代工一哥直呼太贵，台积电考虑 A16 节点不用 ASML 的 High-NA EUV 设备

代工一哥直呼太贵，台积电考虑 A16 节点不用 ASML 的 High-NA EUV 设备 台积电张晓强博士于 5 月 14 日出席在阿姆斯特丹举办的技术研讨会，他直言：“ASML 的 High-NA EUV 太贵了，我非常喜欢 High-NA EUV 的能力，但不喜欢它的价格”。 2024-04-25 2024-05-05

英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能

英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能 TheElec 获悉，ASML 截至明年上半年的高数值孔径 EUV (High-NA EUV) 设备订单由英特尔全部包揽，因此三星和 SK 海力士明年下半年后才能获得设备。消息人士称，ASML 的高数值孔径 EUV 设备产能每年约为五至六台，这意味着英特尔将获得所有初始产能。他们还表示，英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。ASML 的高数值孔径 EUV 设备是芯片制造商制造 2nm 工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过 5000 亿韩元。

台积电 发布A16制程工艺，预计2026年投产，不用 High-NA EUV 设备

台积电 发布A16制程工艺，预计2026年投产，不用 High-NA EUV 设备 他这个 A16 应该是指 16Å (1.6nm)，对应 Intel 14A 制程 但这么命名乍一看还以为是的A16

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 据台湾业界消息，台积电并没有为A16制程准备High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下，英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NA EUV光刻机。关于背面供电技术，英特尔原本计划在20A（2nm）制程导入，称其为“Power Via”，但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN，根据早些时候消息，三星代工部门首席技术官Jung Ki-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NA EUV光刻机，并完成组装。业界认为，台积电选择在这时推出A16制程，给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NA EUV设备上抢先一步，但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机，也展现了其技术实力，可以在不采用最新设备的情况下，将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上，去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式，在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时，还降低了缺陷密度。台湾分析师表示，台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求，尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NA EUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头之间分配，势必成为一大挑战。 ... PC版： 手机版：

ASML新EUV三雄抢买 台积电、三星设备最快2026到位

ASML新EUV三雄抢买 台积电、三星设备最快2026到位 媒体报道，ASML近期对外秀出High NA EUV光刻机设备，一台要价3.5亿欧元，大小等同于一台双层巴士，重量更高达150公吨，相较于两架空中巴士A320客机，装机时间推估需要六个月，并需要250个货箱、250名工程人员才能安装完成，不仅价格高昂又相当耗时。英特尔早在去年12月已先行拿下一台High NA EUV光刻机设备，不过，英特尔原预期将该光刻机设备导入在自家18A的先进制程量产，不过，日前英特尔CEO基辛格（Pat Gelsinger）宣布，不会在18A制程采用High NA EUV量产，代表暂时延后采用High NA EUV光刻机设备。至于台积电、三星等晶圆代工大厂在High NA EUV设备机器采购上，脚步则慢于英特尔。业界指出，由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍，代表生产成本将大幅增加，由于明年即将量产的2纳米晶圆售价仍未大幅增加，成为台积电、三星不急于导入High NA EUV光刻机台的关键。业界人士推测，台积电预计最快在1.4纳米（A14）才导入High NA EUV光刻机台，代表2025年才可望有采购设备的消息传出，若按照台积电先前对外释出的1.4纳米量产时间将落在2027年至2028年计划下，台积电的High NA EUV光刻机台交货时间可能落在2026年开始陆续交机。不过，可以确定的是，ASML的High NA EUV光刻机台已成为英特尔、台积电及三星等晶圆制造大厂进军2纳米以下先进制程的必备武器，仅是大量采用的时间先后顺序差别。事实上，进入7纳米以下后，台积电就开始导入EUV光刻机设备，原因在于光罩曝光层数大幅增加，在至少20层以上的重复光刻需求下，孔径重复对准的精准度要求愈来愈高，让EUV光刻机成为必备设备，不仅提高良率，也能降低生产成本。 ... PC版： 手机版：

ASML 和英特尔实现 High NA EUV “初次曝光”里程碑

ASML 和英特尔实现 High NA EUV “初次曝光”里程碑 ASML 大型新型高数值孔径 (High NA) EUV 光刻系统已完成“初次曝光”，这是一个里程碑，意味着该工具正在运行，尽管尚未发挥全部性能。ASML 和英特尔本周三表示，英特尔在其工厂内，通过激活光源并使光透过透镜系统到达晶圆上的光刻胶，利用 ASML 的 High NA EUV 系统实现了一个重要的里程碑。 这表明光源和镜子已正确对齐，这是调试过程中的关键步骤。 “初次曝光”里程碑表明当前世界上最先进的芯片制造工具 ASML Twinscan EXE:5000 系统的一个主要组件已开始运行，但尚未达到峰值性能。