韩国总统府：“美国同意三星、SK 海力士在未经单独许可的情况下向中国工厂供应半导体设备”

韩国总统府：“美国同意三星、SK 海力士在未经单独许可的情况下向中国工厂供应半导体设备” 韩国总统府 9 日宣布，美国政府已做出最终决定，在未经批准的情况下，向三星电子和 SK 海力士的中国工厂提供美国制造的半导体设备，将不需要单独许可程序或豁免期限。 美国政府最近通过美国国家安全委员会(NSC)通知韩国，他们打算将三星电子和 SK 海力士在中国的半导体工厂指定为“已验证最终用户”(VEU)。 VEU 是一种允许出口仅限于预先批准企业的特定物品的综合许可方式。被纳入在 VEU 中实际上意味着美国的出口控制实际上将无限期推迟，因为无需单独的逐案发放许可证。

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

美国将允许韩企在华芯片厂进口先进制造设备

美国将允许韩企在华芯片厂进口先进制造设备 来自韩国「东亚日报」信息，一位外交官声称，美国商务部在对华芯片出口限制上，将不对韩国在华企业产生影响。 这意味着，三星、SK 海力士等韩国半导体企业在中国的工厂依然能够进口先进半导体制造设备。 早在上月末，就有半导体公司承认，他们收到了美国商务部公文，要求“对中国的出口限制扩大到 14 纳米及其以下制程的半导体设备”，这一限制同样可能影响到韩国在华工厂，甚至造成生产中断。如三星、SK 海力士，他们可能将不能进口 EUV 技术的高端生产设备。 关于为什么韩国企业能获得豁免。 有人认为，这是近期《通胀削减法案》的实施会严重影响韩国电动车及动力电池两大产业，政府与产业界联合采取了应对措施，以期在「其他方面」获得「照顾」。也有人认为，这是个象征性举措，表示美国想将中国排除在其半导体供应链体系外，同时也保护韩国等合作国家及地区的立场。

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂 SK 海力士公司计划斥资38.7亿美元在印第安纳州建造一座先进的封装厂和人工智能产品研究中心。这标志着拜登政府在寻求增加美国本土半导体产量方面的胜利。这家全球第二大的内存芯片制造商表示，将在美国西拉斐特市建设首个工厂，并计划于2028年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能系统图形处理器的关键组件。在美国当地建厂的决定是在 SK 海力士宣布投资美国的计划约两年后作出的。当时，SK 集团董事长崔泰源表示，该企业将拨出大约150亿美元，在美国建设芯片设施和加强研究项目。这家韩国公司表示，周三的公告是这一总体承诺的一部分。SK 海力士还申请了《芯片与科学法案》的拨款，该法案旨在促进半导体制造业回归美国。

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度 22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。