日企大力投资光刻胶等关键EUV材料

日企大力投资光刻胶等关键EUV材料 由于市场对需要EUV光刻系统的先进芯片的需求不断增长，东京应化、信越化学、三菱化学等日本公司正在增加投资并关注EUV关键技术所用材料的供应。东京应化（TOK）正在福岛县建造一座全新的先进光刻胶工厂，该工厂预计将于2024年底开工，2026年完工。工厂致力于提高KrF（氟化氪）和EUV光刻系统的光刻胶生产能力和质量，并将成为该公司最大的工厂。信越化学将投资830亿日元（5.13亿美元）在群马县建造第四家光刻胶工厂，该工厂计划于2026年竣工，将满足出口需求并开展研发活动。信越化学的光刻胶适用于各种光刻工艺，包括EUV。三菱化学加大了对光刻胶材料Lithomax的投入。该公司正在其九州工厂安装量产设备，目标是将ArF光刻胶产量提高一倍以上，并在2025年9月之前实现EUV光刻胶的首次量产。三井化学正在开发下一代掩模防护膜，即用于EUV光刻的保护膜。其山口工厂计划2026年开始生产，年产量为5000片。AGC通过其子公司AGC Electronics加大了对EUV掩模版设备的投资，旨在将产能提高30%。这些用于芯片图案化的掩模版由AGC内部生产并供应给主要芯片制造商。AGC的目标是到2025年EUV掩模版的销售额超过400亿日元。 ... PC版： 手机版：

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机 Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。 ASML 正在规划 0.77 NA 的 EUV 光刻机 ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。” 台积电 “冷落” High-NA EUV 光刻机启示录 尤其是在当下大陆在EUV光刻机获取全面受阻的情况下，李弈建议，台积电通过深入挖掘现有EUV光刻机的潜力，可支撑未来的1.6nm工艺，而大陆代工业如何借助DUV光刻机向7nm乃至下一步5nm制程发起冲刺应当有希望，应着力在光刻胶、光罩、多重曝光技术等领域持续创新突破，以全面提升利用DUV实现更先进制程的可能性。

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机  他表示，在未来十年内，ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。 这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是，高数值孔径EUV（high-NA）光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具，目前仅英特尔一家采用，而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用，ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室，该实验室将与Imec共同运营，为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上，该实验室的系统已经投入使用，并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据Van den Brink的最新更新，该系统已经能够产生8nm线阵图案，接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。 ... PC版： 手机版：

ASML和IMEC联合光刻实验室启用 最早2025年大量生产High NA EUV

ASML和IMEC联合光刻实验室启用 最早2025年大量生产High NA EUV 实验室内的核心设备为一台原型高数值孔径EUV扫描仪（TWINSCAN EXE：5000），以及与之配套的处理和计量工具，这些工具将共同助力未来芯片制造的突破。此次联合实验室的开放，被视为High-NA EUV技术大批量生产准备过程中的重要里程碑。业界预计，随着该技术的不断成熟和普及，将在2025-2026年期间迎来大规模的量产应用。值得一提的是，阿斯麦此前已公开展示了最新一代的High NA EUV光刻机。这款光刻机体积庞大，相当于一台双层巴士，重量更是高达150吨。由于其庞大的体型和复杂的组装过程，该设备需要被分装在250个单独的板条箱中进行运输，显示了其在制造和运输过程中的非凡挑战。尽管High NA EUV光刻机的制造成本高昂，据透露其售价高达3.5亿欧元（约合人民币27亿元），但其在半导体制造领域的价值无可估量。它将成为全球三大晶圆制造厂实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。 ... PC版： 手机版：

2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机

2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机 ASML Twinscan NXE:3800E代表了低数值孔径 EUV光刻技术在性能（每小时处理的晶圆数量）和匹配的加工覆盖方面的飞跃。新系统每小时可在 30 mJ/cm^2 剂量下处理超过 195 个晶圆，并有望通过吞吐量升级将性能进一步提高至 220 wph。此外，新工具还提供小于 1.1 nm 的匹配机器覆盖（晶圆对准精度）。ASML 在 X 上发布的一份声明中透露：“芯片制造商需要速度。第一台 Twinscan NXE:3800E 现已安装在一家芯片工厂中。凭借其新的晶圆台，该系统将为打印先进芯片技术提供领先的生产力。”我们正在将光刻技术推向新的极限。”在为逻辑制造商生产采用4nm/5nm和 3nm 级工艺技术的芯片时，吞吐量的增加将提高 Twinscan NXE:3800E 机器的经济效益。ASML Twinscan NXE:3800E 的性能改进预计将显着缓解EUV 技术的主要缺点之一，即性能相对较低，从而实现更高效、更具成本效益的芯片生产。这将使依赖 EUV 的工艺技术更容易被预算不像苹果、AMD、英特尔、英伟达和高通那样庞大的芯片设计者所接受。此外，该工具对于美光、三星和 SK 海力士等内存制造商也至关重要。此外，Twinscan NXE:3800E 的增强性能对于采用 2nm 以及需要 EUV 双图案化的后续制造技术制造芯片特别有用。匹配机器覆盖层的改进将有利于 3nm 以下生产节点。（图片来源：ASML）然而，像 NXE:3800E 这样的机器的复杂性和功能的代价是高昂的成本，每台的价格约为 1.8 亿美元。如此高的成本意味着这些光刻工具的成本需要一段时间才能折旧。然而，对于 ASML 的客户（包括一组精选的重要逻辑和内存制造公司）来说，NXE:3800E 提供了一条增强其尖端芯片生产能力的途径。这对于这些公司来说至关重要，因为他们努力满足全球对半导体不断增长的需求，扩大生产能力并管理芯片制造的经济性。引入 NXE:3800E 等更先进、更高效的 EUV 扫描仪对于实现这些目标至关重要。展望未来，ASML并没有满足于现状，计划以Twinscan NXE:4000F 的形式进行进一步创新，这是另一代低数值孔径 EUV 扫描仪，预计于 2026 年左右发布。这一持续开发强调了 ASML 致力于推进低数值孔径的承诺-NA EUV 制造技术，尽管即将采用高数值孔径光刻工具。 ... PC版： 手机版：

