西部数据WD Blue SN5000 SSD上线：最高8TB容量、TLC/QLC闪存混用

西部数据WD Blue SN5000 SSD上线：最高8TB容量、TLC/QLC闪存混用 在技术细节上，WD Blue SN5000 SSD采用了无缓存四通道主控解决方案，支持最新的NVMe 1.4协议，并配备了PCIe 4.0 x4接口，为数据传输提供了强大的通道支持。同时，其M.2 2280的外形规格，也使其兼容性广泛，可轻松融入各种现代计算设备中。在存储介质方面，WD Blue SN5000 SSD根据不同容量采用了不同的闪存技术。其中，500GB、1TB和2TB的版本采用了BiCS5 112层3D TLC NAND闪存，而4TB的版本则搭载了更为先进的BiCS6 162层3D QLC NAND闪存。预计8TB的版本也将采用这一先进的闪存技术，为用户提供更加出色的存储性能和稳定性。此外，西部数据将会为WD Blue SN5000 NVMe SSD提供五年质保，官方暂时还没有提供产品的定价。 ... PC版： 手机版：

西部数据推出 PC SN5000S NVMe 固态硬盘：QLC 闪存，最大 2TB 容量

西部数据推出 PC SN5000S NVMe 固态硬盘：QLC 闪存，最大 2TB 容量 三个容量的 PC SN5000S 最大顺序读取速度均为 6000MB/s，最大顺序写入速率分别为 4200/5400/5600 MB/s（从低容量到高容量，下同）。三个的标称随机读取分别为 500K / 750K / 750K IOPS；随机写入分别为 850K / 900K / 900K IOPS 西部数据均为其提供 5 年质保，标称耐久分别为 150/300/600 TBW，即每 TB 质保写入量 300TB

三星推出U.2接口的BM1743数据中心级固态硬盘 容量高达61.44TB但采用QLC颗粒

三星推出U.2接口的BM1743数据中心级固态硬盘 容量高达61.44TB但采用QLC颗粒 这款固态硬盘采用数据中心典型的 U.2 接口，协议支持 PCIe 4.0/5.0 x 4，采用三星第七代 V-NAND QLC 闪存颗粒，连续读取速度为 7,200MB / 秒、连续写入速度为 2,000MB / 秒。4K IOPS 性能方面，BM1743 随机读取为 1600K，随机写入为 110K，这个性能其实不算太高，不过对于读取密集型存储场景来说应该是够了。下图是 U.2 常规版，也就是采用 2.5 英寸的普通 SSD 尺寸：三星希望这款数据中心固态硬盘能够被边缘 AI 推理和内容交付所使用，目前在 AI 领域存储需求正在大幅度提升，对 AI 模型提供商来说除了强大的 GPU 外，也确实需要使用性能更好的固态硬盘提升数据快速读取响应时间。这款固态硬盘主要通过 U.2 接口提供兼容性，不过 PCIe 5.0 x 4 版也提供 E3.S 接口版，方便企业根据自己的需要在不同规格的服务器中进行部署。三星在新闻稿中完全没有提到这款固态硬盘的功耗，毕竟这种固态硬盘主要提供的是巨量存储和极高的性能 (相比机械硬盘来说)，因此功耗不是重点。对企业和数据中心提供商来说 BM1743 也确实有足够的吸引力，因为市场上竞争对手并不多，同样提供 61.44TB 的固态硬盘还有 Solidigm 的 D5-P5336 和西部数据的 WD SN655，这两款固态硬盘也采用 PCIe 接口。其他固态硬盘制造商例如铠侠、美光、SK 海力士等暂时还未推出 60TB + 的固态硬盘，所以暂时只有三星、Solidigm 和 WD 共享这块市场。 ... PC版： 手机版：

致态推出TiPro600 / TiPlus7100 SSD 4TB：满足大容量存储，1299元起售

致态推出TiPro600 / TiPlus7100 SSD 4TB：满足大容量存储，1299元起售 致态TiPro600 SSD 4TB选择的是无缓存的低功耗存储设计方案，采用了PCIe 4.0 x4接口，外形为M.2 2280规格，搭载了长江存储原厂的QLC颗粒 首发到手价不高于1299元 致态TiPlus7100 SSD 4TB选择的也是无缓存的存储设计方案，采用了PCIe 4.0 x4接口，外形为M.2 2280规格，搭载了长江存储原厂的TLC颗粒，支持HMB和SLC Cache技术 首发到手价不高于1799元

