SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存 2024-05-13 2024-05-02 2024-04-22 2024-03-21 2024-03-14 2024-03-07 2024-03-01 2024-02-23 2024-02-13

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

三星、SK 海力士、美光 被指合谋垄断 DRAM 市场，美法院驳回集体诉讼

三星、SK 海力士、美光 被指合谋垄断 DRAM 市场，美法院驳回集体诉讼 美国第九巡回上诉法院日前驳回了律所 Hagens Berman 发起的集体诉讼，该所诉称三星电子、SK 海力士、美光等 DRAM 头部企业在 2016-2018 年期间合谋抬高市场价格，损害消费者利益。

SK海力士发布2023财年第三季度财务报告

SK海力士发布2023财年第三季度财务报告 SK海力士解释道：“因高性能半导体存储器产品为中心的市场需求增加，公司业绩在第一季度低点过后持续改善，特别是面向AI的代表性存储器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等主力产品的销售势头良好，与上季度相比营业收入增长24%，营业损失减少38%。” 顺应这一趋势，SK海力士决定加大对HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等高附加值主力产品的投资。公司将进行以第四代10纳米级(1a)和第五代10纳米级(1b)DRAM为中心的生产线转换，同时扩大对HBM TSV技术的投资。

SK海力士在服务器DRAM市场击败三星，占据了近一半的市场份额

SK海力士在服务器DRAM市场击败三星，占据了近一半的市场份额 很长时间里，三星 一直是 DRAM 市场的领导者。不过最新的统计数据显示 SK海力士 在2023年第三季度占据了49.6%的服务器DRAM市场份额，销售额达到了18.5亿美元，稳稳地高居榜首；三星排名第二，市场份额为35.2%，销售额为13.13亿美元，与SK海力士之间已经拉开了差距；美光 排在了第三，市场份额为15%，销售额为5.6亿美元。 服务器内存产品约占整个DRAM市场35%至40%的销售额。

SK海力士内存产品提价约15%-20%，下半年涨幅趋缓

SK海力士内存产品提价约15%-20%，下半年涨幅趋缓 华尔街见闻从供应链独家获悉，SK海力士LPDDR5/LPDDR4/NAND/DDR5等DRAM产品，均有15%-20%的提价。供应链人士告诉华尔街见闻，“海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。”