路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试

路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试 HBM 即高带宽存储器，这是一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，主要适用于高存储器带宽需求的场景组合，尤其是图形处理器、网络交换和转发设备。英伟达的 AI 加速产品都需要极高的带宽来提高性能，因此英伟达最初与 SK 海力士达成合作，由后者独家供应 HBM3 内存芯片。不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的 HBM3 内存芯片，三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题，目前英伟达的主力供应商仍然是 SK 海力士。消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的 HBM3 和 HBM3E 的测试，其中 8 层和 12 层的 HBM3E 芯片最近的一次失败测试结果在 4 月公布。既然没有成功通过英伟达测试，那么三星电子自然还不算是该芯片的供应商，这种情况似乎也凸显三星在 HBM 芯片上落后于 SK 海力士和美光了。当然英伟达有自己的测试标准，三星其实也已经向其他客户供应此类芯片，可能是英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题，只能看着 SK 海力士和美光了。注：HBM3：指的是 HBM 第三个标准，每个标准里面还有不同的 “代” 比如 HBM3E，所以这里指的并不是第三代。相关文章:SK海力士正在HBM内存芯片领域处于领先地位 三星为此撤换芯片主管 ... PC版： 手机版：

英伟达寻求从三星采购HBM芯片

英伟达寻求从三星采购HBM芯片 黄仁勋表示，英伟达正在对三星的HBM芯片进行资格认证，并将在未来开始使用它们。HBM已成为人工智能热潮的重要组成部分，因为与传统存储芯片相比，它提供了更快的处理速度。黄仁勋表示：“HBM是一个技术奇迹。”他补充说，HBM还可以提高能效，并且随着耗电的人工智能芯片变得更加普遍，将帮助世界保持可持续发展。SK海力士实际上是AI芯片领导者英伟达的HBM3芯片的唯一供应商。虽然没有透露新HBM3E的客户名单，但SK海力士高管透露，新芯片将首先供货英伟达并用于其最新的Blackwell GPU。三星一直在HBM上投入巨资，以追赶竞争对手。三星于2月宣布开发出HBM3E 12H，这是业界首款12层堆栈HBM3E DRAM，也是迄今为止容量最高的HBM产品。三星表示，将于今年上半年开始量产该芯片。 ... PC版： 手机版：

SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据

SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据 随后SK海力士发布公告称，其最新的超高性能AI内存产品HBM3E已开始量产，并将从本月下旬起向客户供货。据介绍，在存储半导体三大巨头（三星电子、SK海力士、美光）中，SK海力士是首家实现量产HBM3E供应商。HBM3E每秒可处理1.18TB数据，相当于在1秒内可处理230部全高清（FHD）级电影。在散热方面，SK海力士表示其HBM3E采用了MR-MUF技术，散热性能较上一代产品提高了 10%，从而在散热等所有方面都达到了全球最高水平。SK海力士高管表示：“公司通过全球首次HBM3E投入量产，进一步强化了领先用于AI的存储器业界的产品线。”其还表示，公司积累的HBM业务成功经验，将进一步夯实与客户的关系，并巩固全方位人工智能存储器供应商的地位。 ... PC版： 手机版：

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局 而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM内存。据介绍，HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM3 8H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20 petaflops的AI性能。 ... PC版： 手机版：

