SK hynix 将在清州的 M15X 工厂生产新型 DRAM

SK hynix 将在清州的 M15X 工厂生产新型 DRAM 该公司计划于 4 月底开工,力争在 2025 年 11 月竣工,早日实现量产。随着设备投资计划的逐步增加,建设新生产基地的长期总投资将超过 20 万亿韩元。作为人工智能存储器领域的全球领导者,SK hynix 希望通过扩大投资来振兴国内经济,同时刷新韩国作为半导体强国的声誉。随着人工智能时代的到来,半导体行业认为 DRAM 市场已进入中长期增长阶段。除了预计年增长率将超过 60% 的 HBM 之外,该公司还预测,在用于服务器的大容量 DDR5 模块产品的带动下,普通 DRAM 的需求将稳步上升。由于 HBM 需要至少两倍于普通 DRAM 产品的生产能力才能保证同样的产量,因此 SK hynix 决定,提高 DRAM 能力,重点发展 HBM 是未来发展的先决条件。公司计划在 2027 年上半年龙仁半导体集群的第一座工厂竣工之前,在清州的 M15X 工厂生产新型 DRAM。M15X 位于 M15 工厂附近,而 M15 工厂一直在扩大 TSV 生产能力,因此最适合优化 HBM 生产。此外,SK hynix 还将按计划进行其他国内投资,包括龙仁半导体产业园,并将向该产业园注入约 120 万亿韩元。龙仁项目正在加速推进,基础工程的进度已达到 26%,比目标快 3%。包括土地补偿程序和文化财产调查在内的主要准备工作已经完成,从水电到道路等基础设施的建设也在加速。公司计划于明年 3 月开始建设位于龙仁的第一座工厂,并于 2027 年 5 月竣工。就整个 SK 集团而言,SK hynix 的投资是整个国内投资的主要支柱。自2012年并入SK集团以来,SK hynix根据其"未来愿景"计划,自2014年起已累计投资46万亿韩元,在韩国新建三座晶圆厂利川M14晶圆厂、2018年清州M15晶圆厂和2021年利川M16晶圆厂。SK hynix 预计,对 M15X 和龙仁集群的投资将有助于推动韩国成为更强大的人工智能半导体强国,同时为振兴当地经济提供动力。"随着向全球供应人工智能存储器的关键工厂转型,M15X 将作为连接公司现在和未来的垫脚石发挥关键作用,"SK hynix 总裁兼首席执行官郭能静(Kwak Noh-Jung)说。"我们相信,这项投资将成为超越私营部门的巨大飞跃,为更广泛的国内经济的未来做出贡献"。 ... PC版: 手机版:

相关推荐

封面图片

SK hynix价值1060亿美元的巨型工厂建设被曝进展缓慢

SK hynix价值1060亿美元的巨型工厂建设被曝进展缓慢 韩国贸易、工业和能源部的一份声明中写道:"迄今为止,Fab 1 已完成约 35%,现场改造进展顺利。到 2046 年,将投入超过 120 万亿韩元(目前为 900 亿美元,2021 年为 1060 亿美元)的投资来完成 Fab 1 到 Fab 4,Fab 1 的生产线建设将于明年 3 月开始。一旦完工,该基础设施将成为世界上最大的三层晶圆厂"。SK hynix 在近三年前宣布建立新的半导体制造集群,主要目的是利用先进的极紫外光刻(EUV)工艺技术为个人电脑、移动设备和服务器制造 DRAM。该集群位于韩国龙仁市附近,占地 415万平方米,计划由四个大型晶圆厂组成,预计产能约为每月 80 万个晶圆开工 (WSPM),将成为全球最大的半导体生产中心之一。尽管如此,SK hynix 的建设进度还是比公司最初预计的要慢。该园区的第一座工厂原计划于 2025 年投产,并于 2021 年第四季度开始建设。然而,SK hynix 从 2022 年下半年开始削减资本支出,龙仁半导体集群项目也成为削减资本支出的牺牲品。可以肯定的是,该项目仍在继续开发,只是速度有所放缓;这也是第一座晶圆厂的外部结构目前已建成约 35% 的原因。据 2021 年的报道称,如果按计划于 2021 年竣工,SK hynix 龙仁集群业务的第一阶段将成为耗资 250 亿美元的大型存储器生产设施,配备 EUV 工具,能够生产 20 万 WSPM。 ... PC版: 手机版:

封面图片

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后,三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术,积极加大对 DRAM 的关注,因为在强劲的人工智能需求的推动下,HBM 和 DDR5 的订单预计会增加,两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入,为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡,以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面,由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷,两家公司预计将继续维持当前的减产计划,在今年减少投资和扩张计划。

