华为专利披露三纳米级工艺技术规划

华为专利披露三纳米级工艺技术规划 今年早些时候， 当华为和中芯国际为生产先进微芯片而申请自对准四重图案化 (SAQP) 光刻方法专利时，大多数人都认为这两家公司正在使用其 5 纳米级制造工艺制造芯片。显然，这并不是他们计划的极限，因为华为现在也期待将四重图案化用于 3 纳米级制造技术。与华为合作的中国芯片制造设备开发商深圳新凯来公司 (SiCarrier) 也获得了 SAQP 专利，这证实了中芯国际计划将该技术用于未来的芯片制造。SAQP 指的是在硅片上反复雕刻线条，以提高晶体管的密度，降低功耗，从而提高性能。

传中芯国际将成立内部研发团队 年内启动3纳米工艺研发工作

传中芯国际将成立内部研发团队 年内启动3纳米工艺研发工作 《中央日报》提到，中芯国际的初步目标是开始运营其 5 纳米生产线，该生产线不仅将批量生产用于各种产品的华为芯片，还将批量生产人工智能芯片。据悉，这家中国制造商将利用现有的 DUV 设备来实现这一目标，由于全球唯一能提供尖端 EUV 技术的 ASML 公司已被禁止向中芯国际以及任何中国公司提供该设备，因此中芯国际可能会重新利用现有的 DUV 设备。然而，中芯国际正把目光投向 5 纳米节点之外，就像它与华为合作推出 7 纳米麒麟 9000S 时一样。最新报道称，这家半导体制造商已经组建了一个内部研发团队，将开始 3 纳米节点的研发工作。阻碍中芯国际实现目标的最大障碍之一是低产量和高生产成本，但据说该公司的策略是接受中国政府的巨额补贴。获得补贴对中芯国际来说至关重要，尤其是考虑到早前有报道称，由于使用了较旧的 DUV 设备，中芯国际5 纳米芯片的成本将比采用相同制造工艺的台积电高50%。不过，预计该公司的首批 3 纳米晶圆要等到几年后才会推出。首先，华为 5 纳米芯片的商业化将得到优先考虑，在我们目睹向 3 纳米晶圆过渡之前，这种技术可能还要沿用几年。无论中芯国际将做出何种决定，有一点是明确的：这将是该公司承担的最具挑战性的任务。 ... PC版： 手机版：

彭博社：华为Mate 60 Pro使用中芯国际7纳米芯片

彭博社：华为Mate 60 Pro使用中芯国际7纳米芯片 彭博社委托半导体行业观察机构TechInsights对华为新机进行了拆解，并在星期一（9月4日）报道称，拆解显示，Mate 60 Pro所使用的新型麒麟9000s芯片，由中国顶级芯片制造商中芯国际制造，并采用了中芯国际最先进的7纳米芯片技术。 TechInsights副主席哈彻生（Dan Hutcheson）说，这对于中国来说是相当重要的一个标志，显示中芯国际的技术进步正在加速，并且似乎已经解决了7纳米技术中影响产量的问题。 不过，TechInsights报告也指出，中芯国际和华为的进展仍有许多未知数，包括它们能否批量或以合理的成本生产该芯片。 频道：@kejiqu 群组：@kejiquchat

【与小米共舞：走进神秘的南芯半导体】对于网上的相关传闻，南芯半导体表示，“小米自研的澎湃P1 充电芯片与南芯SC8571拓扑结构

【与小米共舞：走进神秘的南芯半导体】对于网上的相关传闻，南芯半导体表示，“小米自研的澎湃P1 充电芯片与南芯SC8571拓扑结构完全不同，是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片。” #抽屉IT

佳能纳米压印设备最快今年出货 无法向中国出口

佳能纳米压印设备最快今年出货 无法向中国出口 据了解，纳米压印技术并不是利用光学图像投影的原理将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上，而是更类似于印刷技术，直接通过压印形成图案。在晶圆上只压印1次，就可以在特定的位置形成复杂的2D或3D电路图。当下的5nm制程的先进半导体制造设备市场，则由ASML的EUV光刻机所垄断，单台价格约1.5亿美元。对于接下来更为先进的2nm及以下制程的芯片，ASML也推出了成本更为高昂的High-NA EUV光刻机，单台价格或将超过3亿美元，这也使得尖端制程所需的成本越来越高。相比之下，佳能的目前纳米压印技术将可以使得芯片制造商不依赖于EUV光刻机就能生产最小5nm制程节点的逻辑半导体。佳能半导体设备业务部长岩本和德此前还曾表示，如果改进光罩，纳米压印甚至可以生产2nm先进制程的芯片。佳能的纳米压印技术或许将有机会帮助佳能缩小其与ASML的差距。更为关键的是，佳能的纳米压印设备成本和制造成本都远低于ASML的EUV光刻机。岩本和德表示，客户的成本因条件而异，据估算1次压印工序所需要的成本，有时能降至传统曝光设备工序的一半。而且，因为纳米压印设备的规模较小，在研发等用途方面也更容易引进。据了解，采用纳米压印技术，将可使得整体的设备投资降低至EUV光刻产线设备的40%水平。虽然佳能并未公布其纳米压印设备的定价，但是，佳能CEO御手洗富士夫此前曾表示，该公司的纳米压印设备的“价格将比ASML的EUV光刻机低一位数（即仅有10%）”。在客户方面，佳能表示目前收到了半导体厂商、大学、研究所的很多咨询，以期待作为EUV设备的替代产品，使纳米压印设备备受期待。预计，该设备将可用于闪存、个人电脑用DRAM，以及逻辑等多种半导体生产用途上。不过，需要指出的是，纳米压印是完全不同于光刻技术的全新路径，因此它与现有的基于DUV或EUV光刻的产线是不兼容的.也就是说现有的大型芯片制造商无法再现有产线中直接使用纳米压印技术，需要重新建立全新的生产线，显然这将成为阻碍纳米压印推广的一个因素。目前中国半导体产业正受到美日荷的多方围堵，国内半导体制造商获取先进的半导体制造设备受到了限制，佳能的纳米压印设备或将为国内发展先进制程提供一条突破封锁的新路径。但是，佳能的纳米压印设备可能无法对中国大陆出口。查阅日本的出口管制清单发现，当中就有限制“可实现45nm以下线宽的压印光刻装置”。佳能CEO御手洗富士夫也在此前的采访中也曾表示，佳能可能无法将这些（基于纳米压印技术的）芯片制造设备出口到中国。“我的理解是，任何超过14nm技术的出口都是被禁止的，所以我认为我们无法销售。”不过，如果佳能的纳米压印设备能够在实际量产当中获得成功，也将为国内半导体制造提供一个可以绕过EUV光刻机继续发展先进制程的新思路，国产半导体设备厂商也可以选择纳米压印技术路线来开发相关的设备，来助力国产先进制程的进一步突破。 ... PC版： 手机版：

三星获得日本人工智能芯片初创公司2纳米晶圆订单

三星获得日本人工智能芯片初创公司2纳米晶圆订单 三星的 2 纳米节点被称为 SF2，有望在 2025 年交付量产芯片，这意味着 2024 年的大部分时间都将用于测试、验证和风险生产，预计该节点将在年底投入使用。与 SF3（3 纳米 EUV FinFET）相比，三星 SF2 的能效（等时钟）提高了 25%，性能提高了 12%。在半导体制造市场，三星 SF2 的竞争对手是台积电 N2 和英特尔 20A。 ... PC版： 手机版：