ASML：EUV技术领域不会面临中国公司的竞争

ASML：EUV技术领域不会面临中国公司的竞争 该消息推动ASML股价大涨9.52%，收盘股价1041.34美元，创下历史新高，总市值突破4096.86亿美元，成为了欧洲第二大市值的上市公司。Jefferies的报告指出，ASML预测其设备的市场需求有望一路走强至2026年，这主要是受益于各国政府推动的芯片制造本地化策略，通过补贴当地的晶圆厂建设，以提升自身的芯片制造能力。虽然2024年第一季度，ASML实现净销售额52.90亿欧元，同比下降21%。但是Jefferies证券认为，ASML 2024年二季度到四季度的平均订单额可能会达到57亿欧元左右，有望推动其2025年营收上探至400亿欧元。ASML此前就曾将其2025年营收目标设定在300~400亿欧元。Jefferies证券的报告还预测，台积电预计将在2024年某个时候就会收到ASML最新的High NA EUV（高数值孔径极紫外光）光刻机。ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管，即可以用于2nm以下的制程工艺制造，并且晶圆生产速度已经达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度。不过，High NA EUV光刻机的价格也是相当的昂贵，一台要价超过3.5亿欧元。台积电业务开发资深副总裁张晓强（Kevin Zhang）5月14日在阿姆斯特丹举行的一场会议上就曾公开表示，ASML High NA EUV订价太过高昂，台积电预计于2026年下半量产的A16（1.6nm）制程，也不一定需用到High NA EUV光刻机。他说，这要看公司能取得的最佳经济与技术平衡而定，A16制程或许会采用、但不确定。“我喜欢这项技术、但不喜欢高昂的价格。”目前最为积极引入High NA EUV光刻机则是英特尔，其是第一家订购并完成交付安装的晶圆制造商，目前英特尔已经开始在其美国俄勒冈州最先进的技术开发基地将High NA EUV光刻机用于其Intel 18A工艺的测试，以积累相关经验，后续将会被用于Intel 14A的量产。有报道称，ASML已接获数十台High NA EUV光刻机的订单，其中大部分被英特尔预定，此外三星、台积电、SK海力士、美光也有订购。对于ASML所面临的潜在竞争问题，Jefferies证券的报告称，由于技术本身和生态系统的复杂性，ASML 认为“在可预见的未来”，其在 EUV 技术领域不会面临来自中国光刻设备公司 SMEE或HW的竞争。根据资料显示，ASML先进的标准型EUV光刻机就拥有超过10万个零件，涉及到上游5000多家供应商。这些零部件极为复杂，对误差和稳定性的要求极高，并且这些零件几乎都是定制的，90%零件都采用的是世界上最先进技术，85%的零部件是和供应链共同研发，甚至一些接口都要工程师用高精度机械进行打磨，尺寸调整次数更可能高达百万次以上。可以说，EUV光刻机已经是所有半导体制造设备中技术含量最高的设备，其中包括上万种精密零部件，而且结合了光学、流体力学、表面物理与化学、精密仪器、自动化、高分子物理与化学、软件、机械、图像识别等多个领域的尖端知识。目前全世界没有一家企业，甚至可以说没有一个国家可以独立完成EUV光刻机的完整制造。相对于标准的0.33 NA（数值孔径） EUV光刻机来说，配备0.55 NA透镜的High NA EUV光刻机技术含量更高，系统设计也更为复杂。比如High NA EUV光刻机会比现有的EUV光刻机更为耗电，从1.5兆瓦增加到2兆瓦，主要原因是因为光源问题，ASML甚至还使用液冷铜线为其供电。High NA EUV光刻机其各类组件需要250个单独的板条箱中运输，其中包括13 个大型集装箱，组装后的High-NA EUV光刻机将比双层卡车还要大。目前ASML仍然是全球唯一的EUV光刻机供应商，虽然老牌的光刻机厂商日本的尼康和佳能仍在发展光刻机业务，但是也仅止步于DUV，在EUV方面依然是无能为力。不过，目前High NA EUV光刻机的发展已经接近当前技术的极限，下一代的0.75 NA的Hyper NA EUV光刻机理论上是可以实现，但是会面临更多更复杂的技术问题，同时成本也更为惊人。ASML的前首席技术官Martin van den Brink就曾表示，Hyper NA可能将是最后一个NA，而且不一定能真正投入生产，这意味经过数十年的光刻技术创新，我们可能会走到当前半导体光刻技术之路的尽头。即使Hyper NA能够实现，但是如果采用Hyper NA技术的制造成本增长速度和目前High NA EUV技术一样，那么经济层面几乎是不可行的。显然，在ASML现有光刻机技术路线即将走向尽头的背景之下，对于中国厂商来说在现有技术路线对于ASML之间的差距可能将不会继续加速扩大，这有利于厂商的技术追赶。但是在EUV技术路线发展受欧美限制，且该技术路线前景灰暗的情况下，中国厂商是持续投入资源突破现有限制进行技术跟随，还是考虑投入资源另辟蹊径寻找新的技术路径？比如佳能去年就推出了面向先进制程制造的纳米压印设备，但该技术路线能否成功还有待市场检验。 ... PC版： 手机版：