三星发布256GB SD Express microSD卡 读取速度达每秒800MB

三星发布256GB SD Express microSD卡 读取速度达每秒800MB 这意味着该卡的最高连续读取速度可高达每秒 800 MB。这个速度是普通 UHS-1 microSD 卡的四倍，甚至比 SATA 固态硬盘的最高读取速度还要快，后者的极限是每秒 560MB。三星方面称，新款 256MB SD Express microSD 卡的速度将为个人电脑和智能手机提供更好的整体性能。该 microSD 卡还采用了动态热保护（DTG）技术，确保卡内温度在长时间使用后仍能保持稳定。三星还宣布，它已开始批量生产 1TB 版本的 Pro Plus 和 Evo Plus microSD 卡产品。它们在小卡设计中堆叠了八层三星的 V-NAND。该公司表示：新款 1TB microSD 卡通过了业界最严格的测试设置，即使在充满挑战的环境中也能可靠使用，具有防水、耐极端温度、防摔设计、磨损保护以及 X 射线和磁性保护等功能。三星 256GB SD Express microSD 卡将于今年晚些时候上市，而 1TB Pro Plus 和 Evo Plus microSD 卡将于 2024 年第三季度上市。但公司尚未透露新 microSD 卡的价格。 ... PC版： 手机版：

三星发布新款EVO Select和Plus microSD卡 包括1TB 型号和更快的速度

三星发布新款EVO Select和Plus microSD卡 包括1TB 型号和更快的速度 如果您购买的 EVO Select 或 Plus 存储卡的存储容量达到或超过 128GB，它还将支持 A2 标准，可直接运行存储在其中的智能手机应用程序。新机型还支持 V30 标准，可快速传输视频文件。该公司补充道：在三星六重保护技术的支持下，microSD 系列可以抵御水、极端温度、X 射线、磨损、跌落和磁力冲击。无论您是在家、在公司还是在度假，您都可以放心，您的数据不会受到任何影响。最大的变化是，三星首次发布了 1TB 版本的 EVO Select 和 Pro Plus microSD 卡，之所以增加这些选项，是因为消费者需要更多的存储空间，以便在 Steam Deck 等便携式游戏 PC 上保存游戏、从智能手机上存储更多视频等。坏消息是，1TB 机型尚未开售，但将在今年晚些时候上市。与此同时，其他 EVO Select 和 Plus 型号将于今天在和其他在线零售商处开售。这些记忆卡的价格如下：EVO Select microSD 卡64GB（售价 14.99 美元）128GB（售价 18.99 美元）256GB（售价 29.99 美元）512GB（售价 55.99 美元）EVO Plus microSD 卡64GB（售价 15.99 美元）128GB（售价 20.99 美元）256GB（售价 31.99 美元）512GB（售价 60.99 美元）三星尚未公布 1TB 版存储卡的价格。如果你现在需要，Lexar 的 1TB 1066x microSD 卡正在提供不错的折扣。 ... PC版： 手机版：

AMD下一代CPU/GPU将引入三星4nm工艺

AMD下一代CPU/GPU将引入三星4nm工艺 近日有网友透露，AMD将采用三星4nm工艺制造客户端CPU和GPU芯片，首先引入的是低端APU芯片，并计划中长期内生产GPU芯片。AMD计划今年到明年推出一系列APU，主要针对移动平台，包括Strix Point、Kracken Point和Fire range等，有着较大的产能需求，且低端芯片对成本也更加敏感。为了争取更多订单，三星都倾向于给予更大的折扣优惠。之前曾传出，新一代Steam Deck将搭载AMD新款定制芯片，名为“Sonoma Valley”，采用Zen 5c架构内核，并选择三星4nm工艺。GPU方面，AMD接下来会引入RDNA 3+架构，比如用于Strix Point，暂时不清楚是否会有独立显卡采用的相同架构芯片。至于RDNA 4架构GPU，应该还会是继续由台积电代工。有消息称，AMD最初计划让三星为索尼PlayStation 5 Pro生产APU，但是后来取消了，不知道是性能或者功耗的问题，还是良品率导致成本的问题。 ... PC版： 手机版：

三星为下一代3D DRAM做准备 堆叠16层大幅提升容量

三星为下一代3D DRAM做准备 堆叠16层大幅提升容量 在韩国首尔举行的 2024 年国际内存研讨会（IMW）上，三星电子副总裁Lee Si-woo展示了新的 3D DRAM 技术，称随着市场的快速发展，尤其是人工智能领域，对先进 DRAM 技术的需求比以往任何时候都更加迫切。在 3D DRAM 架构的基础上，三星通过 DRAM 集成和性能的大幅提升，成功地大幅缩小了单元面积。图片来源：Samsung / Memcon三星/Memcon新的工艺采用了著名的"4F Square"单元结构，但 DRAM 晶体管是垂直安装的，这就是所谓的 VCT（垂直通道晶体管）技术。通过结合 4F Square 和 VCT 来改变单元结构，三星的目标是堆叠尽可能多的单元层，并以 16 层为目标，该公司很可能见证巨大的内存容量和性能提升。由于人工智能的炒作和消费者的需求，DRAM 市场出现了潜在的经济好转，看到市场上出现这样的发展令人兴奋，因为这不仅会带来创新，还会增加市场竞争，最终有利于普通消费者。不过，3D DRAM 目前仍是一个概念，三星自己也表示，该标准涉及复杂的制造技术，导致生产价格高昂。 ... PC版： 手机版：

三星电子展示下一代3D DRAM技术 发布时间预计是2025年后

三星电子展示下一代3D DRAM技术 发布时间预计是2025年后 根据在网络上曝光的内部演示幻灯片，DRAM 行业正在向 10 纳米以下的压缩线迈进。为了打破现代 DRAM 技术创新的僵局，三星计划推出两种新方法，即垂直通道晶体管和堆叠式 DRAM，这两种方法都涉及元件定位的差异，最终会减少器件面积的占用，从而确保更高的性能。同样，为了提高内存容量，三星计划利用堆叠 DRAM 概念，使公司能够实现更高的存储空间比，从而在未来将芯片容量提高到可能的 100 GB。据预测，到 2028 年，3D DRAM 市场将增长到 1000 亿美元。从目前来看，三星的发展相对较早，这可能意味着这家韩国巨头在未来将引领 DRAM 行业的发展。 ... PC版： 手机版：

美光下一代 HBM 在功耗方面比 SK海力士和三星电子更具优势

美光下一代 HBM 在功耗方面比 SK海力士和三星电子更具优势 业界2日称，美光正在研发的下一代 HBM 在功耗方面优于 SK海力士和三星电子。一位知情的半导体行业高管表示：“美光的新 HBM 产品在低功耗性能评估中表现出了优异的成绩。”今年年底美光 HBM 产能为2万片12英寸晶圆。虽然仅为 SK海力士和三星电子产能的 20% 左右，但预计明年将增加三到四倍。