDDR5(X) 的需求预计也将增加。不过，由于 2023 年出现财务亏损，制造商对产能扩张计划持谨慎态度。总体而言，由于 HBM 生产的晶圆投入比例较高，先进工艺的产出将受到限制。因此，下半年的产能分配将是决定供应能否满足需求的关键。如果不充分扩大先进工艺的产能，对 HBM 生产的更多关注可能会导致 DRAM 供应短缺。目前，新工厂计划如下：三星预计到 2024 年底，现有设施将全部使用完毕。新的 P4L 工厂计划于 2025 年完工，而 15 号生产线工厂将从 1Y 纳米工艺过渡到 1beta 纳米及以上工艺。SK hynix 的 M16 工厂的产能预计将在明年扩大，而 M15X 工厂也计划于 2025 年竣工，并在明年年底开始量产。美光在台湾的工厂将于明年恢复满负荷生产，未来的扩产重点将放在美国。博伊西工厂预计将于 2025 年竣工，随后进行设备安装，并计划于 2026 年量产。TrendForce 指出，虽然新工厂计划于 2025 年竣工，但量产的确切时间表仍不确定，取决于 2024 年的盈利情况。这种依靠未来利润为进一步购买设备提供资金的做法，加强了制造商今年维持内存涨价的决心。此外，英伟达（NVIDIA）将于 2025 年量产的 GB200 将采用 HBM3e 192/384 GB，有可能使 HBM 产量翻番。随着 HBM4 的开发在即，如果不在扩大产能方面进行大量投资，HBM 的优先发展可能会导致 DRAM 因产能限制而供应不足。 ... PC版： 手机版：

三星DRAM部门在挣扎多年之后终于看到了盈利的希望

三星DRAM部门在挣扎多年之后终于看到了盈利的希望 DRAM 行业，尤其是与消费类内存和存储相关的行业多年来一直在走下坡路。这主要是由于后 COVID 时代的库存水平达到了历史最高点，但消费者需求的急剧下降却给三星等 DRAM 公司带来了巨大的麻烦。通过采取有力的库存修正措施，这家韩国巨头终于迎来了月度业绩盈余，预示着可能出现好转。据韩国消息来源称，三星电子的 DRAM 和 NAND 销售已进入"积极"区间，并可能在五年来首次实现盈利。考虑到他们一直在实施大规模措施，该公司预计会出现好转。我们还没有收到该公司的利润数据，但这对 DRAM 行业来说确实是个利好消息，如果这一趋势持续下去，我们可能会看到未来的盈利季度，这对整个行业来说都是相当利好的。看来，DRAM 和 NAND 领域的坏日子终于结束了，随着人工智能热潮的涌入，我们可能会看到可持续的增长。不过，这也意味着消费者有可能在未来看到 DRAM 产品的激增，正如之前多次强调的那样，如果库存调整的速度保持不变，那么购买存储和内存的成本可能会变得更高。 ... PC版： 手机版：

三星电子展示下一代3D DRAM技术 发布时间预计是2025年后

三星电子展示下一代3D DRAM技术 发布时间预计是2025年后 根据在网络上曝光的内部演示幻灯片，DRAM 行业正在向 10 纳米以下的压缩线迈进。为了打破现代 DRAM 技术创新的僵局，三星计划推出两种新方法，即垂直通道晶体管和堆叠式 DRAM，这两种方法都涉及元件定位的差异，最终会减少器件面积的占用，从而确保更高的性能。同样，为了提高内存容量，三星计划利用堆叠 DRAM 概念，使公司能够实现更高的存储空间比，从而在未来将芯片容量提高到可能的 100 GB。据预测，到 2028 年，3D DRAM 市场将增长到 1000 亿美元。从目前来看，三星的发展相对较早，这可能意味着这家韩国巨头在未来将引领 DRAM 行业的发展。 ... PC版： 手机版：