封面图片

SK hynix利用新一代HBM4E内存整合计算和高速缓存功能

SK hynix利用新一代HBM4E内存整合计算和高速缓存功能 由于目前这还只是一个概念,SK hynix 已经开始确保半导体设计 IP 以实现其目的。据韩国媒体ET News报道,虽然有关工艺的细节还不多,但SK hynix计划通过其即将推出的HBM4架构为多用途HBM奠定基础,因为这家韩国巨头将在板上集成内存控制器,并计划通过其第七代HBM4E内存带来新的计算选择。SK hynix 将把内存控制器置于其 HBM 结构的基础芯片上,这将提高能效和信号传输速度。至于新增功能对计算市场的影响有多大,我们还不能确定,但它肯定会提高性能,因为这种方法偏离了行业的传统做法,即对 HBM 和半导体进行不同的处理。然而,通过 SK hynix 的技术,封装后将成为一个整体,这不仅能确保更快的传输速度,因为结构间隙将大大减少,而且还能带来更高的能效。SK hynix 希望快速推进其下一代 HBM 概念,因为该公司已经与台积电结盟,以处理其结构中的半导体部分。这家韩国巨头希望借此在三星(Samsung)和美光(Micron)等竞争对手中遥遥领先,同时确保 HBM 产业的持续创新。 ... PC版: 手机版:

封面图片

SK hynix披露2024年HBM供应已售罄 公司预计2025年业绩将大幅增长

SK hynix披露2024年HBM供应已售罄 公司预计2025年业绩将大幅增长 HBM内存的主要供货商 SK hynix 正式证实了其前几个月分析报告中"破纪录"的 HBM 销量,重申其在HBM领域的发展方针,并声称市场将出现反弹。SK hynix 副总裁 Kim Ki-tae 在一篇博客文章中分享了该公司在 HBM 市场上的做法,此外,他还重申了SK hynix迈向2024年的期望:随着生成式人工智能服务的多样化和进步,对人工智能内存解决方案 HBM 的需求也呈爆炸式增长。HBM 具有高性能和大容量的特点,是一款具有里程碑意义的产品,打破了内存半导体只是整个系统一部分的传统观念。其中,SK Hynix HBM 的竞争力尤为突出。2024 年,期待已久的"Upturn"时代即将到来。在这个新的飞跃时期,我们将全力以赴,创造最佳业绩。我希望SK hynix的成员们都能在这一年里梦想成真。此外,该公司还透露了 HBM 领域的惊人需求,声称今年的供应已经售罄,SK hynix 已经在为 2025 财年的主导地位做准备。这一点也不令人震惊,因为进入 2024 年,人工智能仍在蓬勃发展,英伟达(NVIDIA)和 AMD 等公司都在为下一代解决方案做准备,显然对 HBM 的需求也将是巨大的。随着 HBM3e 和 HBM4 产品的上市,我们可能会看到更多令人震惊的收入数字。 ... PC版: 手机版:

封面图片

SK hynix前员工因涉嫌在被华为挖角时窃取关键半导体技术在韩国被捕

SK hynix前员工因涉嫌在被华为挖角时窃取关键半导体技术在韩国被捕 SK hynix 拥有先进的 DRAM 和闪存技术,目前正在为英伟达人工智能 GPU 研发HBM3e 内存,为即将推出的消费级 GPU 研发GDDR7 VRAM,并与台积电合作推出 HBM4 技术。所有这些数据对华为来说都是至关重要的,因为这将使华为在各个类别中占据优势。韩国刊物《今日财富》(Money Today)的一篇报道披露,SK hynix指控这位前员工接受华为提供的薪资待遇,使她不仅离开目前的岗位,还窃取宝贵的数据。为了不透露这位 SK hynix 前员工的身份,该报道将其称为 A 女士,是一位 30 多岁的中国女性,于 2013 年加入这家韩国公司,曾在分析半导体设计缺陷的部门工作。不过,该报道后来又将此人称为 A 先生,因此这可能是该刊物的笔误。这位 SK hynix 的前员工于 2020 年跳槽到华为,并在那里担任企业对企业客户咨询部门的组长,直到 2022 年 6 月。在此人试图跳槽的过程中,A 先生意识到,由于安全措施的加强,无法使用 U 盘从 SK hynix 提取关键数据。于是他"另辟蹊径"打印了 3000 多张 A4 纸交给了华为。这些信息对这间中国公司大有裨益,因为它提供了降低半导体制造缺陷率的数据。A 先生在国外生活两年后于今年 4 月底进入韩国,随后被警方逮捕。A 先生声称,他打印数据只是为了研究半导体,并没有试图以任何形式泄露数据。不过,SK hynix 的一位官员表示,当公司发现该员工携带打印数据离开时就已向调查机构报告了这一事件。报道称,此类事件正在迅速增加,但华为公司尚未对此发表评论。值得注意的是,主流媒体尚未对该报道进行评估《今日财富》最终仍无法辨别这位前 SK Hynix 员工是男性还是女性,这让我们对上述说法产生了怀疑。阅读报道原文(韩语): ... PC版: 手机版:

