随着制造商将重点转向HBM生产 DRAM内存供应将出现短缺

随着制造商将重点转向HBM生产 DRAM内存供应将出现短缺考虑到就在几个月前，各公司还面临着大范围的库存修正问题，以及消费者需求的减少，DRAM 市场现在的状况既令人感到幸运，又令人感到震惊。由于人工智能的炒作迫使三星和 SK hynix 等制造商将重点放在企业存储和 HBM 生产上，从而将 DRAM 置于次要位置，通用 DRAM 存储芯片在市场上可能会出现短缺。市场上 DRAM 的产能利用率已降至历史最低点，主要原因是企业更专注于满足对高带宽内存的大量需求。此外，在之前的市场情况下，各公司已经大幅缩减了 DRAM 的生产规模，因此需求的突然增加将给过去几个季度处于库存调整状态的公司带来更多的问题。鉴于通用 DRAM 内存芯片在个人电脑和移动领域发挥着巨大作用，该报告认为，随着市场采用率的提高，可能会出现大范围的短缺。虽然我们还不能确定是否即将涨价，但摩根士丹利之前的一份报告显示，由于人工智能炒作带来了巨大需求，企业决心在未来几个季度以两位数的百分比提高销售成本，因此内存商品的价格将会飙升。对于 SK hynix 和三星等公司来说，现在可能是挽回 DRAM 市场利润损失的最佳时机，但对于消费者来说，内存产品的成本可能会越来越高，因此，如果你看到便宜货，请马上抢购。 ... PC版：手机版：

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涨价前兆 PC、手机DRAM内存将出现供应短缺与HBM DRAM相比，通用型DRAM指的是用于手机、PC的内存芯片，这一供应短缺的信号可能预示着DRAM内存芯片的价格上涨。自2024年初以来，通用型DRAM的产能仅提升了大约10%，而智能手机、PC和服务器市场的增长率预计仅为2%到3%。全球云计算和科技公司在AI基础设施上的投资削减，也未能显著推动DRAM需求的复苏。与此同时，企业级固态硬盘（eSSD）的需求因人工智能的普及而激增，导致三星、SK海力士等主要制造商在第二季度满负荷运行其NAND生产线。铠侠也在市场条件改善后结束了减产，NAND产能利用率恢复至100%。尽管业界对通用型DRAM需求反弹持谨慎乐观态度，但这一可能性很大程度上取决于终端设备AI能力的普及程度。PC制造商和智能手机厂商，如三星和苹果，正在积极探索AI技术在各自产品中的应用，以期带动市场需求。 ... PC版：手机版：

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2024年HBM供应量预计增长260% 占DRAM产业的14% Wu解释说，就HBM和DDR5的生产差异而言，HBM的裸片尺寸通常比相同工艺和容量的DDR5大35-45%（例如，24Gb与24Gb相比）。 HBM的良率（包括TSV封装）比DDR5大约低20-30%，生产周期（包括TSV）比DDR5长1.5到2个月。由于 HBM 从晶圆开始到最终封装的生产周期较长，需要两个季度以上，因此渴望充足供应的买家需要提前锁定订单。 TrendForce获悉，2024年大部分订单已提交给供应商，除非验证失败，否则不可取消。三星和 SK hynix 的 HBM 生产计划在今年年底前最为激进。预计到年底，三星的HBM总产能将达到13万片左右（包括TSV）；SK hynix约为12万片，但产能可能会根据验证进度和客户订单而变化。关于目前主流 HBM3 产品的市场份额，SK hynix 占据了 HBM3 市场 90% 以上的份额，而随着 AMD 的 MI300 在未来几个季度的逐步发布，三星预计将紧随其后。 ... PC版：手机版：

美光领先于SK Hynix 和三星启动HBM3E内存的生产

美光领先于SK Hynix 和三星启动HBM3E内存的生产美光透露其正在大规模生产 24 GB 8-Hi HBM3E 设备，每个设备的数据传输速率为 9.2 GT/s，峰值内存带宽超过 1.2 TB/s。与 HBM3 相比，HBM3E 将数据传输速率和峰值内存带宽提高了 44%，这对于像 NVIDIA 的 H200 这样对带宽要求极高的处理器尤为重要。NVIDIA 的 H200 产品采用 Hopper 架构，计算性能与 H100 相同。同时，它配备了 141 GB HBM3E 内存，带宽达 4.8 TB/s，比 H100 的 80 GB HBM3 和 3.35 TB/s 带宽有了显著提升。美光使用其 1β（1-beta）工艺技术生产其 HBM3E，这对该公司来说是一项重大成就，因为该公司将其最新的生产节点用于数据中心级产品，这是对制造技术的一种考验。随着美光即将于 2024 年 3 月发布 36 GB 12-Hi HBM3E 产品，代表着公司的人工智能内存路线图得到了进一步巩固，与此同时这些设备接下来将用于何处还有待观察。领先于竞争对手 SK Hynix 和三星开始量产 HBM3E 内存是美光公司取得的一项重大成就，目前美光公司在 HBM 领域占据 10% 的市场份额。此举对该公司至关重要，因为它使美光能够比竞争对手更早推出高端产品，从而有可能增加收入和利润率，同时获得更大的市场份额。美光科技执行副总裁兼首席业务官 Sumit Sadana 表示："美光在 HBM3E 这一里程碑上实现了三连冠：领先的上市时间、同类最佳的行业性能以及与众不同的能效特性。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量，美光通过我们业界领先的 HBM3E 和 HBM4 路线图，以及我们面向人工智能应用的全套 DRAM 和 NAND 解决方案组合，在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。" ... PC版：手机版：

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