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？ SK海力士在外资净买入排名中上升同样引人注目，1月份时位居第三，2月份跃升至第二，本月超越现代成为最受青睐的股票。截至3月8日，SK海力士净买入额达到4900亿韩元，本月股价涨超10%，达到了171900韩元/股的新高。而三星则与SK海力士的强劲表现形成鲜明对比，本月股价略微下跌了0.14%，年内跌近7%。外资大幅抛售三星电子，1月份三星曾是最受外资欢迎的股票，到了2月份却跌至第七位，而在本月成为被外资抛售最多的股票之一。分析指出，由于英伟达业绩强劲，增加了对高带宽存储芯片（HBM）需求的预期，不少投资者转向在HBM市场拥有较大份额的SK海力士，去年其在HBM市场的份额达到54%。高盛研究员Kim Sun-woo指出：SK海力士在HBM市场的领先地位令其在AI发展趋势中受益，目前它与三星在下一代HBM技术上的差距正在扩大，这可能会进一步推动对SK海力士的需求。在HBM芯片领域，竞争已经达到了前所未有的高度。SK海力士仅今年就先进封装技术上已投资1.3万亿韩元，以提升其生产高端芯片的能力。今年它是Nvidia H100处理器的唯一HBM3芯片供应商，与英伟达签订HBM3E（H200的重要组成部分）优先供应协议。三星也在全速迎头赶上，该公司最近宣布已开发出36GB HBM3E 12H DRAM，是业内容量最大的HBM，凭借12层堆叠技术，其性能和容量可大幅提升50%以上。三星希望在今年上半年开始量产。美光也后来者居上，宣布开始量产HBM3E内存，将用于英伟达H200 AI芯片，对SK海力士和三星电子构成了挑战。 ... PC版： 手机版：

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产 （来源：SK海力士）背景：什么是高带宽内存众所周知，高带宽内存是为了解决传统DDR内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔（TSV）连接这些芯片，从而显著提高内存带宽。SK海力士在2013年首次宣布HBM技术开发成功，后来被称为HBM1的芯片通过AMD的Radeon R9 Fury显卡首次登陆市场。后续，HBM家族又先后迎来HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E。SK海力士介绍称，HBM3E带来了10%的散热改进，同时数据处理能力也达到每秒1.18TB的水平。（HBM3E芯片成品，来源：SK海力士）技术的迭代也带来了参数的翻倍。举例而言，根据英伟达官方的规格参数表，H100产品主要搭载的是80GB的HBM3，而使用HBM3E的H200产品，内存容量则达到几乎翻倍的141GB。找台积电做些什么？在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。（HBM3E演示视频，来源：SK海力士）两家公司在公告中表示，从HBM4产品开始，准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。通过超细微工艺增加更多的功能，公司可以生产在性能、共享等方面更满足客户需求的定制化HBM产品。另外，双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合（2.5D封装）。通过与台积电的合作，SK海力士计划于2026年开始大规模生产HBM4芯片。作为英伟达的主要供应商，海力士正在向AI龙头提供HBM3芯片，今年开始交付HBM3E芯片。对于台积电而言，AI服务器也是在消费电子疲软、汽车需求下降的当下，维持公司业绩的最强劲驱动因素。台积电预计2024财年的总资本支出大约在280-320亿美元之间，约有10%投资于先进封装能力。三巨头激战HBM市场根据公开市场能够找得到的信息，目前国际大厂里只有SK海力士、美光科技和三星电子有能力生产与H100这类AI计算系统搭配的HBM芯片。而眼下，这三家正隔着太平洋展开激烈的竞争。大概比SK海力士早大半个月，美光科技也在今年宣布开始量产HBM3E芯片。今年2月，正在加紧扩展HBM产能的三星也发布了业界容量最大的36GB HBM3E 12H芯片。英伟达上个月表示正在对三星的芯片进行资格认证，以用于AI服务器产品。研究机构Trendforce估算，2024年的HBM市场里，SK 海力士能够占到52.5%的份额，三星和美光则占42.4%和5.1%。另外，在动态随机存取存储器（DRAM）行业内，HBM的收入份额在2023年超过8%，预计在2024年能达到20%。对于SK海力士与台积电合作一事，普华永道高科技行业研究中心主任Allen Cheng认为是“明智的举措”。他表示：“台积电几乎拥有所有开发尖端AI芯片的关键客户，进一步加深伙伴关系，意味着海力士能吸引更多的客户使用该公司的HBM。” ... PC版： 手机版：