封面图片

SK加入美国半导体供应链 在华投资或受限

SK加入美国半导体供应链 在华投资或受限 4月4日,韩国SK海力士发布消息称,将在美国建设半导体工厂。在用于生成式AI(人工智能)的高性能半导体需求猛增的情况下,SK海力士将顺应美国拜登政府推进半导体国产化的意图,加入美国半导体供应链。该企业也在中国设有主力工厂,可能会夹在中美之间左右为难。“很高兴能在美国建设业界首座AI半导体尖端封装生产设施”,SK首席执行官(CEO)郭鲁正在于4月4日美国印第安纳州举行的仪式上,向美国政府相关人士等表达了自己的心情。SK将投资38.7亿美元,新建在美国的第一家半导体工厂。争取2028年开始量产,将以驱动生成式AI所需的被称为“高带宽存储器(HBM)”的高性能半导体为中心实施最后的生产工序。HBM是负责短期存储的DRAM存储器的一种。向美国总统承诺建厂事情的开端要追溯到2022年。SK集团会长崔泰源与拜登举行了视频会谈。我们将向美国半导体产业投资150亿美元,崔泰源的公开表态受到了美国政府的热烈欢迎。在中美对立导致地缘政治风险高涨的情况下,美国一直在促进半导体产业回归国内。2022年新设了《芯片和科学法案》,准备了总额达到约500亿美元的补贴,开始吸引半导体产业。为了吸引更多的企业在本国生产半导体,韩国政府也在通过税收优惠等政策促使工厂开工,SK也在进行增产。但如果生产基地扩大到美国,就能够实现供应链分散,以应对紧急事态。美国的补贴和尖端技术研发环境也对SK具有吸引力。在逻辑半导体领域,台积电(TSMC)和韩国三星电子两大亚洲巨头已经决定在美建厂。如果在存储器方面拥有强大技术实力的SK也加入的话,美国半导体供应链的竞争力将进一步提高。“Chat GPT”等生成式AI的普及也对SK作出这一决定起到了推动作用。要高速处理大量数据,HBM不可或缺。SK通过与美国英伟达(NVIDIA)合作,迅速确立了量产技术,目前正在迎来大量特需。在1月的结算会上,SK解释说:“HBM从中长期来看需求年均增长60%”。台湾调查公司TrendForce在3月分析称,在目前主流的HBM3产品市场上,SK的份额将达到90%以上。向三星发起攻势对SK而言,在国内同行中排名世界第一的三星电子是长年的眼中钉。据英国Omdia公司统计,2022年DRAM份额三星占43%,而SK仅占28%。凭借HBM这一新技术一跃占据优势的SK将加快量产计划,与三星拉开差距。SK在美国建设的是将半导体晶圆分割成芯片进行组装的“后工序”工厂。制造生成式AI半导体,需要层叠多个晶圆及贯通孔等复杂技术。位于建设工厂的印第安纳州普渡大学从事最尖端的半导体研究,学生等人才也很丰富。SK有一边抢夺美国的“半导体头脑”,一边对抗三星的野心。SK越是与美国加深蜜月关系,越难以处理与中国的关系。SK在中国运营着3家工厂,中国占到其半导体产能的约3成。2023年各国和地区的半导体销售额占比中,中国达到31%,仅次于美国的47%。SK在美国新建工厂时向美国政府申请了基于CHIPS法的补贴。如果接受这项补贴,就要受制于在美国存在经济安全保障担忧的中国等地投资被限制10年的条款。SK评论称:“如果能够拿到补贴,我们将遵守条款,努力将对经营的影响降到最小限度”。进驻美国拖累中国投资的情况也发生在正在德克萨斯州建设逻辑半导体工厂的三星身上。作为接受补贴的条件,三星的西安和苏州半导体工厂扩大产能受到了限制。存储器产业的技术革新很快。如果不进行尖端投资,现有中国工厂的技术水平将在几年内落后。关于中国工厂,据说三星正在考虑出售及折旧后停产等方案,没有找到摆脱困境的方法。韩国有进投资证券的研究中心负责人李承禹认为:“SK在中美纠葛之下,难以对中国进行尖端投资,将转而投向美国”。以进入从生成式AI设计到客户拥有大量科技企业的美国供应链为条件,SK等韩国企业已开始远离中国。 ... PC版: 手机版:

🔍 发送关键词来寻找群组、频道或视频。

启动SOSO机器人