读取7400MB/s 华为发布eKitStor Xtreme M.2闪存条

读取7400MB/s 华为发布eKitStor Xtreme M.2闪存条 华为eKitStor Xtreme M.2闪存条提供512GB、1TB、2TB、4TB四种规格，官方宣称“颗粒优品率达99.999%”。同时，拥有3大算法加持，让性能提升15%、寿命提升10%、可靠性提升30%。除了高性能M.2闪存条，华为今天还发布了专注于非结构化数据的业界首款A-A架构入门级全闪NAS存储OceanStor Dorado 2100、全新升级的SAN存储OceanStor Dorado 2000、支持SAN&NAS一体化的OceanStor Dorado 3000。面向大容量全闪需求和备份场景，华为也推出了容量密度达1.5PB/2U的OceanStor 5310容量型全闪存。 ... PC版： 手机版：

韩国科学技术院研发出用于神经形态计算的新型超低功耗存储器

韩国科学技术院研发出用于神经形态计算的新型超低功耗存储器 韩国科学技术院（KAIST）（院长 Kwang-Hyung Lee）4 月 4 日宣布，电气工程学院 Shinhyun Choi 教授的研究团队开发出了下一代相变存储器*设备，具有超低功耗的特点，可以取代 DRAM 和 NAND 闪存。相变记忆体指的是一种存储和/或处理信息的存储器件，利用热量将材料的结晶状态改变为非晶态或结晶态，从而改变其电阻状态。现有的相变存储器存在一些问题，如制造高比例器件的制造工艺昂贵，运行时需要大量电力。为了解决这些问题，Choi 教授的研究团队开发出了一种超低功耗相变存储器件，它不需要昂贵的制造工艺，而是通过电学方法形成非常小的纳米（nm）级相变丝。这一新研发成果具有突破性的优势，不仅加工成本极低，而且还能以超低功耗运行。DRAM 是最常用的存储器之一，速度非常快，但具有易失性，当电源关闭时数据就会消失。存储设备 NAND 闪存的读/写速度相对较慢，但它具有非易失性特点，即使在电源切断时也能保存数据。图 1.本研究开发的超低功耗相变存储器件的图示，以及新开发的相变存储器件与传统相变存储器件的功耗对比。资料来源：韩国科学技术院新兴纳米技术与集成系统研究所另一方面，相变存储器结合了 DRAM 和 NAND 闪存的优点，具有高速和非易失性的特点。因此，相变存储器作为可替代现有存储器的下一代存储器备受瞩目，目前正被作为一种存储器技术或模拟人脑的神经形态计算技术而积极研究。然而，传统的相变存储器件在运行时需要消耗大量电能，因此难以制造出实用的大容量存储器产品或实现神经形态计算系统。为了最大限度地提高存储器件运行时的热效率，以前的研究工作主要集中在通过使用最先进的光刻技术缩小存储器件的物理尺寸来降低功耗，但这些研究在实用性方面受到了限制，因为功耗的改善程度微乎其微，而成本和制造难度却随着每次改进而增加。为了解决相变存储器的功耗问题，Shinhyun Choi 教授的研究团队创造了一种在极小面积内电形成相变材料的方法，成功实现了超低功耗相变存储器件，其功耗比使用昂贵的光刻工具制造的传统相变存储器件低 15 倍。Shinhyun Choi 教授对这项研究未来在新研究领域的发展充满信心，他说："我们开发的相变存储器件意义重大，因为它提供了一种新颖的方法，可以解决生产存储器件过程中的遗留问题，同时大大提高制造成本和能源效率。我们期待我们的研究成果能成为未来电子工程的基础，实现包括高密度三维垂直存储器和神经形态计算系统在内的各种应用，因为它开辟了从多种材料中进行选择的可能性。我要感谢韩国国家研究基金会和国家纳米实验室中心对这项研究的支持。"4 月 4 日，国际著名学术期刊《自然》（Nature）4 月刊发表了这项研究的论文，KAIST 电气工程学院博士生 See-On Park 和博士生 Seokman Hong 作为第一作者参与了这项研究。编译自:ScitechDaily ... PC版： 手机版：