三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产 首先,三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存,本月将首先出货 8-Hi 堆栈,随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片(如 AMD 的 MI300X)上提供每个堆栈 36 GB 的容量,最高可达 288 GB 的产品。据报道,AMD 已经与三星代工厂签订了协议,后者将提供 HBM3E DRAM,用于现有和下一代产品,如更新的MI350/MI370 GPU,据说这些产品的内存容量都会增加。在 DDR5 DRAM 方面,三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块,并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。最后,三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品,该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC(四层单元)设计。有报道称, TLC V-NAND(第 9 代)将于本月开始生产,其传输速度将提高 33%,达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。 ... PC版: 手机版:

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第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20% 在花莲地震之前,TrendForce 最初预测 DRAM 合约价格将季节性上涨 3-8%,NAND Flash 将上涨 13-18%。这主要是由于人工智能应用之外的需求低迷,尤其是笔记本电脑和智能手机的需求没有复苏迹象。库存水平逐渐增加,尤其是个人电脑原始设备制造商的状况所带来。此外,由于 DRAM 和 NAND 闪存的价格已经连续上涨了两三个季度,买家接受进一步大幅提价的意愿已经减弱。地震后,市场上出现了一些零星的报道,称 PC OEM 供应商出于特殊考虑,接受 DRAM 和 NAND Flash 合同价格的大幅上涨,但这只是个别交易。到 4 月下旬,在新一轮合同价格谈判完成后,涨幅超过了最初的预期。这促使 TrendForce 上调了第二季度 DRAM 和 NAND Flash 的合约价格涨幅,这不仅反映了买方希望支持其库存价值的愿望,也反映了对人工智能市场供需前景的考虑。TrendForce 报告称,制造商对 HBM 产能的潜在挤出效应保持警惕。具体而言,三星采用 1Alpha 工艺节点的 HBM3e 产品预计到 2024 年底将使用约 60% 的产能。这一大幅分配预计将限制 DDR5 供应商,尤其是在第三季度 HBM3e 产量大幅增加的情况下。为此,买家在第二季度战略性地增加库存,为第三季度开始的 HBM 短缺做好准备。随着能效对人工智能推理服务器越来越重要,北美 CSP 正在采用 QLC 企业固态硬盘作为首选存储解决方案。这一转变推动了对 QLC 企业级固态硬盘的需求,导致一些供应商的库存迅速耗尽,并使他们对销售犹豫不决。此外,由于消费产品需求的复苏尚不明朗,供应商对非 HBM 晶圆容量的资本投资普遍持保守态度,尤其是对 NAND 闪存的投资,因为目前 NAND 闪存的价格处于盈亏平衡点。 ... PC版: 手机版:

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三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产 据悉,第九代V-NAND闪存凭借其超小的单元尺寸和极致的叠层厚度,实现了比上一代产品高约50%的位密度。新技术的运用,如单元干扰避免和单元寿命延长,不仅提升了产品的质量和可靠性,而且通过消除虚通道孔显著减少了存储单元的平面面积。此外,三星展现了其在制造工艺上的卓越能力,通过采用先进的“通道孔蚀刻”技术,该技术能够在双层结构中同时钻孔,达到业界最高的单元层数,从而最大限度地提高了生产效率。随着闪存单元层数的增加,对更复杂蚀刻技术的需求也日益凸显。值得一提的是,第九代V-NAND还配备了新一代的NAND闪存接口“Toggle 5.1”,使数据传速速度提升了33%,最高可达到每秒3.2Gbps。同时,三星还计划通过增强对PCIe 5.0的支持来进一步巩固在高性能固态硬盘市场的地位。与上一代相比,第九代V-NAND还在低功耗设计上取得了显著进步,功耗降低了10%,这一改进使得新型闪存成为未来低能耗应用的理想选择。目前,三星已经开始了第九代1Tb TLC V-NAND的量产,并计划在今年下半年推出四层单元(QLC)的第九代V-NAND产品。 ... PC版: 手机版:

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三星将首秀36GB HBM3E内存:NVIDIA H200单卡就有216GB NVIDIA H200 AI加速卡将首发采用三星36GB HBM3E,只需要八颗,就能达成6144-bit的位宽、216GB的容量,从而超过192GB HBM3内存的AMD Instinct MI300X。H200还支持四路、八路互连,因此单系统的HBM3E内存容量可以达到864GB、1728GB!按照惯例,NVIDIA可能会出于良品率的考虑,屏蔽一小部分容量,但是单卡超过200GB、单系统超过1.6TB必然是很轻松的。按照NVIDIA的说法,H200虽然还是Hopper架构,但相比H100再次飞跃,700亿参数Llama2、1750亿参数GTP-3模型的推理性能分别提升多达90%、60%,对比前代A100 HPC模拟性能直接翻番。NVIDIA H200计划2024年第二季度出货,三星36GB HBM3E则会在第一季度投入量产,正好赶得上。 ... PC版: 手机版:

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三星推出U.2接口的BM1743数据中心级固态硬盘 容量高达61.44TB但采用QLC颗粒 这款固态硬盘采用数据中心典型的 U.2 接口,协议支持 PCIe 4.0/5.0 x 4,采用三星第七代 V-NAND QLC 闪存颗粒,连续读取速度为 7,200MB / 秒、连续写入速度为 2,000MB / 秒。4K IOPS 性能方面,BM1743 随机读取为 1600K,随机写入为 110K,这个性能其实不算太高,不过对于读取密集型存储场景来说应该是够了。下图是 U.2 常规版,也就是采用 2.5 英寸的普通 SSD 尺寸:三星希望这款数据中心固态硬盘能够被边缘 AI 推理和内容交付所使用,目前在 AI 领域存储需求正在大幅度提升,对 AI 模型提供商来说除了强大的 GPU 外,也确实需要使用性能更好的固态硬盘提升数据快速读取响应时间。这款固态硬盘主要通过 U.2 接口提供兼容性,不过 PCIe 5.0 x 4 版也提供 E3.S 接口版,方便企业根据自己的需要在不同规格的服务器中进行部署。三星在新闻稿中完全没有提到这款固态硬盘的功耗,毕竟这种固态硬盘主要提供的是巨量存储和极高的性能 (相比机械硬盘来说),因此功耗不是重点。对企业和数据中心提供商来说 BM1743 也确实有足够的吸引力,因为市场上竞争对手并不多,同样提供 61.44TB 的固态硬盘还有 Solidigm 的 D5-P5336 和西部数据的 WD SN655,这两款固态硬盘也采用 PCIe 接口。其他固态硬盘制造商例如铠侠、美光、SK 海力士等暂时还未推出 60TB + 的固态硬盘,所以暂时只有三星、Solidigm 和 WD 共享这块市场。 ... PC版: 手机版:

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